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本发明公开了一种Nand Flash的电压控制方法及非易失性存储器。该方法包括：监测到开始对选中存储单元阵列的第一衬底放电时，控制电源给非选中存储单元阵列的第二衬底充电，使所述第二衬底获得第一电压；监测到开始对所述第一衬底充电时，基于所述第...该专利属于合肥格易集成电路有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司;上海格易电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥格易集成电路有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司;上海格易电子有限公司授权不得商用。