【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体器件及其制造方法
本公开涉及一种半导体器件及其制造方法。
技术介绍
包含直接带隙半导体的组件(例如，包含III-V族材料或III-V族化合物(类别：III-V化合物)的半导体组件)可归因于其特性而在多种条件下或在多种环境中(例如，在不同电压和频率下)操作或工作。半导体组件可包含异质结双极晶体管(HBT)、异质结场效应晶体管(HFET)、高电子迁移率晶体管(HEMT)、经调制掺杂FET(MODFET)等。
技术实现思路
在本公开的一些实施例中，提供一种半导体器件，其包含半导体堆叠和第一欧姆接触件。所述半导体堆叠形成于衬底上。所述半导体堆叠具有第一氮化物半导体层和形成于第一氮化物半导体层上的第二氮化物半导体层。所述第二氮化物半导体层具有比所述第一氮化物半导体层的带隙更宽的带隙。第一欧姆接触件安置于半导体堆叠上方。第一欧姆接触件具有暴露第一氮化物半导体层的第一开口。在本公开的一些实施例中，提供一种半导体器件，其包含半导体堆叠、第一漏极电极部分和第二漏极电极部分。所述半导体堆叠形成于衬底上。...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，其包括：/n半导体堆叠，其形成于衬底上，所述半导体堆叠具有第一氮化物半导体层和第二氮化物半导体层，所述第二氮化物半导体层形成于所述第一氮化物半导体层上且具有比所述第一氮化物半导体层的带隙更宽的带隙；以及/n第一欧姆接触件，其安置于所述半导体堆叠上方，/n其中所述第一欧姆接触件具有暴露所述第一氮化物半导体层的第一开口。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体器件，其包括：
半导体堆叠，其形成于衬底上，所述半导体堆叠具有第一氮化物半导体层和第二氮化物半导体层，所述第二氮化物半导体层形成于所述第一氮化物半导体层上且具有比所述第一氮化物半导体层的带隙更宽的带隙；以及
第一欧姆接触件，其安置于所述半导体堆叠上方，
其中所述第一欧姆接触件具有暴露所述第一氮化物半导体层的第一开口。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其进一步包括：
在所述半导体堆叠中且通过所述第一开口暴露的结构，其中所述结构的材料不同于所述第二氮化物半导体层的材料。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其进一步包括：
第一图案化导电层，其安置于所述第一欧姆接触件上方，所述第一图案化导电层具有位于所述第一开口正上方的第二开口。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其进一步包括：
第二图案化导电层，其安置于所述第一图案化导电层上方，所述第二图案化导电层具有位于所述第一开口正上方的第三开口。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一欧姆接触件包含通过所述第一开口隔开的第一部分和第二部分。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一欧姆接触件包含第一部分、与所述第一部分隔开的第二部分，以及将所述第一部分连接到所述第二部分的第三部分。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其进一步包括第二开口。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其进一步包括：
栅极，其安置于所述半导体堆叠上方；以及
第二欧姆接触件，其安置于所述半导体堆叠上方且在所述栅极的与所述第一欧姆接触件相对的一侧上，其中所述第二欧姆接触件具有暴露所述第一氮化物半导体层的第二开口。
9.一种半导体器件，其包括：
半导体堆叠，其形成于衬底上，所述半导体堆叠具有第一氮化物半导体层和第二氮化物半导体层，所述第二氮化物半导体层形成于所述第一氮化物半导体层上且具有比所述第一氮化物半导体层的带隙更宽的带隙；以及
第一漏极电极部分和第二漏极电极部分，其安置于所述第二氮化物半导体层上方，其中所述第一漏极电极部分和所述第二漏极电极部分之间的空间暴露所述第一氮化物半导体层。
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其进一步包括：
在所述半导体堆叠中且位于所述第一漏极电极部分和所述第二漏极电...
【专利技术属性】
技术研发人员：李浩，张安邦，郑浩宁，
申请(专利权)人：英诺赛科苏州半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。