【技术实现步骤摘要】
一种监测碳化硅功率模块老化程度的方法及装置
本申请涉及碳化硅
，尤其涉及一种监测碳化硅功率模块老化程度的方法及装置。
技术介绍
碳化硅功率模块可有效实现电力电子系统的高效率、小型化和轻量化。但是由于碳化硅功率模块的材料性质以及应用场景的原因，碳化硅功率模块的寿命相对来说更短，因此需要提取碳化硅功率模块的老化程度参数，测试其使用寿命，以提前做出预判，避免发生意外。现有的碳化硅功率模块循环寿命都是在实验室条件下测得的，不能实时反映碳化硅功率模块真实的老化程度。而且功率循环测试属于破坏性测试，对于全碳化硅功率模块来说，造价高昂，直接进行破坏性测试的经济成本太高。
技术实现思路
本申请提供了一种监测碳化硅功率模块老化程度的方法及装置，用以解决现有的对碳化硅功率模块寿命进行的测试方法，不能实时反映碳化硅功率模块的老化程度的技术问题。一方面，本申请实施例提供了一种监测碳化硅功率模块老化程度的方法，包括：获取碳化硅功率模块上的若干热电偶分别对应的温度值；其中，若干热电偶通过耐高温导热胶带均匀贴装于...
【技术保护点】
1.一种监测碳化硅功率模块老化程度的方法，其特征在于，所述方法包括：/n获取碳化硅功率模块上的若干热电偶分别对应的温度值；其中，所述若干热电偶通过耐高温导热胶带均匀贴装于所述碳化硅功率模块的铜基板底部；/n基于所述若干热电偶分别对应的温度值，确定所述碳化硅功率模块对应的温度分布云图；/n通过所述温度分布云图，确定所述碳化硅功率模块的老化程度。/n
【技术特征摘要】
1.一种监测碳化硅功率模块老化程度的方法，其特征在于，所述方法包括：
获取碳化硅功率模块上的若干热电偶分别对应的温度值；其中，所述若干热电偶通过耐高温导热胶带均匀贴装于所述碳化硅功率模块的铜基板底部；
基于所述若干热电偶分别对应的温度值，确定所述碳化硅功率模块对应的温度分布云图；
通过所述温度分布云图，确定所述碳化硅功率模块的老化程度。
2.根据权利要求1所述的一种监测碳化硅功率模块老化程度的方法，其特征在于，所述碳化硅功率模块上包括若干MOS芯片以及若干SBD芯片；
所述若干SBD芯片与所述若干MOS芯片一一对应，且各SBD芯片分别与相应的MOS芯片并列分布在所述碳化硅功率模块上；
所述若干MOS芯片对应的铜基板底部位置均通过耐高温导热胶带贴装有热电偶。
3.根据权利要求1所述的一种监测碳化硅功率模块老化程度的方法，其特征在于，基于所述若干热电偶分别对应的温度值，确定所述碳化硅功率模块对应的温度分布云图，具体包括：
基于所述碳化硅功率模块的长度，确定所述温度分布云图的第一边界；以及，基于所述碳化硅功率模块的宽度，确定所述温度分布云图的第二边界；
通过所述第一边界以及所述第二边界，构建所述温度分布云图；其中，所述温度分布云图为矩形图；
根据所述若干热电偶在所述碳化硅功率模块上的贴装位置，以及所述若干热电偶分别对应的温度值，确定所述温度分布云图。
4.根据权利要求3所述的一种监测碳化硅功率模块老化程度的方法，其特征在于，所述确定所述温度分布云图，具体包括：
以所述若干热电偶分别对应的贴装位置为圆心，以预设值为半径，确定所述若干热电偶分别对应的温度影响范围；
在任一热电偶对应的温度值大于第一预设阈值时，确定所述任一热电偶对应的温度影响范围为第一预设颜色；或者，
在所述任一热电偶对应的温度值小于等于第一预设阈值，且大于第二预设阈值时，确定所述任一热电偶对应的温度影响范围为第二预设颜色；或者，
在所述任一热电偶对应的温度值小于等于第二预设阈值时，确定所述任一热电偶对应的温度影响范围为第三预设颜色；
其中，所述第一预设颜色、所述第二预设颜色、所述第三预设颜色在所述温度分布云图中显示，且颜色不同。
5.根据权利要求1所述的一种监测碳化硅功率模块老化程度的方法，其特征在于，所述通过所述温度分布云图，确定所述碳化硅功率模块的老化程度，具体包括：
获取所述碳化硅功率模块在不同老化程度下的，热阻值与温度分布云图之间的对应关系；
基于所述碳化硅功率模块对应的温度分布云图，通过所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：兰欣，朱士伟，于功山，王兴华，刘祥龙，谢国芳，吴平，
申请(专利权)人：元山济南电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37
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