一种用于原子层沉积的样品台和方法技术

本发明专利技术公开了一种用于原子层沉积的样品台和方法，通过本体；第一硅片，所述第一硅片为第一尺寸的圆形硅片，且所述第一硅片设置在所述本体的上表面；第二硅片，所述第二硅片设置在所述第一硅片的下方，且所述第二硅片为第二尺寸的圆形硅片；第三硅片，所述第三硅片设置所述第二硅片的下方，且所述第三硅片为第三尺寸的矩形硅片，其中，所述第三硅片与所述第一硅片、所述第二硅片属于嵌套结构，在所述第三硅片的四周分别具有一矩形孔；限位条，所述限位条穿过所述本体与所述矩形孔相匹配，进而达到了样品台适用于多种尺寸的样品，对不同尺寸的样品起到良好的限位和固定作用，样品能够随设备升降及旋转，实现设备的原位监测功能的技术效果。

【技术实现步骤摘要】
一种用于原子层沉积的样品台和方法
本专利技术涉及半导体材料
，尤其涉及一种用于原子层沉积的样品台和方法。
技术介绍
目前，原子层沉积技术广泛的应用在微纳电子和纳米材料等领域，原子层沉积(AtomicLayerDeposition，ALD)工艺依靠交替重复的自限制反应生长薄膜，能精确地控制薄膜的厚度和化学组分，因而沉积的薄膜杂质少、质量高，并且具有很好的均匀性和保形性。现在的原子层沉积技术对很多材料的工艺都不都完善，主要是因为缺乏有效的原位实时监测手段，样品难以固定以配合设备运动；设计合适的样品台去配合仪器运动实现原位监测功能可以有效的改进原子层沉积工艺。但本申请人发现现有技术至少存在如下技术问题：现有技术中缺乏有效的原位实时监测手段，样品难以固定以配合设备运动，导致样品存在移位可能性的技术问题。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种用于原子层沉积的样品台和方法，用以解决现有技术中缺乏有效的原位实时监测手段，样品难以固定以配合设备运动，导致样品存在移位可能性的技术问题，达到了样品台适用于多种尺本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于原子层沉积的样品台，其特征在于，所述样品台包括：/n本体；/n第一硅片，所述第一硅片为第一尺寸的圆形硅片，且所述第一硅片设置在所述本体的上表面；/n第二硅片，所述第二硅片设置在所述第一硅片的下方，且所述第二硅片为第二尺寸的圆形硅片；/n第三硅片，所述第三硅片设置所述第二硅片的下方，且所述第三硅片为第三尺寸的矩形硅片，其中，所述第三硅片与所述第一硅片、所述第二硅片属于嵌套结构，在所述第三硅片的四周分别具有一矩形孔；/n限位条，所述限位条穿过所述本体与所述矩形孔相匹配。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于原子层沉积的样品台，其特征在于，所述样品台包括：
本体；
第一硅片，所述第一硅片为第一尺寸的圆形硅片，且所述第一硅片设置在所述本体的上表面；
第二硅片，所述第二硅片设置在所述第一硅片的下方，且所述第二硅片为第二尺寸的圆形硅片；
第三硅片，所述第三硅片设置所述第二硅片的下方，且所述第三硅片为第三尺寸的矩形硅片，其中，所述第三硅片与所述第一硅片、所述第二硅片属于嵌套结构，在所述第三硅片的四周分别具有一矩形孔；
限位条，所述限位条穿过所述本体与所述矩形孔相匹配。


2.如权利要求1所述的样品台，其特征在于，所述第一硅片、所述第二硅片与所述第三硅片逐步凹陷呈阶梯状分布。


3.如权利要求1所述的样品台，其特征在于，所述本体的侧面具有一矩形缺口，其中，所述矩形缺口的尺寸大于样品的尺寸。


4.如权利要求1所述的样品台，其特征在于，所述第一尺寸、所述第二尺寸、所述第三尺寸...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙冰朔，屈芙蓉，吴朋桦，夏洋，李培源，冷兴龙，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11