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本公开提供一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包含半导体堆叠和第一欧姆接触件。所述半导体堆叠形成于衬底上。所述半导体堆叠具有第一氮化物半导体层和形成于所述第一氮化物半导体层上的第二氮化物半导体层。所述第二氮化物半导体层具有比所述第一氮...
该专利属于英诺赛科(苏州)半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英诺赛科(苏州)半导体有限公司授权不得商用。

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