【技术实现步骤摘要】
一种裂片装置
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种裂片装置。
技术介绍
目前，硅晶圆、碳化硅晶圆经激光切割后未完全切断，在晶圆表面或内部产生纵向和横向的裂痕，需要配套裂片装置将晶圆裂开。现有的裂片装置包含下部刀头、上部左刀头以及上部右刀头，下部刀头竖立安装于工作台上，上部左刀头和上部右刀头位于下部刀头安装座上方，三个刀刃相互平行，上部左刀头和上部右刀头可分合移动。具体应用时，先对晶圆进行覆膜，使晶圆背面粘附在晶圆膜上；之后将晶圆膜固定在绷膜孔上，同时使晶圆表面或内部的切割道与下部刀头的刀刃平行，下部刀头的刀刃顶住切割道，上部左刀头和上部右刀头相互分开并分列在下部刀头的两侧，且分开后的上部右刀头与上部左刀头之间的中心线与下部刀头的刀刃平行。通过升级机构驱动上部右刀头与上部左刀头同时下降压在晶圆上表面，继续下降使晶圆沿切割道裂开，然后上部左刀头和上部右刀头上升，完成一个裂片动作。采用现有技术中的裂片装置进行裂片时，上部左刀头及上部右刀头不可避免的接触晶圆表面，可能对晶圆造成损伤。同时，上部左刀头和上部右刀头在接...
【技术保护点】
1.一种裂片装置，用于对经过切割形成有切割道的晶圆进行裂片，其特征在于，包括：/n支撑结构；/n设置在所述支撑结构上的承片环、以及用于将晶圆膜固定在所述承片环上的绷膜框，其中，所述晶圆膜具有相对的第一面及第二面，所述晶圆粘附在所述晶圆膜的第一面上，且所述晶圆未完全覆盖所述晶圆膜；/n设置在所述支撑结构上的第一裂片头，所述第一裂片头具有用于粘附所述晶圆膜的第二面的第一端面、以及与所述第一端面相邻接的第二端面；其中，所述第一端面与第二端面的夹角不小于90度且小于180度，且所述第一端面与所述第二端面的交线与所述切割道对准；/n装配在所述支撑结构上且能够沿所述承片环的轴向滑动的第...
【技术特征摘要】
1.一种裂片装置，用于对经过切割形成有切割道的晶圆进行裂片，其特征在于，包括：
支撑结构；
设置在所述支撑结构上的承片环、以及用于将晶圆膜固定在所述承片环上的绷膜框，其中，所述晶圆膜具有相对的第一面及第二面，所述晶圆粘附在所述晶圆膜的第一面上，且所述晶圆未完全覆盖所述晶圆膜；
设置在所述支撑结构上的第一裂片头，所述第一裂片头具有用于粘附所述晶圆膜的第二面的第一端面、以及与所述第一端面相邻接的第二端面；其中，所述第一端面与第二端面的夹角不小于90度且小于180度，且所述第一端面与所述第二端面的交线与所述切割道对准；
装配在所述支撑结构上且能够沿所述承片环的轴向滑动的第二裂片头，所述第二裂片头用于抵压在所述晶圆膜的第一面上未覆盖所述晶圆的区域后，向所述第一裂片头方向推所述晶圆膜，使所述切割道断开。
2.如权利要求1所述的裂片装置，其特征在于，所述第一端面与所述第二端面之间的夹角为140度～160度。
3.如权利要求1所述的裂片装置，其特征在于，所述承片环与所述第一裂片头位于所述晶圆膜的相同侧，所述承片环具有支撑所述晶圆膜的支撑端面，所述支撑端面与所述第一端面共面。
4.如权利要求1所述的裂片装置，其特征在于，所述第一端面上设置有多个气孔，所述多个气孔用于吸气，以将所述晶圆膜的第二面吸附在所述第一端面上。
5.如权利要求4所述的裂片装置，其特征在于，所述承片环可相对所述支撑结构沿所述承片环的轴线做定点旋转。
6.如权利要求5所述的裂片装置，其特征在于，所述支撑结构上设置有能够沿相互垂直的第一方向及第二方向运动的运动平台，其中，所述第一方向及第二方向均与所述承片环的轴线垂直；所述第一裂片头设置在所述运动平台上。
7.如权利要求6所述的裂片装置，其特征在于，所述运动平台上设置有至少两个所述第一裂片头，所述至少两个第一裂片头沿直线排列，且所述至少两个第一裂片头上的第一端面与第二端面之间的夹角相等；
任意相邻的两个第一裂片头的第一端面及第二端面均相邻接，且每个第一裂片头均可沿所述承片环的轴向运动。
8.如权利要求7所述的裂片装置，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：张喆，侯煜，李曼，王然，岳嵩，石海燕，张昆鹏，薛美，张紫辰，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11
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