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本发明涉及AlN薄膜领域，尤其涉及一种利用ALD生长籽晶层的高结晶AlN薄膜制备方法。具体的，该一种生长在衬底上的AlN薄膜的制备方法，依次包括：衬底清洗；利用ALD沉积方法生长AlN籽晶层；利用PVD沉积方法在所述AlN籽晶层上生长AlN...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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