一种ALD尾气热解组件以及抽气装置制造方法及图纸

技术编号:30448529 阅读:32 留言:0更新日期:2021-10-24 18:43
本实用新型专利技术涉及一种ALD尾气热解组件以及抽气装置。其中的热解组件包括壳体、加热器、处理体以及固定体,加热器设置在壳体的周面外侧,处理体设置在壳体内,处理体设置有贯通的处置孔,处置孔的两端分别连接有输入管和输出管,输入管以及输出管分别穿出壳体的两端,处置孔内间隔设置有多个翅片,每个翅片的中部均设置有与输入管以及输出管连通的通孔,固定体设置在处理体以及壳体之间,固定体内设置有安装腔,安装腔呈环状,安装腔同轴设置在处置孔的外侧,安装腔靠近处置孔的内侧壁上缠绕有加热丝,加热丝和加热器连接。本实用新型专利技术可减少对环境的污染。对环境的污染。对环境的污染。

【技术实现步骤摘要】
一种ALD尾气热解组件以及抽气装置


[0001]本技术涉及半导体纳米薄膜沉积
,特别涉及一种ALD尾气热解组件以及抽气装置。

技术介绍

[0002]随着IC复杂程度的不断提高,按照著名的摩尔定律和国际半导体行业协会公布的国际半导体技术发展路线图,硅基半导体集成电路中金属

氧化物

半导体场效应晶体管器件的特征尺寸将达到纳米尺度。原子层沉积(Atomic Layer Deposition,ALD)具有优异的三维共形性、大面积的均匀性和精确的亚单层膜厚控制等特点,受到微电子行业和纳米科技领域的青睐。
[0003]现有技术中,原子层沉积加工的技术方案为:将基体放置在一个密封的反应器中,再通过将气相前驱体源交替地通入反应器,以在基体上化学吸附并反应形成沉积膜。
[0004]在实现本技术的技术方案中,申请人发现现有技术中至少存在以下不足:
[0005]现有技术中,前驱体源在反应器中反应后会形成尾气,尾气是直接排出至大气,会造成空气污染,因此,需对现有技术进行改进。r/>
技术实现思路
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种ALD尾气热解组件,其特征在于,所述热解组件包括:壳体;加热器,所述加热器设置在所述壳体的周面外侧;处理体,所述处理体设置在所述壳体内,所述处理体设置有贯通的处置孔,所述处置孔的两端分别连接有输入管和输出管,所述输入管以及所述输出管分别穿出所述壳体的两端,所述处置孔内间隔设置有多个翅片,每个所述翅片的中部均设置有与所述输入管以及所述输出管连通的通孔;固定体,所述固定体设置在所述处理体以及所述壳体之间,所述固定体内设置有安装腔,所述安装腔呈环状,所述安装腔同轴设置在所述处置孔的外侧,所述安装腔靠近所述处置孔的内侧壁上缠绕有加热丝,所述加热丝和所述加热器连接。2.根据权利要求1所述的ALD尾气热解组件,其特征在于,所述安装腔靠近所述处置孔的内侧壁上间隔设置有多道凹槽,所述加热丝缠绕在多道凹槽内。3.根据权利要求1所述的ALD尾气热解组件,其特征在于,所述安装腔内填充有隔热材料。4.根据权利要求3所述的ALD尾气热解组件,其特征在于,所述隔热材料为隔热棉。5.根据权利要求1所述的ALD尾气热解组件,其特征在于,所述固定体的两端均设置有限位围板,所述处理体设置在两个所述限位围板之间,所述输入管以...

【专利技术属性】
技术研发人员:万军王辉廖海涛王斌
申请(专利权)人:无锡市邑晶半导体科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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