【技术实现步骤摘要】
此专利技术是一种电路仿真技术,特别是一种用于降低电路不匹配仿真时间的方法。
技术介绍
现在,设计工具通常被用来进行电路设计。最常用的设计工具包括集成电路暨仿真程序(simulated-program-with-integrated-circuit-emphasis;SPICE)以及高阶组件仿真器(fast device levelsimulators),诸如Star-Sim、ATS、MACH TA以及TIMEMILL。通常,设计工具使用导线连导线(line-by-line)方式,描述个别的组件以及其连接方式。举例来说,组件包括电阻、电容、电感、双氧半结晶体管(bipolar junctiontransistor)以及金属氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductorfield effect transistor;MOSFET)。在设计工具中,每一条导线通常还含有组件描述,或被称为组件规格实例(device specification instance)。设计工具所产生的netlist(连线表)通常包含三个部分电路描述(circui ...
【技术保护点】
一种电路仿真方法,被处理单元加载并执行,其方法包括下列步骤:接收制造参数数据、组件尺寸数据与极值状态;将上述制造参数数据、上述组件尺寸数据与上述极值状态输入至极端不匹配模型,上述极端不匹配模型包含至少一仿真配置指令,用以仿真 在上述制造参数数据、上述组件尺寸数据与上述极值状态下的电性值;使用正常仿真方法仿真上述极端不匹配模型,以得到第一极端电性值;以及输出上述第一极端电性值。
【技术特征摘要】
1.一种电路仿真方法,被处理单元加载并执行,其方法包括下列步骤接收制造参数数据、组件尺寸数据与极值状态;将上述制造参数数据、上述组件尺寸数据与上述极值状态输入至极端不匹配模型,上述极端不匹配模型包含至少一仿真配置指令,用以仿真在上述制造参数数据、上述组件尺寸数据与上述极值状态下的电性值;使用正常仿真方法仿真上述极端不匹配模型,以得到第一极端电性值;以及输出上述第一极端电性值。2.如权利要求1所述的电路仿真方法,还包括下列步骤使用极端不匹配表达式,计算在符合上述制造参数数据、上述组件尺寸数据与上述极值状态下的第二极端电性值;以及输出上述第二极端电性值。3.如权利要求2所述的电路仿真方法,其中上述极端不匹配表达式用以计算制造参数在平均值加/减三倍标准差情况下的电性值。4.如权利要求1所述的电路仿真方法,其中上述极值状态为最高状态或最低状态。5.如权利要求1所述的电路仿真方法,其中上述仿真配置指令用以仿真制造参数在平均值加/减三倍标准差情况下的电性值。6.一种计算机可读存储介质,用以存储计算机程序,该计算机程序用以加载至计算机系统中并且使得该计算机系统执行一电路仿真方法,该方法包括下列步骤接收制造参数数据、组件尺寸数据与极值状态;将上述制造参数数据、上述组件尺寸数据与上述极值状态输入至极端不匹配模型,上述极端不匹配模型包含至少一仿真配置指令,用以仿真在上述制造参数数据、上述组件尺寸数据与上述极值状态下的电性值;使用正常仿真方法仿真上述极端不匹配模型,以得到第一极端电性值;以及输出上述第一极端电性值。7.如权利要求6所述的计算机可读存储介质,其中的方法还包括下列步骤使用极端不匹配表达式,计算在符合上述制造参数数据、上述组件...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈升佑,张心兰,
申请(专利权)人:络达科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]
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