【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及具备非易失性存储器的存储器管理装置以及存储器装置。
技术介绍
以往，在作为非易失性存储器一种的NAND闪速存储器对于已经发生数据写入的块发生重写时，需要把要在该理应重写的块中的被重写的数据以外的数据写入到其它物理块中的处理，因此需要很多的处理时间。为了去除这样的原本应该写入的数据以外的写入处理，例如，像在特开2003-280822号公报中公开的那样，有对于一个虚拟块，使多个物理块与其相对应的方式。在该方式中，有根据清除命令，通过进行取消虚拟块与物理块的对应的处理，缩短在数据清除时花费的处理时间的技术。在上述的使用了NAND闪速存储器装置即存储卡中，在该存储卡之一的SD存储卡(登录商标)的推荐文件系统中即FAT(文件分配表)文件系统中，在至1GB的容量中，分组尺寸是16K字节。在存储卡中，由于用分组单位分配读和写文件的尺寸，因此大多情况下主设备向存储卡发行的清除的最小单位相同，指定为16K字节。另外，发行到存储卡的清除命令大都是在该存储卡的格式化时。主设备根据清除命令，对主引导记录(Master Boot Record)进行读入，把存储卡中的地址增...
【技术保护点】
一种存储器管理装置，该存储器管理装置管理具有多个块，构成为能够以其各块为清除单位清除数据的非易失性半导体存储器，其特征在于具备： 在有对于上述非易失性半导体存储器的数据的清除请求时，在包括上述清除请求的清除对象的数据的块中，设定上述清除对象的数据的地址范围的设定单元； 进行控制而在有对于上述非易失性半导体存储器的数据的读出请求时，在依据上述读出请求的读出对象的地址范围包含于由上述设定单元设定的地址范围中的情况下，作为上述读出对象的数据输出初始值数据的控制单元。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：须田隆也，村冈宽昭，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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