晶圆曝光修正方法及系统与存储介质技术方案

本发明专利技术实施例提供一种晶圆曝光修正方法及系统与存储介质。一种晶圆曝光修正方法，包括：获取曝光剂量分布图，曝光剂量分布图用于表征每一曝光单元与初始曝光剂量对应的曝光剂量修正系数；曝光处理步骤，基于曝光剂量修正系数对初始曝光剂量进行修正，获取修正曝光剂量，采用修正曝光剂量对待处理的晶圆进行曝光处理，获取处理后的晶圆中多个曝光单元的修正特征尺寸；更新步骤，基于曝光剂量修正系数与修正特征尺寸之间的对应关系，计算每一修正特征尺寸对应的曝光剂量修正系数，根据计算得到的多个曝光剂量修正系数更新曝光剂量分布图；重复进行曝光处理步骤以及更新步骤，持续更新曝光剂量分布图。本方法可以提高晶圆特征尺寸的均匀度和准确度。

【技术实现步骤摘要】
晶圆曝光修正方法及系统与存储介质
本专利技术实施例涉及半导体制造
，特别涉及一种晶圆曝光修正方法及系统与存储介质。
技术介绍
随着技术节点的缩小，对晶圆内不同曝光区域以及曝光区域内部的线宽均匀性要求也越来越高。现有技术中APC(automaticprocesscontrol，自动制程控制)系统对光刻线宽控制流程如下：首先光刻工程师把与目标线宽值相对应的最佳曝光剂量和聚焦值等曝光参数设置在APC系统中，光刻机从APC系统中读取这些曝光参数来对晶圆曝光，光刻工艺完成后晶圆被送到CD-SEM(特征尺寸测量用扫描电子显微镜)做抽样测量，测量得到的线宽将被上传到APC系统，APC系统会根据事先确定的线宽/曝光剂量之间的关系(CD-dose斜率)计算出曝光剂量的修正值。然而，专利技术人发现现有技术中存在以下问题：CD-SEM抽样量测一般选取晶圆上固定几个shot(曝光单元)来量测CD(criticaldimension，特征尺寸)，并计算其平均值反馈给APC系统，该反馈修正实际上只能对晶圆的平均线宽做修正。因此现有技术中晶圆的CDU(本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆曝光修正方法，所述晶圆具有若干曝光单元，其特征在于，包括：/n获取曝光剂量分布图，所述曝光剂量分布图用于表征每一所述曝光单元与初始曝光剂量对应的曝光剂量修正系数；/n曝光处理步骤，基于所述曝光剂量修正系数对所述初始曝光剂量进行修正，获取修正曝光剂量，并采用所述修正曝光剂量对待处理的晶圆进行曝光处理，且获取处理后的晶圆中多个所述曝光单元的修正特征尺寸；/n更新步骤，基于曝光剂量修正系数与所述修正特征尺寸之间的对应关系，计算每一所述修正特征尺寸对应的曝光剂量修正系数，并根据计算得到的多个曝光剂量修正系数更新所述曝光剂量分布图；/n重复进行所述曝光处理步骤以及所述更新步骤，以持续更新所述...

【技术特征摘要】
1.一种晶圆曝光修正方法，所述晶圆具有若干曝光单元，其特征在于，包括：
获取曝光剂量分布图，所述曝光剂量分布图用于表征每一所述曝光单元与初始曝光剂量对应的曝光剂量修正系数；
曝光处理步骤，基于所述曝光剂量修正系数对所述初始曝光剂量进行修正，获取修正曝光剂量，并采用所述修正曝光剂量对待处理的晶圆进行曝光处理，且获取处理后的晶圆中多个所述曝光单元的修正特征尺寸；
更新步骤，基于曝光剂量修正系数与所述修正特征尺寸之间的对应关系，计算每一所述修正特征尺寸对应的曝光剂量修正系数，并根据计算得到的多个曝光剂量修正系数更新所述曝光剂量分布图；
重复进行所述曝光处理步骤以及所述更新步骤，以持续更新所述曝光剂量分布图。


2.根据权利要求1所述的晶圆曝光修正方法，其特征在于，所述晶圆设置有若干量测组；前一次所述曝光处理步骤与后一次所述曝光处理步骤中，分别获取不同量测组对应的多个所述曝光单元的修正特征尺寸。


3.根据权利要求1所述的晶圆曝光修正方法，其特征在于，前一次所述曝光处理步骤与后一次所述曝光处理步骤中，随机获取不同的多个所述曝光单元的修正特征尺寸。


4.根据权利要求2或3所述的晶圆曝光修正方法，其特征在于，所述获取处理后的晶圆中多个所述曝光单元的修正特征尺寸，包括：获取处理后的晶圆中5-15个所述曝光单元的修正特征尺寸。


5.根据权利要求1所述的晶圆曝光修正方法，其特征在于，所述获取处理后的晶圆中多个所述曝光单元的修正特征尺寸，包括：重复量测3～5次所述处理后的晶圆中多个曝光单元的量测特征尺寸，将对应每一个所述曝光单元多次量测得到的量测特征尺寸的平均值，作为所述多个曝光单元中每个曝光单元的修正特征尺寸。


6.根据权利要求1所述的晶圆曝光修正方法，其特征在于，所述获取曝光剂量分布图，包括：采用初始曝光剂量对初始待处理的晶圆进行曝光处理，且获取初始处理后的晶圆中所有曝光单元的初始特征尺寸；基于曝光剂量修正系数与所述初始特征尺寸之间的对应关系，获取所述曝光剂量分布图。


7.根据权利要求1所述的晶圆曝光修正方法，其特征在于，每一所述曝光单元具有若干量测位置，所述曝光剂量分布图还用于表征对应所述曝光单元内所述量测位置的内部曝光剂量修正系数；所述曝光处理步骤还包括基于所述曝光剂量修正系数和内部曝光剂量修正系数对所述初始曝光剂量进行修正，获取与各量测位置对应的内部修正曝光剂量，并采用所述内部修正曝光剂量对待处理的晶圆进行曝光处理，且获取处理后的晶圆的各所述曝光单元中若干测量位置的内部修正特征尺寸。


8.根据权利要求6所述的晶圆曝光修正方法，其特征在于，所述基于曝光剂量修正系数与所述初始特征尺寸之间的对应关系，获取所述曝光剂量分布图，包括：采用自动制程控制技术，获取每一所述曝光单元对应的曝光剂量修正系数；基于所述初始特征尺寸以及所述曝光剂量修正系数的对应关系，获取所述晶圆的曝光剂量分布图。...

【专利技术属性】
技术研发人员：张君君，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34