一种具有宽带深隔离度的宽带等功率分配/合成电路拓扑制造技术

一种具有宽带深隔离度的宽带等功率分配/合成电路拓扑，通过同时引入多模谐振器和宽带复隔离阻抗实现。该等功率分配/合成电路拓扑在经典威尔金森等功率分配/合成电路拓扑基础上，将其四分之一阻抗变换线替换成多模谐振器，该多模谐振器输入输出通过强耦合馈线技术实现；同时将隔离纯电阻替换成宽带复隔离阻抗，该复隔离阻抗则通过特定传输线网络和纯电阻实现；最终本发明专利技术公开的等功率分配/合成电路拓扑具有宽带功分/合成、低输入输出驻波和宽带深输出隔离功能。基于本发明专利技术公开的等功率分配/合成电路拓扑，可以通过普通微带传输线、悬置微带传输线、带状线传输线、脊间隙波导传输线等支持TEM波/准TEM波的传输线结合表贴电阻实现。

【技术实现步骤摘要】
一种具有宽带深隔离度的宽带等功率分配/合成电路拓扑
本专利技术属于电磁场与微波
，具体涉及一种具有宽带深隔离度的宽带等功率分配/合成电路拓扑，特别适用于宽带功率分配/合成且要求宽带深隔离的网络。
技术介绍
在通信和雷达前端系统设计中，功率分配/合成电路是一类重要的关键无源器件，其既可以用于功率放大器芯片的功率合成网络设计，也可以用于相控阵系统的合成网络，还可以用于镜像抑制混频器的设计等等。经典的功率分配/合成电路有威尔金森电路拓扑和Gysel电路拓扑，然而它们的分配/合成带宽和输出隔离带宽通常较小，一般在20％左右。对于宽带大规模阵列应用而言，这样的带宽往往不能满足需求，且这类阵列应用中通道单元之间的隔离度要求也较高，因此需要研究具有宽带深隔离度的宽带等功率分配/合成电路。近年来，基于经典威尔金森电路拓扑的宽带功率分配/合成电路研究较多，其中以多级传输线匹配技术、多模谐振腔加载技术、准耦合线加载技术、电容加载多级传输线匹配技术等等为代表，这些技术的应用有效增加了功率分配/合成电路的分配/合成带宽和隔离带宽，然而隔离度有限，一般在2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有宽带深隔离度的宽带等功率分配/合成电路拓扑，其特征在于，所述电路拓扑具有轴对称性，包括：公共端口(1)、两个第一强耦合馈线(2)、两个多模谐振器(3)、两个第二强耦合馈线(4)、宽带复隔离阻抗(5)和两个分配/合成端口(6)；所述公共端口(1)通过结构相同的两路分别连接至两个分配/合成端口(6)，每一路中，公共端口(1)、第一强耦合馈线(2)、多模谐振器(3)、第二强耦合馈线(4)、分配/合成端口(6)依次连接，所述宽带复隔离阻抗(5)连接在两个多模谐振器(3)之间。/n

【技术特征摘要】
1.一种具有宽带深隔离度的宽带等功率分配/合成电路拓扑，其特征在于，所述电路拓扑具有轴对称性，包括：公共端口(1)、两个第一强耦合馈线(2)、两个多模谐振器(3)、两个第二强耦合馈线(4)、宽带复隔离阻抗(5)和两个分配/合成端口(6)；所述公共端口(1)通过结构相同的两路分别连接至两个分配/合成端口(6)，每一路中，公共端口(1)、第一强耦合馈线(2)、多模谐振器(3)、第二强耦合馈线(4)、分配/合成端口(6)依次连接，所述宽带复隔离阻抗(5)连接在两个多模谐振器(3)之间。


2.如权利要求1所述的一种具有宽带深隔离度的宽带等功率分配/合成电路拓扑，其特征在于：每一路中，所述第一强耦合馈线(2)采用第一耦合传输线(7)，所述第二强耦合馈线(4)采用第二耦合传输线(9)，所述第一耦合传输线(7)的一半和第二耦合传输线(9)的一半均与第一传输线(8)相连，通过分支线技术实现多模谐振器(3)。


3.如权利要求2所述的一种具有宽带深隔离度的宽带等功率分配/合成电路拓扑，其特征在于：所述第一耦合传输线(7)的偶模特性阻抗、奇模特性阻抗和电长度分别为Ze1＝150Ω，Zo1＝30Ω，θc1＝90°；所述第二耦合传输线(9)的偶模特性阻抗、奇模特性阻抗和电长度分别为Ze2＝100Ω，Zo2＝9Ω，θc2＝90°；所述第一传输线(8)的特性阻抗和电长度分别为Zb＝200Ω，θb＝5°。


4.如权利要求2所述的一种具有宽带深隔离度的宽带等功率分配/合成电路拓扑，其特征在于：所述宽带复隔离阻抗(5)由第二传输线(10)、第三传输线(10’)、第四传输线(11)、第五传输线(11’)、第六传输线(12)、第...

【专利技术属性】
技术研发人员：施永荣，吴启晖，冯文杰，
申请(专利权)人：南京航空航天大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32