GaN基板的切断方法技术

本发明专利技术提供一种GaN基板的切断方法，该GaN基板的切断方法通过使用在外周形成有槽部的刻划轮对GaN基板进行刻划，从而能够在GaN基板形成切断所需的刻划线，且能够在水平方向上不产生不需要的裂缝的情况下沿着该刻划线将GaN基板切断。本发明专利技术的GaN基板的切断方法使用在外周形成有槽部(5)的刻划轮(1)将GaN基板切断，该GaN基板的切断方法具有：刻划工序，在刻划工序中，使刻划轮(1)的刀尖(2)相对于GaN基板垂直接触，对刻划轮(1)施加载荷并使该刻划轮(1)滚动，从而形成刻划线(L)；断开工序，在断开工序中，将形成有刻划线(L)的GaN基板切断。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】GaN基板的切断方法
本专利技术涉及将在发光器件、电子器件的基板中使用的GaN(氮化镓)基板切断的技术。
技术介绍
近年来，对于由脆性材料特别是由结晶性的材料形成的基板，也提出了一种脆性材料基板的割断方法，该割断方法使用刻划轮，在该脆性材料基板的表面形成转印有刻划轮的刀尖形状的线、即刻划线(参照图1)，并将在刻划线的下方形成有垂直裂缝的脆性材料基板断开(例如，参照专利文献1～3)。在专利文献1中，对于由金刚石形成的刻划轮，公开了高品质地对蓝宝石基板进行刻划的技术。在专利文献2、3中，公开了利用刀轮对碳化硅板作用压力并使该刀轮在碳化硅板上滚动，从而在碳化硅板刻划并形成刻划线的技术。专利文献1：日本特开2018-086785号公报专利文献2：国际公开第2012/093422号公报专利文献3：日本特许5884852号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题如上所述，关于在蓝宝石基板、SiC基板、氧化铝基板等脆性材料基板形成刻划线并将该脆性材料基板切断的技术，存在公知的技术。此本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种GaN基板的切断方法，其使用在外周形成有槽部的刻划轮将GaN基板切断，/n所述GaN基板的切断方法的特征在于，具有：/n刻划工序，在所述刻划工序中，使所述刻划轮的刀尖相对于所述GaN基板垂直接触，对所述刻划轮施加载荷并使所述刻划轮滚动，从而形成刻划线；以及/n断开工序，在所述断开工序中，将形成有所述刻划线的GaN基板切断。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180928 JP 2018-1846541.一种GaN基板的切断方法，其使用在外周形成有槽部的刻划轮将GaN基板切断，
所述GaN基板的切断方法的特征在于，具有：
刻划工序，在所述刻划工序中，使所述刻划轮的刀尖相对于所述GaN基板垂直接触，对所述刻划轮施加载荷并使所述刻划轮滚动，从而形成刻划线；以及

【专利技术属性】
技术研发人员：浅井义之，北市充，
申请(专利权)人：三星钻石工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP