半导体装置及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。目的在于提供能够提高半导体装置的可靠性的技术。半导体装置具有：绝缘层，其配置于终端区域侧的第1杂质层及第2杂质层之上；金属化层，其配置于从绝缘层露出的第1杂质层及第2杂质层之上、以及绝缘层之上；以及电极，其配置于金属化层之上。在俯视观察时，金属化层的终端区域侧的第1端部的位置与电极的终端区域侧的第2端部的位置相同。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及半导体装置的制造方法
本专利技术涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。
技术介绍
提出了具有作为肖特基金属而起作用的金属化层和在其之上配置的电极的二极管。例如在专利文献1中，提出了通过湿蚀刻而对金属化层以及电极一并地进行图案化的技术。专利文献1：日本特开2015-211179号公报但是，就如专利文献1的技术那样进行湿蚀刻的技术而言，如果相对于电极的金属化层的蚀刻选择比大，则存在以下问题，即，金属化层的端部与电极的端部相比被挖至金属化层的内侧，成为洞穴形状。另一方面，如果相对于电极的金属化层的蚀刻选择比小，则具有在金属化层产生须状的残渣的问题。就专利文献1的技术而言，有时无法如上述那样对金属化层适当地进行图案化。其结果，存在如下问题，即，由于半导体装置的电特性等性能产生波动，因此半导体装置的再现性、乃至可靠性下降。特别地，在金属化层的厚度为亚微米级、电极的厚度大于或等于几微米这样的情况下，即在电极的厚度为金属化层的厚度的几十倍的情况下，上述问题变得显著。
技术实现思路
因此，本专利技术就是鉴本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其具有：/n第1导电型的缓冲层；/n第1导电型的漂移层，其配置于所述缓冲层之上，该漂移层被规定了有源区域、包围所述有源区域的界面区域、包围所述界面区域的终端区域；/n第2导电型的第1杂质层，其配置于所述界面区域的所述漂移层的表面；/n第2导电型的第2杂质层，其配置于所述第1杂质层的表面，所述第2杂质层的侧部及底部被所述第1杂质层覆盖，所述第2杂质层与所述第1杂质层相比杂质浓度高；/n绝缘层，其将所述有源区域侧的所述第1杂质层及所述第2杂质层露出，配置于所述终端区域侧的所述第1杂质层及所述第2杂质层之上；/n金属化层，其配置于从所述绝缘层露出的所述第1杂质层及所述第2杂质层之...

【技术特征摘要】
20190613 JP 2019-1103281.一种半导体装置，其具有：
第1导电型的缓冲层；
第1导电型的漂移层，其配置于所述缓冲层之上，该漂移层被规定了有源区域、包围所述有源区域的界面区域、包围所述界面区域的终端区域；
第2导电型的第1杂质层，其配置于所述界面区域的所述漂移层的表面；
第2导电型的第2杂质层，其配置于所述第1杂质层的表面，所述第2杂质层的侧部及底部被所述第1杂质层覆盖，所述第2杂质层与所述第1杂质层相比杂质浓度高；
绝缘层，其将所述有源区域侧的所述第1杂质层及所述第2杂质层露出，配置于所述终端区域侧的所述第1杂质层及所述第2杂质层之上；
金属化层，其配置于从所述绝缘层露出的所述第1杂质层及所述第2杂质层之上、以及所述绝缘层之上；以及
电极，其配置于所述金属化层之上，
在俯视观察时，所述金属化层的所述终端区域侧的第1端部的位置与所述电极的所述终端区域侧的第2端部的位置相同。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述金属化层包含钛、钼或钨。


3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
在俯视观察时，所述第1端部及所述第2端部比所述第2杂质层的所述终端区域侧的端部更靠近所述有源区域。


4...

【专利技术属性】
技术研发人员：松野吉德，高木保志，田口健介，宫崎光介，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP