高可靠性高密度元胞功率半导体器件结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种高可靠性高密度元胞功率半导体器件结构，包括漏极金属、第一导电类型衬底、外延层、沟槽、栅氧层、栅极导电多晶硅、绝缘介质层与源极金属，第二导电类型体区被沟槽切割成条状并且互相平行，在第二导电类型体区的上表面两侧均设有在沟槽的延伸方向上呈间隔设置的第一导电类型源区，在第二导电类型体区的上表面中部设有第二导电类型阱区，第一导电类型源区的下表面低于第二导电类型阱区的下表面，块状第二导电类型阱区沿着沟槽的延伸方向上呈间隔设置在第二导电类型阱区上，第一导电类型源区被块状第二导电类型阱区断开。本实用新型专利技术减小了寄生积极电阻，在器件击穿时，寄生三极管不容易开启，避免了发生回跳现象。

【技术实现步骤摘要】
高可靠性高密度元胞功率半导体器件结构
本技术属于功率半导体器件
，本技术具体地说是一种高可靠性高密度元胞功率半导体器件结构。
技术介绍
随着移动设备的普及，与向移动设备供电的电池相关的技术变得越来越重要。近年来，根据向移动设备供电的目的，通常使用能够放电或充电的二次电池。因此，根据电池规范，应该在二次电池中设置电池保护电路，该电池保护电路被配置成管理电池的放电和充电所需的电压和电流。因此，电池保护电路还可以执行例如运行时间预测的功能和其他类似的功能，以及控制电压和电流的充电和放电的功能。为了实现上述功能，可以通过串联或并联地连接一个或更多个电池单元来配置电池保护电路。因为电池保护电路用作为用于使电流通过或阻挡的闸，根据是否正在进行二次电池的充电或放电，要求电池保护电路在被激活时具有相对低的电阻值以允许电流通过，并且要求其在未被激活时具有高的击穿电压性能以阻挡电流，从而即使在高操作电压下也防止击穿。具有沟槽并且在这样的电池保护电路中采用的功率半导体器件被广泛地用作为构成电池保护电路的部件，原因是通过这样的高密度元胞可本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高可靠性高密度元胞功率半导体器件结构，包括漏极金属（1）、位于漏极金属（1）上的第一导电类型衬底（2）及位于第一导电类型衬底（2）上的第一导电类型外延层（3），在第一导电类型外延层（3）的上表面设置第二导电类型体区（8），在第二导电类型体区（8）的上表面设置互相平行的沟槽（4），沟槽（4）穿透第二导电类型体区（8）进入第一导电类型外延层（3）内，所述第二导电类型体区（8）被沟槽（4）切割成条状并且互相平行，其特征是：在第二导电类型体区（8）的上表面两侧均设有在沟槽（4）的延伸方向上呈间隔设置的第一导电类型源区（9），在第二导电类型体区（8）的上表面中部设有第二导电类型阱区（10），所述...

【技术特征摘要】
1.一种高可靠性高密度元胞功率半导体器件结构，包括漏极金属（1）、位于漏极金属（1）上的第一导电类型衬底（2）及位于第一导电类型衬底（2）上的第一导电类型外延层（3），在第一导电类型外延层（3）的上表面设置第二导电类型体区（8），在第二导电类型体区（8）的上表面设置互相平行的沟槽（4），沟槽（4）穿透第二导电类型体区（8）进入第一导电类型外延层（3）内，所述第二导电类型体区（8）被沟槽（4）切割成条状并且互相平行，其特征是：在第二导电类型体区（8）的上表面两侧均设有在沟槽（4）的延伸方向上呈间隔设置的第一导电类型源区（9），在第二导电类型体区（8）的上表面中部设有第二导电类型阱区（10），所述第一导电类型源区（9）的下表面低于第二导电类型阱区（10）的下表面，块状第二导电类型阱区（13）沿着沟槽（4）的延伸方向上呈间隔设置在第二导电类型阱区（10）上，第一导电类型源区（9）被块状第二导电类型阱区（13）断开；
在所述沟槽（4）的侧壁与底面设有栅氧层（5），在栅氧层（5）内设有栅极导电多晶硅（6），在栅氧层（5）与栅极导电多晶硅（6）的上表面设有绝缘介质层（7），在绝缘介质层（7）、第一导电类型源区（9）与第二导电类型阱区（10）的上表面设有源极金属（11）。

【专利技术属性】
技术研发人员：朱袁正，周锦程，王根毅，周永珍，
申请(专利权)人：无锡新洁能股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32