【技术实现步骤摘要】
一种ALD加工设备以及加工方法
本专利技术涉及半导体纳米薄膜沉积
，特别涉及一种ALD加工设备以及加工方法。
技术介绍
随着IC复杂程度的不断提高，按照著名的摩尔定律和国际半导体行业协会公布的国际半导体技术发展路线图，硅基半导体集成电路中金属-氧化物-半导体场效应晶体管器件的特征尺寸将达到纳米尺度。原子层沉积(AtomicLayerDeposition，ALD)具有优异的三维共形性、大面积的均匀性和精确的亚单层膜厚控制等特点，受到微电子行业和纳米科技领域的青睐。现有技术中，原子层沉积加工的技术方案为：将基体放置在一个密封的反应器中，再通过将气相前驱体源交替地通入反应器，以在基体上化学吸附并反应形成沉积膜。在实现本专利技术的技术方案中，申请人发现现有技术中至少存在以下不足：现有技术中将气相前驱体源交替脉冲地通入反应器的技术方案，难以保证前驱体源对整个基体全面覆盖，容易形成针孔等缺陷，造成前驱体源与基体接触不均匀，导致沉积膜的均匀性差，质量难以保证，同时由于反应不全，前驱体源的大量充入，会造成前驱体...
【技术保护点】
1.一种ALD加工设备，其特征在于，所述加工设备包括：/n反应器，所述反应器包括真空腔室以及反应腔室，所述反应腔室内置于所述真空腔室内，所述反应腔室底部开设有进气通道、出气通道以及第一料口，所述进气通道和所述出气通道以所述反应腔室的底部的中心线相对设置，所述第一料口设置在所述进气通道和所述出气通道之间，所述真空腔室的侧面上设置有第二料口；/n升降装置，所述升降装置设置在所述反应器上，所述升降装置的输出端沿竖向伸缩，所述升降装置的输出端上设置有封盖，所述封盖设置在所述反应腔室的下方，所述封盖可操作地将所述反应腔室的第一料口密封；/n送料腔室，所述送料腔室设置在所述反应器的侧部...
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种ALD加工设备，其特征在于，所述加工设备包括：
反应器，所述反应器包括真空腔室以及反应腔室，所述反应腔室内置于所述真空腔室内，所述反应腔室底部开设有进气通道、出气通道以及第一料口，所述进气通道和所述出气通道以所述反应腔室的底部的中心线相对设置，所述第一料口设置在所述进气通道和所述出气通道之间，所述真空腔室的侧面上设置有第二料口；
升降装置，所述升降装置设置在所述反应器上，所述升降装置的输出端沿竖向伸缩，所述升降装置的输出端上设置有封盖，所述封盖设置在所述反应腔室的下方，所述封盖可操作地将所述反应腔室的第一料口密封；
送料腔室，所述送料腔室设置在所述反应器的侧部，所述送料腔室和所述反应器之间设置有可将所述第二料口开闭的密封门，所述送料腔室内设置有输送装置，所述输送装置可操作地将基体转运至所述封盖上。
2.根据权利要求1所述的ALD加工设备，其特征在于，所述进气通道为孔状，所述进气通道设置有多个，多个所述进气通道设置在所述反应腔室的底部的一侧；
所述出气通道为孔状，所述出气通道也设置有多个，多个所述出气通道设置在所述反应腔室的底部的另一侧。
3.根据权利要求2所述的ALD加工设备，其特征在于，所述进气通道设置有多组，多组所述进气通道依次设置，每组所述进气通道均呈弧形，每组所述进气通道的各个进气通道的孔径向靠近所述反应腔室的底部的中心线依次减小；
所述出气通道设置有多组，多组所述出气通道依次设置，每组所述出气通道均呈弧形，每组所述出气通道的各个进气通道的孔径向靠近所述反应腔室的底部的中心线依次减小。
4.根据权利要求1所述的ALD加工设备，其特征在于，所述反应腔室内设置有两个匀气板，两个所述匀气板以所述反应腔室的底部的中心线相对设置，两个所述匀气板设置在所述进气通道及出气通道之间，两个所述匀气板将所述反应腔室分割成进气腔室、反应腔室以及出气腔室，每个所述匀气板上均设置多个通孔。
5.根据权利要求1所述的ALD加工设备，其特征在于，所述反应腔室的底部固定设置有中转腔室，所述中转腔室的顶部敞口，所述反应腔室的底部覆盖在所述中转腔室的底部上，所述中转腔室内设置有两个隔板，两个所述隔板将所述中转腔室分割成第一腔室、第二腔室以及第三腔室，所述进气通道和所述第一腔室连通，所述出气通道和所述第三腔室连通，所述第一腔室的底部设置有进气主孔，所述第三腔室的底部设置有出气主孔；
所述中转腔室的中部设置有和所述第一料口相一致的第三料口，所述第三料口和所述第一料口相通设置。
技术研发人员：万军，王辉，廖海涛，王斌，
申请(专利权)人：无锡市邑晶半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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