套件、及使用该套件的第三层叠体的制造方法技术

本发明专利技术提供一种具备第一层叠体(5)和支撑片(10)的套件(1)，所述第一层叠体(5)中依次层叠有第一剥离膜(151)、保护膜形成膜(13)及第二剥离膜(152)，使用70℃的层压辊将保护膜形成膜(13)贴附在经镜面加工的硅晶圆的镜面上，完成所述贴附5分钟后的、以100mm/分钟的剥离速度、于23℃的温度下测定的保护膜形成膜(13)与所述硅晶圆之间的180°剥离粘着力为900mN/25mm以上。

【技术实现步骤摘要】
套件、及使用该套件的第三层叠体的制造方法
本专利技术涉及一种套件(kit)、及使用该套件的第三层叠体的制造方法。本申请基于2019年11月21日于日本提出申请的日本特愿2019-210863主张优先权，并将其内容援用于此。详细而言，本专利技术涉及一种套件及将该套件用于在线工艺(in-lineprocess)的第三层叠体的制造方法，该套件具备依次层叠有第一剥离膜、保护膜形成膜及第二剥离膜的第一层叠体、以及用于支撑作为所述保护膜形成膜的保护对象的半导体晶圆等工件和所述保护膜形成膜的支撑片，所述第三层叠体中依次层叠有工件、所述保护膜形成膜及所述支撑片。此处，所谓“在线工艺”，是指“在将多个(多台)进行一道或多道工序的装置连接而成的装置内、或同一个装置内进行的工艺，包括多道工序和将该多道工序中的工序与工序连接的搬送，在一道工序与下一道工序之间，将工件一片一片地进行搬送的”工艺。
技术介绍
近年来，正在进行应用了被称作倒装(facedown)方式的安装法的半导体装置的制造。在倒装方式中，使用有在电路面上具有凸块等电极的半导体芯片，并且所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种套件，其具备第一层叠体和支撑片，所述第一层叠体中依次层叠有第一剥离膜、保护膜形成膜及第二剥离膜，所述支撑片用于支撑作为所述保护膜形成膜的保护对象的工件和所述保护膜形成膜，其中，/n使用70℃的层压辊，将所述保护膜形成膜贴附在经镜面加工的硅晶圆的镜面上，完成所述贴附5分钟后的、以100mm/分钟的剥离速度、于23℃的温度下测定的所述保护膜形成膜与所述硅晶圆之间的180°剥离粘着力为900mN/25mm以上。/n

【技术特征摘要】
20191121 JP 2019-2108631.一种套件，其具备第一层叠体和支撑片，所述第一层叠体中依次层叠有第一剥离膜、保护膜形成膜及第二剥离膜，所述支撑片用于支撑作为所述保护膜形成膜的保护对象的工件和所述保护膜形成膜，其中，
使用70℃的层压辊，将所述保护膜形成膜贴附在经镜面加工的硅晶圆的镜面上，完成所述贴附5分钟后的、以100mm/分钟的剥离速度、于23℃的温度下测定的所述保护膜形成膜与所述硅晶圆之间的180°剥离粘着力为900mN/25mm以上。


2.根据权利要求1所述的套件，其中，所述第一层叠体为卷状。


3.根据权利要求1或2所述的套件，其中，所述保护膜形成膜为热固性或能量射线固化性。


4.根据权利要求1～3中任一项所述的套件，其中，所述支撑片的贴附在所述保护膜形成膜上的粘着剂层层叠在基材上。


5.根据权利要求1～4中任一项所述的套件，其中，使用23℃的层压辊，将所述支撑片贴附在所述保护膜形成膜上，完成所述贴附3分钟后的、以100mm/分钟的剥离速度、于23℃的温度下测定的所述保护膜形成膜与所述支撑片之间的180°剥离粘着力为100mN/25mm以上。


6.一种第三层叠体的制造方法，其将权利要求1～5中任一项所述的套件用于在线工艺，且所述第三层叠体中依次层叠有工件、所述保护膜形成膜及所述支撑片，所述制造方法依次包括：
将所述第一层叠体的第一剥离膜剥离的工序；
在所述工件上贴附所述保护膜形成膜的露出面的第一层叠工序；及
在所述保护膜形成膜的与所述露出面相反的面上贴附所述支撑片的第二层叠工序，

【专利技术属性】
技术研发人员：古野健太，山本大辅，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP