一种晶圆夹持装置和等离子体处理设备制造方法及图纸

本申请实施例公开了一种晶圆夹持装置，包括静电吸盘和接地装置，静电吸盘内部可以形成有静电电极板，静电电极板可以连接直流电源，接地装置可以包括互连的金属接地端和顶部部分，金属接地端用于连接地线，在静电吸盘上固定有晶圆，晶圆上方形成有等离子体时，顶部部分与等离子体接触，实现晶圆的接地，而顶部部分会使静电吸盘中的直流信号接地，且阻断射频信号在等离子体与地线之间的传输，这样可以为直流信号提供接地端，即为晶圆的夹持提供接地端，而射频信号不会通过接地装置接地，将射频回路和直流回路分隔开，提高晶圆夹持的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆夹持装置和等离子体处理设备
本申请涉及半导体器件制造领域，尤其涉及一种晶圆夹持装置和等离子体处理设备。
技术介绍
在半导体器件的制备过程中，需要对衬底进行夹持而实现对衬底的固定，进而在衬底上形成薄膜或对生成的薄膜进行处理。例如可以通过静电吸盘来实现对晶圆的夹持，对于单极静电吸盘来说，静电吸盘中可以设置有静电电极板，为静电电极板施加正的直流电压时，静电电极板产生的电场会导致固定在静电吸盘上的晶圆极化，为了中和晶圆中产生的电荷，晶圆表面会产生负电位，这样不同极性的电位之间产生的库仑力可以使晶圆吸附于静电吸盘上。然而，晶圆上的电荷会随着时间的推移逐渐减少，不利于静电吸盘对晶圆的夹持。
技术实现思路
有鉴于此，本申请实施例提供了一种晶圆夹持装置和等离子体处理设备，为晶圆的夹持提供接地端，使直流回路和射频回路分隔开，提高晶圆夹持的可靠性。本申请实施例提供了一种晶圆夹持装置，包括：静电吸盘以及接地装置，所述静电吸盘上施加有射频信号；所述静电吸盘内部形成有静电电极板，所述静电电极板用于连接直流电源；本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆夹持装置，其特征在于，包括：静电吸盘以及接地装置；/n所述静电吸盘内部形成有静电电极板，所述静电电极板用于连接直流电源，所述静电吸盘上施加有射频信号；/n所述接地装置包括互连的接地部分和顶部部分，所述接地部分用于连接地线；在所述静电吸盘上固定有晶圆，所述晶圆上方形成有等离子体时，所述顶部部分与所述等离子体接触，所述接地装置用于使所述直流电源产生的直流信号经过所述等离子体接地，且阻断所述射频信号在所述等离子体与所述地线之间的传输。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆夹持装置，其特征在于，包括：静电吸盘以及接地装置；
所述静电吸盘内部形成有静电电极板，所述静电电极板用于连接直流电源，所述静电吸盘上施加有射频信号；
所述接地装置包括互连的接地部分和顶部部分，所述接地部分用于连接地线；在所述静电吸盘上固定有晶圆，所述晶圆上方形成有等离子体时，所述顶部部分与所述等离子体接触，所述接地装置用于使所述直流电源产生的直流信号经过所述等离子体接地，且阻断所述射频信号在所述等离子体与所述地线之间的传输。


2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述顶部部分的材料为高阻硅或碳化硅。


3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述接地部分为金属螺丝或金属垫片。


4.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述接地部分由非金属材料制成，所述接地部分的阻值范围为0.1～1000MΩ。


5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述接地装置设置于所述静电吸盘外围的覆盖环中。


6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述覆盖环的材料为以下材...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁洁，倪图强，王伟娜，吴磊，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31