【技术实现步骤摘要】
一种对LED芯片进行非接触式光电检测的装置及方法
本专利技术涉及电机控制
，特别涉及一种对LED芯片进行非接触式光电检测的装置及方法。
技术介绍
LED(LightEmittingDiode)是一种半导体发光元件，能将电能转变为光能，其具有发光效率高、体积小、寿命长、响应快、单色性好、省电环保等特点，已成为继白炽灯、荧光灯和高强度气体放电灯之后的第四代光源，被广泛应用于指示信号灯、景观照明、显示技术等领域，近年来已成为照明、显示领域的研究热点，受到各国政府、研究机构和企业的重视。当前对于LED芯片的检测技术主要分为接触式和非接触式两大方向。接触式这种方法的基本核心内容，即电源通过探针与LED芯片电极接触通电，从而在LED芯片上进行相应的光电检测。而非接触式的方法，则是不需要将电源与检测仪器的探针直接作用于LED芯片之上，便能使其光致发光或电致发光，然后进行相应的光电检测。如今面临LED芯片做得越来越小的状况，可能出现探针检测不便或是探针损坏芯片的情况，因而当今行业内大力研究非接触的方式。现有技术中常用光...
【技术保护点】
1.一种对LED芯片进行非接触式光电检测的装置，其特征在于，包括参考LED芯片、短接装置、示波器、感应线圈、光学测量装置、电阻、第一电流源和第二电流源；/n所述示波器并联在所述电阻的两端，所述电阻、所述第一电流源和所述感应线圈串联成第一闭合回路，所述短接装置用于放置待测LED芯片且使得待测LED芯片的两个电极短接形成第二闭合回路，所述参考LED芯片与所述第二电流源串联形成第三闭合回路，所述第二闭合回路和所述第三闭合回路与所述感应线圈的磁场方向同轴；/n所述光学测量装置位于所述短接装置一侧且采光方向对准待测LED芯片。/n
【技术特征摘要】
1.一种对LED芯片进行非接触式光电检测的装置，其特征在于，包括参考LED芯片、短接装置、示波器、感应线圈、光学测量装置、电阻、第一电流源和第二电流源；
所述示波器并联在所述电阻的两端，所述电阻、所述第一电流源和所述感应线圈串联成第一闭合回路，所述短接装置用于放置待测LED芯片且使得待测LED芯片的两个电极短接形成第二闭合回路，所述参考LED芯片与所述第二电流源串联形成第三闭合回路，所述第二闭合回路和所述第三闭合回路与所述感应线圈的磁场方向同轴；
所述光学测量装置位于所述短接装置一侧且采光方向对准待测LED芯片。
2.根据权利要求1所述的一种对LED芯片进行非接触式光电检测的装置，其特征在于，所述光学测量装置包括透镜和光谱仪；
所述光谱仪位于所述短接装置的一侧且采光方向对准待测LED芯片，所述透镜设置于所述光谱仪与待测LED芯片之间。
3.根据权利要求1所述的一种对LED芯片进行非接触式光电检测的装置，其特征在于，所述短接装置包括金属基板；
所述金属基板用于与待测LED芯片的两个电极同时接触使得待测LED芯片的两个电极短接形成第二闭合回路。
4.根据权利要求1所述的一种对LED芯片进行非接触式光电检测的装置，其特征在于，所述短接装置包括位于不同侧且相互电连接的金属基板；
不同侧的所述金属基板分别用于与待测LED芯片上不同侧的对应电极接触使得待测LED芯片的两个电极短接形成第二闭合回路。
5.根据权利要求4所述的一种对LED芯片进行非接触式光电检测的装置，其特征在于，所述短接装置包括位于上下两侧且相互电连接的金属基板；
上下两侧的所述金属基板分别用于与待测LED芯片的上下两个电极接触使得待测LED芯片的上下两个电极短接形成第二闭合回路；
靠近所述光学测量装置一侧的金属基板为透明电极。
6.一种对LED芯片进行非接触式光电检测的方法，其特征在于，应用于权利要求1至5任一所述的一种对LED芯片进行非接触式光电检测的装置，包括步骤：
S1、断开所述第二闭合回路和所述第三闭合回路，通过所述第一电流源对所述第一闭合回路施加第一电流，记录所述第一闭合回路中的第一电流数据和所述电阻两端的第一电压数...
【专利技术属性】
技术研发人员：吕毅军，张人予，倪祖荣，钟晨明，朱丽虹，高玉琳，陈忠，
申请(专利权)人：厦门大学，
类型：发明
国别省市：福建;35
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