一种利用ALD生长籽晶层的高结晶AlN薄膜制备方法技术

本发明专利技术涉及AlN薄膜领域，尤其涉及一种利用ALD生长籽晶层的高结晶AlN薄膜制备方法。具体的，该一种生长在衬底上的AlN薄膜的制备方法，依次包括：衬底清洗；利用ALD沉积方法生长AlN籽晶层；利用PVD沉积方法在所述AlN籽晶层上生长AlN膜层，得到AlN薄膜。本发明专利技术通过将ALD和PVD两种沉积方式相结合的方法，制备出高结晶的AlN薄膜，具体的，先生长籽晶层，然后在其上利用PVD沉积方式进一步快速沉积比较厚的AlN膜层，进而减少了沉积时间，本发明专利技术公开的工艺可以高效制备高结晶的AlN薄膜。

【技术实现步骤摘要】
一种利用ALD生长籽晶层的高结晶AlN薄膜制备方法
本专利技术涉及AlN薄膜领域，尤其涉及一种利用ALD生长籽晶层的高结晶AlN薄膜制备方法。技术背景当前，个人通信系统、卫星传输和其他种类的无限数据通讯的快速发展使得通讯设备的中心频率提升到了GHz级。在GHz频段，需要有更高性能和集成化的微型滤波器与之适应。传统的解决方案是采用微波介质陶瓷滤波器和声表滤波器(SAW)。然而陶瓷滤波器和声表滤波器具有一些缺陷，例如，陶瓷滤波器虽然性能好但受微细加工技术的限制体积过大；SAW体积虽小，但存在工作频率不高、插耗较大、功率容量较低等缺点。为了克服上述问题，薄膜体声波谐振器(FBAR)应运而生，薄膜体声波谐振器不仅兼有微波介质陶瓷和SAW的优势，同时又能克服两者的缺点，其具有工作频率高(最高可达20GHz)、温度系数小、损耗低、功率容量大、体积小、成本低、可大批量生产、且与半导体Si工艺兼容等优点。常用的FBAR压电薄膜材料主要有ZnO、AlN和CdS。这些材料有一个共同的特点，即它们都具有纤锌矿晶体结构，这使得它们在沿(002)晶向(即c轴本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种生长在衬底上的AlN薄膜的制备方法，其特征在于，依次包括：衬底清洗；利用ALD沉积方法生长AlN籽晶层；利用PVD沉积方法在所述AlN籽晶层上生长AlN膜层，得到AlN薄膜。/n

【技术特征摘要】
1.一种生长在衬底上的AlN薄膜的制备方法，其特征在于，依次包括：衬底清洗；利用ALD沉积方法生长AlN籽晶层；利用PVD沉积方法在所述AlN籽晶层上生长AlN膜层，得到AlN薄膜。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，利用ALD沉积方法生长AlN籽晶层包括以下步骤：
a.在以惰性气体为载气的反应腔室内放入衬底，然后对反应腔室抽真空，真空度为1-10mbar，对ALD反应腔室进行加热，温度为300℃～500℃；
b.在反应腔室内通入前驱体TMA，在衬底表面进行吸附和反应；
c.用惰性气体对衬底表面进行吹扫，吹扫去多余的前驱体TMA；
d.在反应腔室内通入NH3，与吸附在衬底表面的前驱体TMA发生反应；
e.用惰性气体对衬底表面进行吹扫，吹扫去多余的等离子体NH3和反应副产物；
f.重复b、c、d、e步骤若干次，即得到预定厚度的AlN籽晶层。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：马宏平，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：上海;31