【技术实现步骤摘要】
存储器、存储器系统、存储器的操作方法和存储器系统的操作相关申请的交叉引用本申请要求于2019年11月21日提交的韩国专利申请10-2019-0150511和于2020年6月5日提交的韩国专利申请10-2020-0068144的优先权，它们的整体内容通过引用合并于此。
本专利技术的实施方式涉及存储器和存储器系统。
技术介绍
在半导体存储器行业的早期，在已经历晶片上的半导体制造工艺的存储器芯片中存在许多原始良好裸片，它们是没有缺陷的存储单元的裸片。然而，随着存储器装置的容量逐渐增加，变得难于制造完全没有缺陷的存储单元的存储器装置，并且目前，可以说基本上没有可能制造没有缺陷的存储单元的存储器装置。作为克服该问题的一种解决方案，正在使用利用冗余的存储单元修复存储器装置的缺陷存储单元的方法。作为另一解决方案，使用纠正存储器系统中的错误的纠错电路(即ECC电路)来纠正存储单元中出现的错误以及在存储器系统的读取操作和写入操作期间传送数据时出现的错误。
技术实现思路
本专利技术的实施方式涉及一种用于减少存储器和存储器系统中的错误的技术。根据本专利技术的一个实施方式，一种用于操作存储器的方法包括：确定是否执行纠错操作；响应于确定执行纠错操作来生成内部地址；从基于内部地址选择的存储单元读取数据和与数据对应的纠错码；基于纠错码对数据执行纠错操作以产生经纠错的数据；将经纠错的数据和与经纠错的数据对应的纠错码写入到存储单元中；基于在执行纠错操作时检测到的错误将存储器中的区域当中的一个或更多个...
【技术保护点】
1.一种用于操作存储器的方法，包括：/n确定是否执行纠错操作；/n响应于确定执行所述纠错操作来生成内部地址；/n从基于所述内部地址选择的存储单元读取数据和与所述数据对应的纠错码；/n基于所述纠错码对所述数据执行纠错操作，以产生经纠错的数据；/n将所述经纠错的数据和与所述经纠错的数据对应的纠错码写入到所述存储单元中；/n基于在执行所述纠错操作时检测到的错误将所述存储器中的区域当中的一个或更多个区域确定为需要修复区域；/n接收第一命令；/n响应于所述第一命令将所述需要修复区域中存储的数据和纠错码备份到冗余区域中；以及/n利用所述冗余区域修复所述需要修复区域。/n
【技术特征摘要】
20191121 KR 10-2019-0150511;20200605 KR 10-2020-001.一种用于操作存储器的方法，包括：
确定是否执行纠错操作；
响应于确定执行所述纠错操作来生成内部地址；
从基于所述内部地址选择的存储单元读取数据和与所述数据对应的纠错码；
基于所述纠错码对所述数据执行纠错操作，以产生经纠错的数据；
将所述经纠错的数据和与所述经纠错的数据对应的纠错码写入到所述存储单元中；
基于在执行所述纠错操作时检测到的错误将所述存储器中的区域当中的一个或更多个区域确定为需要修复区域；
接收第一命令；
响应于所述第一命令将所述需要修复区域中存储的数据和纠错码备份到冗余区域中；以及
利用所述冗余区域修复所述需要修复区域。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述需要修复区域中存储的所述数据和所述纠错码备份到所述冗余区域中包括：
多次执行读取操作和写入操作。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，在将所述第一命令施加到所述存储器之后，存储器控制器在比执行所述备份操作和所述修复操作所需时间长的设定时间内不施加后续命令。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述存储器向存储器控制器通知所述备份操作和所述修复操作是否完成。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，通过接收第二命令来确定执行所述纠错操作。
6.一种存储器，包括：
正常单元阵列；
冗余单元阵列；
访问电路，其用于访问所述正常单元阵列和所述冗余单元阵列；
地址生成电路，其响应于确定执行纠错操作来生成内部地址；
纠错码生成电路，其基于写入数据来生成与所述写入数据对应的纠错码；
纠错电路，其基于与读取数据对应的纠错码来检测和纠正所述读取数据的错误；
历史储存电路，其基于所述纠错电路检测到的错误将所述正常单元阵列的区域当中的一个或更多个区域确定为需要修复区域；以及
修复电路，其用于将所述正常单元阵列的所述需要修复区域替换为所述冗余单元阵列的冗余区域，
其中，当第一命令被施加时，所述访问电路将所述正常单元阵列的所述需要修复区域中所存储的数据和纠错码备份到所述冗余区域中，并且所述修复电路在所述备份完成之后将所述需要修复区域替换为所述冗余区域。
7.根据权利要求6所述的存储器，其中，当执行所述纠错操作时，
所述访问电路从所述正常单元阵列中的基于所述内部地址而选择的存储单元读取数据和纠错码，
所述纠错电路基于通过所述访问电路读取的纠错码对通过所述访问电路读取的数据执行纠错操作，以产生经纠错的数据，以及
所述访问电路将所述经纠错的数据和与所述经纠错的数据对应的纠错码写入到基于所述内部地址选择的存储单元中。
8.根据权利要求6所述的存储器，其中，所述访问电路包括：
行译码器，其用于选择所述正常单元阵列和所述冗余单元阵列中的要被访问的行；
感测放大器阵列，其用于感测和放大由所述行译码器选择的行的数据和纠错码；
列译码器，其用于选择所述正常单元阵列和所述冗余单元阵列中的要被访问的列；
输入/输出感测放大器，其用于将由所述列译码器选择的列的数据和纠错码传送到所述纠错电路；以及
写入驱动器，其用于将要被写入的数据和纠错码递送到由所述列译码器选择的列。
9.根据权利要求8所述的存储器，其中，所述访问电路包括：
当执行所述纠错操作时，
将所述正常单元阵列中的基于所述内部地址选择的所述存储单元的所述数据和所述纠错码通过所述感测放大器阵列、所述列译码器和所述IO感测放大器传送到所述纠错电路，所述纠错码生成电路生成与错误被所述纠错电路纠正的数据对应的纠错码，以及
通过所述写入驱动器、所述列译码器和所述感测放大器阵列将所述经纠错的数据和与所述经纠错的数据对应的所述纠错码写入到所选择的所述存储单元中。
10.根据权利要求8所述的存储器，其中，所述备份包括：
通过所述感测放大器阵列、所述列译码器和所述IO感测放大器将所述需要修复区域中存储的所述数据和所述纠错码传送到所述纠错电路的第一操作，以及
通过所述纠错码生成电路生成与错误被所述纠错电路纠正的数据对应的纠错码，并且通过所述写入驱动器、所述列译码器和所述感测放大器阵列将所述经纠错的数据和与所述经纠错的数据对应的纠错码写入到所述冗余区域中的第二操作。
11.根据权利要求10所述的存储器，其中，在所述备份期间，多次执行所述第一操作和所述第二操作中的每个。
12.根据权利要求6所述的存储器，其中，通过接收第二命令来确定执行所述纠错操作。
13.一种用于操作存储器系统的方法，包括：
通过存储器确定是否执行纠错操作；
通过所述存储器响应于确定执行所述纠错操作来生成内部地址；
通过所述存储器从基于所述内部地址选择的存储单元读取数据和与所述数据对应的纠错码；
通过所述存储器基于所述纠错码对所述数据执行纠错操作；
通过所述存储器将经纠错的数据和与所述经纠错的数据对应的纠错码写入到基于所述内部地址选择的存储单元中；
通过所述存储器基于在所述存储器执行所述纠错操作时检测到的错误而将区域当中的一个或更多个区域确定为需要修复区域；
通过存储器控制器将所述需要修复区域的数据移动到所述存储器的第一区域中；
通过所述存储器控制器向所述存储器传送第一命令；
通过所述存储器响应于所述第一命令利用所述存储器的冗余区域修复所述需要修复区域；以及
通过所述存储器控制器将所述第一区域的数据移动到所述冗余区域中。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，通过所述存储器控制器将所述需要修复区域的数据移动到所述存储器的第一区域中包括：
从所述需要修复区域读取所述数据和所述纠错码；
基于从所述需要修复区域读取的纠错码来纠正从所述需要修复区域读取的数据的错误，以产生经纠错的数据；
通过所述存储器将所述经纠错的数据传送到所述存储器控制器；
通过所述存储器控制器将所述经纠错的数据传送到所述存储器；
通过所述存储器基于所述经纠错的数据生成纠错码；以及
通过所述存储器将所述经纠错的数据和与所述经纠错的数据对应的纠错码写入到所述第一区域中。
15.根据权利要求13所述的方法，其中，响应于从所述存储器控制器传送到所述存储器的第二命令确定执行所述纠错操作。
16.一种存储器，包括：
正常单元阵列；
冗余单元阵列；
访问电路，其用于访问所述正常单元阵列和所述冗余单元阵列；
地址生成电路，其响应于确定执行纠错操作来生成内部地址；
纠错码生成电路，其基于写入数据来生成与所述写入数据对应的纠错码；
纠错电路，其基于与读取数据对应的纠错码检测和纠正所述读取数据的错误；
历史储存电路...
【专利技术属性】
技术研发人员：金庚焕，朴善花，金岐润，河成周，韩雅丽，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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