基板处理装置以及基板处理方法制造方法及图纸

本公开涉及基板处理装置以及基板处理方法，基板处理装置包括：支承单元，支承基板，并使基板旋转；以及喷射单元，包括一个以上喷嘴，所述喷嘴将混合有清洗液和二氧化碳的二流体向基板喷射。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置以及基板处理方法
本专利技术涉及基板处理装置以及基板处理方法，更详细地涉及能够用于制造半导体的基板处理装置以及基板处理方法。
技术介绍
半导体元件经多个工艺来制造，随着经这样的工艺，半导体基板的表面被杂质污染。例如，硅晶片(siliconwafer)、玻璃基板(glasspanel)、PDP或LCD等之类大型平板显示器件表面被杂质污染，因此必须进行用于去除该杂质的清洗(cleaning)工艺。半导体基板的清洗方法大体划分为湿式化学方法、干式方法，气相(vaporphase)方法等。传统的晶片清洗方法大部分是使用过氧化氢溶液的化学性湿式方法，但由于大量化学物质的消耗、使用后的这些物质的废弃、与正发展的制造工艺的不亲和性等，趋势是逐渐转变为干式或气相方法。作为用于对基板的杂质进行清洗的以往的清洗方法，RCA法是将氨水过氧化氢溶液、氢氟酸水溶液以及盐酸过氧化氢溶液组合的湿式清洗法，以往干式清洗法是利用通过紫外线(UV)照射生成的氯自由基将基板表面的污染金属以金属氯化物蒸发去除的方式。即，以往的清洗技术作为主要利用湿式清洗的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理装置，包括：/n支承单元，支承基板，并使基板旋转；以及/n喷射单元，包括一个以上喷嘴，所述喷嘴将混合有清洗液和二氧化碳的二流体向基板喷射。/n

【技术特征摘要】
20191122 KR 10-2019-01513011.一种基板处理装置，包括：
支承单元，支承基板，并使基板旋转；以及
喷射单元，包括一个以上喷嘴，所述喷嘴将混合有清洗液和二氧化碳的二流体向基板喷射。


2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述喷射单元包括：
清洗液供应部件，连接于所述喷嘴，并向所述喷嘴供应清洗液；以及
二氧化碳供应部件，连接于所述喷嘴，并向所述喷嘴供应二氧化碳。


3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述基板处理装置还包括：
旋转速度测定部件，对在所述支承单元中使基板旋转的部分的旋转速度进行测定；以及
控制部，基于所述旋转速度测定部件测定到的旋转速度而选择性控制所述喷嘴的数量。


4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，
当所述旋转速度测定部件测定到的旋转速度小于目标旋转速度时，所述控制部使用多个喷嘴向基板喷射二流体。


5.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，
当所述旋转速度测定部件测定到的旋转速度为目标旋转速度以上时，所述控制部使用一个喷嘴向基板喷射二流体。


6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述基板处理装置包括：
流速测定部件，设置于所述喷射单元，并测定所述二流体的流速；
控制部，基于所述流速测定部件测定到的二流体的流速来控制与清洗液混合的二氧化碳的压力。


7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中，
当所述流速测定部件测定到的流速小于目标流速时，所述控制部增加与清洗液混合的二氧化碳的压力。


8.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中，
当所述流速测定部件测定到的流速为目标流速以上时，所述控制部实施向外部告知流速为正常状态的提醒。


9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述清洗液的温度包括在1度至10度的范围中。


10.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述清洗液是臭氧水。


11.一种基板处理方法，用权利要求1所述的基板处理装置处理基板，所述基板处理方法包括：
基板旋转步骤，使基板旋转；
旋转速度测定步骤，测定基板的旋转速度；
喷嘴数量判断步骤，基于测定到的基板的旋转速度来设定所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：高定奭，金善美，洪志守，金局生，崔成彬，许弼覠，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR