一种利用硅棒头尾料制备单晶硅片的方法及应用技术

本发明专利技术公开了一种利用硅棒头尾料制备单晶硅片的方法，用于制备单晶硅片，所述硅棒头尾料包括：圆形底部，位于圆形底部上的凸起部；所述方法包括如下步骤：（S1）截断：沿圆形底部向凸起部过渡的方向截断凸起部中满足硅片直径的部分，得圆台状硅块；（S2）拼接：将圆台状硅块拼接，得拼接硅棒；（S3）开方：对拼接硅棒进行开方，得长方体硅棒；（S4）切片：沿平行于长方体硅棒底面的方向对硅棒进行切片，得到单晶硅片。本发明专利技术提供了一种单晶硅片的制备方法，利用对单晶硅棒的头尾料进行切割而制得，提高了原有硅棒的利用率；减少了头尾料重新回炉而带来的二次消耗。

【技术实现步骤摘要】
一种利用硅棒头尾料制备单晶硅片的方法及应用
本专利技术涉及太阳能电池用硅片加工
，尤其涉及一种利用硅棒头尾料制备单晶硅片的方法及应用。
技术介绍
现有单晶硅棒利用率较低，切割下来的头尾料和边皮料比例大于40%，其中头尾料占比约7%，严重影响了单晶硅片的制造成本。在正常拉晶和收尾情况下，单晶硅棒头尾料的电性能参数和等径部分晶棒的电性能基本保持一致，例如掺镓单晶硅棒的电阻率均在0.3-1.5Ω·cm范围内，少子寿命均≥30us。目前单晶硅棒头尾料的处理方法，基本是回炉替代原生料继续拉晶，未用作硅片加工使用，严重影响了单晶硅棒的利用率。针对硅棒头尾直径不能达到目标直径的部分，切除部分会更多，加剧了能源消耗。但目前还没有针对硅棒头尾料切割硅片的工艺方法和流程。
技术实现思路
专利技术目的：本专利技术提出一种利用硅棒头尾料制备单晶硅片的方法，能够提高单晶硅棒的利用率。技术方案：本专利技术采用如下技术方案：一种利用硅棒头尾料制备单晶硅片的方法，用于制备单晶硅片，所述硅棒头尾料为硅棒截断后产生的头部硅料和尾部硅料，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种利用硅棒头尾料制备单晶硅片的方法，用于制备单晶硅片，所述硅棒头尾料为硅棒截断后产生的头部硅料和尾部硅料，所述硅棒头尾料包括：圆形底部，位于圆形底部上的凸起部；其特征在于，包括如下步骤：/n（S1）截断：沿硅棒头尾料的圆形底部向凸起部过渡的方向截断凸起部中满足硅片直径的部分，得圆台状硅块；/n（S2）拼接：将圆台状硅块拼接，得拼接硅棒；/n（S3）开方：对拼接硅棒进行开方，得长方体硅棒；/n（S4）切片：沿平行于长方体硅棒的底面方向对硅棒进行切片，得单晶硅片。/n

【技术特征摘要】
1.一种利用硅棒头尾料制备单晶硅片的方法，用于制备单晶硅片，所述硅棒头尾料为硅棒截断后产生的头部硅料和尾部硅料，所述硅棒头尾料包括：圆形底部，位于圆形底部上的凸起部；其特征在于，包括如下步骤：
（S1）截断：沿硅棒头尾料的圆形底部向凸起部过渡的方向截断凸起部中满足硅片直径的部分，得圆台状硅块；
（S2）拼接：将圆台状硅块拼接，得拼接硅棒；
（S3）开方：对拼接硅棒进行开方，得长方体硅棒；
（S4）切片：沿平行于长方体硅棒的底面方向对硅棒进行切片，得单晶硅片。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤（S1）中，所述圆台状硅块具有位于顶部的第一平面、位于底部的第二平面和位于第一平面和第二平面之间的弧面。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：步骤（S2）中，对圆台状硅块进行拼接时采用第一平面和第二平面相互接触的方式。


4.根据权利要求1或3所述的方法，其特征在于：步骤（S2）中，采用粘合剂对圆台状硅块进行拼接。


5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：所述粘合剂为热熔胶或具有粘合功能的胶状物。


6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤（S3）中，按照所需硅片尺寸对拼接硅棒进行开方。


7.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈涛，季建，岳维维，曹育红，
申请(专利权)人：常州时创能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32