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本实用新型涉及一种高可靠性高密度元胞功率半导体器件结构，包括漏极金属、第一导电类型衬底、外延层、沟槽、栅氧层、栅极导电多晶硅、绝缘介质层与源极金属，第二导电类型体区被沟槽切割成条状并且互相平行，在第二导电类型体区的上表面两侧均设有在沟槽的延...
该专利属于无锡新洁能股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡新洁能股份有限公司授权不得商用。

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