Nand Flash的电压控制方法及非易失性存储器技术

本发明专利技术公开了一种Nand Flash的电压控制方法及非易失性存储器。该方法包括：监测到开始对选中存储单元阵列的第一衬底放电时，控制电源给非选中存储单元阵列的第二衬底充电，使所述第二衬底获得第一电压；监测到开始对所述第一衬底充电时，基于所述第一电压对所述第一衬底充电，使所述第一衬底获得第二电压；在所述第二电压的基础上将所述第一衬底充电至目标电压。通过上述技术方案，预先利用电源给第二衬底充电，并在第一衬底需要充电时，利用第二衬底获得的电压给第一衬底充电，解决了直接用电源给第一衬底时速度较慢的问题，提高第一衬底的充电速度，从而提高对选中存储单元阵列擦除操作的速度。

【技术实现步骤摘要】
NandFlash的电压控制方法及非易失性存储器
本专利技术实施例涉及存储设备硬件
，尤其涉及一种NandFlash的电压控制方法。
技术介绍
NandFlash是Flash内存的一种，属于非易失性存储设备(Non-volatileMemoryDevice)，其内部采用非线性宏单元模式，具有容量大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储。NandFlash的存储单元阵列是基于每个存储单元的字线和位线排列而成，具体的，存储单元首先分别以字线、位线连接组成页，又由多个页组成块，最终由多个块组成一个存储单元阵列。图1为NandFlash的存储单元的结构示意图。如图1所示，在进行擦除操作时，会在衬底上加高压，在控制栅极上加0V，并保持源极和漏极浮空，这样衬底和浮动栅极之间会形成高的电场强度，当电场强度达到隧道击穿的强度时，浮动栅极上的电子会由于隧穿效应泄放到衬底上，使该存储单元会从编程状态转变为擦除状态。对于选中存储单元阵列进行擦除操作时，是以存储单元阵列中的擦除块(block)为单位进行的，一次擦除操作中要给衬底施加擦除脉冲，重复充电和本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种Nand Flash的电压控制方法，其特征在于，包括：/n监测到开始对选中存储单元阵列的第一衬底放电时，控制电源给非选中存储单元阵列的第二衬底充电，使所述第二衬底获得第一电压；/n监测到开始对所述第一衬底充电时，基于所述第一电压对所述第一衬底充电，使所述第一衬底获得第二电压；/n在所述第二电压的基础上将所述第一衬底充电至目标电压。/n

【技术特征摘要】
1.一种NandFlash的电压控制方法，其特征在于，包括：
监测到开始对选中存储单元阵列的第一衬底放电时，控制电源给非选中存储单元阵列的第二衬底充电，使所述第二衬底获得第一电压；
监测到开始对所述第一衬底充电时，基于所述第一电压对所述第一衬底充电，使所述第一衬底获得第二电压；
在所述第二电压的基础上将所述第一衬底充电至目标电压。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，监测到开始对选中存储单元阵列的第一衬底放电时，还包括：
将所述第一衬底放电到地。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述第一电压对所述第一衬底充电，包括：
接通所述第一衬底与所述第二衬底，进行所述第一电压中电荷的共享，直至所述第一衬底与所述第二衬底中的电荷稳定；
断开所述第一衬底与所述第二衬底的连接。


4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第二电压的基础上将所述第一衬底充电至目标电压，包括：
控制电源以确定的充电电压值对所述第一衬底充电，所述充电电压值为第二电压与所述目标电压的差值。


5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在监测到开始对选中存储单元阵列的第一衬底放电之前，还包括：
控制电源对所述第一衬底充电至初始电压，以使所述第一衬底...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱长峰，束庆冉，
申请(专利权)人：合肥格易集成电路有限公司，北京兆易创新科技股份有限公司，上海格易电子有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34