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本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。目的在于提供能够提高半导体装置的可靠性的技术。半导体装置具有：绝缘层，其配置于终端区域侧的第1杂质层及第2杂质层之上；金属化层，其配置于从绝缘层露出的第1杂质层及第2杂质层之上、以及绝缘层之上；以...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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