用于放置辅助特征的方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术的一个实施例提供了一种在一个布局中确定放置辅助特征的位置的系统。在操作过程中，所述系统接收一个集成电路布局。然后，所述系统在该布局中选择一个求值点。所述系统然后在该布局中选择一个候选位置，用于放置辅助特征。接下来，所述系统以迭代方式执行以下步骤从而确定在该布局中放置辅助特征的最终位置：（ａ）在候选位置的附近选择扰动位置用于放置代表性的辅助特征，（ｂ）使用图像强度模型、该布局、以及通过在候选位置和扰动位置放置代表性的辅助特征来计算空间图像，（ｃ）基于所述空间图像，计算所述求值点处的图像梯度值，和（ｄ）基于所述图像梯度值更新辅助特征的候选位置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路制造。更具体地说，本专利技术涉及使用空间图像(aerial image)强度模型在掩模布局中放置辅助特征(AF)的方法和系统。
技术介绍
近年来通过半导体制造技术的相应进步，已经在半导体集成密度方面取得了显著进步。一种这样的半导体制造技术涉及在掩模布局上放置辅助特征。注意，辅助特征可以是印制的，如超级分辨率(super-resolution)辅助特征，辅助特征也可以是非印制的，如亚分辨率(sub-resolution)辅助特征。在任一种情况下，这些辅助特征都是为了改进打算印制在晶片上的线路的光刻性能。用于放置辅助特征的现有技术使用的是基于规则的方法，在这类方法中，辅助特征是基于特征宽度和间距参数的组合来放置的。遗憾的是，离轴照明的光学特性是复杂的，并需要一组精心设计的辅助特征合成规则。因此，创建和保持一组强健的、保证在任何配置下均良好有效的布局规则是非常困难的。此外，在制造环境中保持规则是非常昂贵的。因此，需要用于将辅助特征放置在掩模布局中，而没有上述问题的方法和装置。
技术实现思路
本专利技术的一个实施例提供了一种系统，该系统确定在布局中用于放置辅助特征的位置。在操作过程中，所述系统接收一个集成电路布局。然后，所述系统在该布局中选择一个求值点。所述系统然后在该布局中选择一个候选位置，用于放置辅助特征。接下来，所述系统以迭代方式执行以下步骤从而确定在该布局中放置辅助特征的最终位置(a)在候选位置的附近选择扰动位置，用于放置代表性辅助特征；(b)使用图像强度模型、布局、并通过在候选位置和扰动位置放置代表性的辅助特征，来计算空间图像；(c)基于所述空间图像，计算在所述求值点处的图像梯度值；以及(d)基于所述图像梯度值，更新辅助特征的候选位置。在这个实施例的一个变化方案中，所述系统通过识别空间图像中最接近求值点的相长干扰节点的位置，而在布局中选择候选位置。在这个实施例的一个变化方案中，所述系统通过计算辅助特征的位置来更新所述候选位置，以使得在求值点处，图像梯度的大小达到局部极值。在这个实施例的进一步的变化方案中，所述系统通过以下步骤来计算辅助特征的位置(a)使用一组图像梯度值构造一个插值多项式；和(b)使用该插值多项式计算辅助特征的位置。在这个实施例的一变化方案中，辅助特征可以是亚分辨率辅助特征或超级分辨率辅助特征。本专利技术的另一实施例提供了一种在布局中放置辅助特征的系统。在操作过程中，所述系统接收一个集成电路布局。然后，所述系统在该布局中选择一个求值点。所述系统然后使用在该求值点处的一个空间图像的图像强度梯度值，来识别相长干扰节点和相消干扰节点的位置，其中所述空间图像是使用一图像强度模型、上述布局，并且通过在该布局中的候选位置处放置代表性辅助特征来计算的。最后，所述系统基于相长干扰节点和相消干扰节点的位置，在该布局中放置辅助特征。在这个实施例的一个变化方案中，所述系统通过确定辅助特征的位置来识别相长干扰节点和相消干扰节点的位置，以使得在求值点的图像强度梯度值达到局部极值。在此实施例的又一个变化方案中，所述系统通过以下步骤来确定辅助特征的位置(a)在布局中选择扰动位置；(b)基于空间图像，计算在求值点处的图像强度梯度值，所述空间图像是使用一个图像强度模型、所述布局、且借助于在所述扰动位置处放置代表性的辅助特征来计算的；(c)使用在所述求值点的图像强度梯度值来构造一个插值多项式；和(d)使用该插值多项式计算辅助特征的位置。附图说明图1根据本专利技术的实施例示例说明了在设计和制造集成电路中的各种步骤。图2根据本专利技术的实施例示例说明了一部分集成电路布局的辅助特征放置方式。图3根据本专利技术的实施例示例说明了使用基于规则的方法的辅助特征放置方式。图4A根据本专利技术的实施例示例说明了空间图像中的干扰节点。图4B根据本专利技术的实施例示例说明了辅助特征如何提高光刻性能。图5根据本专利技术的实施例示例说明了与节距对应的一维特征的空间图像梯度值曲线。图6A根据本专利技术的实施例给出一流程图，示例说明了放置辅助特征的过程。图6B根据本专利技术的实施例示例说明了使用梯度值以迭代方式发现相长干扰节点和相消干扰节点的位置的过程。图7根据本专利技术的实施例示例给出了特征的放置点对时间的收敛曲线图。具体实施例方式集成电路设计和制造图1根据本专利技术的实施例示例说明了在设计和制造集成电路中的各种步骤。该过程始于一个产品概念(步骤100)。然后，使用集成电路实现该产品概念，该集成电路是使用电子设计自动化(EDA)软件设计的(步骤110)。一旦完成了电路设计，就对该电路设计进行初步芯片设计(taped-out)(步骤140)。在初步芯片设计之后，该过程经过制造(步骤150)、封装和组装(步骤160)。该过程最终以芯片的生产作为结束(步骤170)。EDA软件设计步骤110依次包括多个子步骤，也就是系统设计(步骤112)、逻辑设计和功能验证(步骤114)、合成和测试设计(步骤116)、设计规划(步骤118)、电路功能(netlist)验证(步骤120)、物理实现(步骤122)、分析和提取(步骤124)、物理验证(步骤126)、分辨率增强(步骤128)和掩模数据准备(步骤130)。辅助特征放置可在分辨率增强步骤128当中进行。例如，辅助特征放置能够在Synopsys，Inc.所推出的Proteus产品中实施。辅助特征辅助特征是一种强有力的分辨率增强技术(RET)，用于在半导体制造过程中改进工艺性能和隔离特征的等焦(isofocal)特性。尤其要指出的是，当亚分辨率辅助特征(SRAFs)应用于门结构和其他一维特征时，是特别有效的。为清楚起见，本专利技术是针对亚分辨率辅助特征来描述的。但是，对于本领域技术人员明显的是，本专利技术可容易地实施于其他类型的辅助特征，如超级分辨率辅助特征。在本说明书的其余部分，除非另行说明，术语“辅助特征”指的是亚分辨率辅助特征。图2根据本专利技术的实施例示例说明了一部分集成电路布局的辅助特征放置方式。线路202和204是集成电路布局的一部分。注意线路204包含复杂特征206。当布局包含复杂特征时，放置辅助特征就更具挑战性。例如，由于复杂特征206，可能需要放置两个交错的辅助特征(AF)208和210，而不只是一个辅助特征。具有多条有可变节距的线路的布局是复杂布局的另一个例子。目前用于放置辅助特征的方法所使用的是基于规则的方法，其中通过特征宽度和间距参数的组合，来规定辅助特征的放置方式。图3根据本专利技术的实施例示例说明了使用基于规则的方法的辅助特征的放置方式。线路302、304、306和308是集成电路布局的一部分。在基于规则的方法中，辅助特征(AF)308的放置方式可取决于各种各样的因素，这些因素被组织成规则表的形式。例如，AF距离320即可基于一个规则表来确定，该规则表包括各种因素，如临界尺寸(CD)310、间距312、长度314和间隙316。遗憾的是，对于大而复杂的布局来说，规则表可能变得异常大且不实用。此外，辅助特征放置规则的推导是个困难的过程，涉及在晶片和测试光罩(reticle)上的许多测量点。幸运的是，在光学邻近校正(OPC)模型中所使用的被采集数据也能够被用于放置AFs。在本专利技术的一个实施例中，增强了OPC模型，以按照焦点窗口(f本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在布局中放置辅助特征的方法，包括：　　　　接收一集成电路的布局；　　　　在该布局中选择一求值点；　　　　利用在所述求值点处的一空间图像的图像强度梯度值，来识别相长干扰节点和相消干扰节点的位置；其中所述空间图像是使用一图像强度模型、所述布局，并通过在所述布局中放置一个或多个代表性辅助特征来计算的；以及　　　　基于所述相长干扰节点和相消干扰节点的位置，在所述布局中放置辅助特征。

【技术特征摘要】
US 2005-1-3 11/028,9801.一种在布局中放置辅助特征的方法，包括接收一集成电路的布局；在该布局中选择一求值点；利用在所述求值点处的一空间图像的图像强度梯度值，来识别相长干扰节点和相消干扰节点的位置；其中所述空间图像是使用一图像强度模型、所述布局，并通过在所述布局中放置一个或多个代表性辅助特征来计算的；以及基于所述相长干扰节点和相消干扰节点的位置，在所述布局中放置辅助特征。2.根据权利要求1所述的方法，其中识别相长干扰节点和相消干扰节点的位置包含在所述布局中选择一候选位置，用于放置代表性辅助特征；以迭代方式执行以下步骤，来识别所述相长干扰节点和相消干扰节点的位置在所述候选位置的附近选择扰动位置，用于放置代表性辅助特征；使用一图像强度模型、所述布局，并通过在所述候选位置和扰动位置处放置代表性辅助特征，来计算空间图像；基于所述空间图像，计算所述求值点处的图像梯度值；且基于所述图像梯度值，更新所述候选位置。3.根据权利要求2所述的方法，其中在所述布局中选择所述候选位置包括在所述空间图像中，识别最接近于所述求值点的相长干扰节点的位置。4.根据权利要求2所述的方法，其中更新所述候选位置包括计算用于放置代表性辅助特征的位置，以使所述求值点处的图像梯度值达到局部极值。5.根据权利要求4所述的方法，其中计算用于放置代表性辅助特征的位置、以使所述求值点处的图像梯度值达到局部极值包括使用所述图像梯度值来构造一插值多项式；和使用该插值多项式来计算用于放置代表性辅助特征的所述位置。6.根据权利要求1所述的方法，其中识别相长干扰节点和相消干扰节点的位置包含确定代表性辅助特征的位置，以使所述求值点处的图像强度梯度值达到局部极值。7.根据权利要求6所述的方法，其中确定代表性辅助特征的位置包括在所述布局中选择扰动位置；基于空间图像，计算所述求值点处的图像强度梯度值；所述空间图像是使用一图像强度模型、所述布局，并通过在所述扰动位置处放置代表性辅助特征来计算的；使用所述图像强度梯度值来构造一插值多项式；和使用该插值多项式来计算所述代表性辅助特征的位置。8.根据权利要求1所述的方法，其中所述辅助特征可以是亚分辨率辅助特征或超级分辨率辅助特征。9.一种存储指令的计算机可读存储介质，当所述指令被计算机执行时，导致该计算机执行一种在布局中放置辅助特征的方法，所述方法包括接收一集成电路布局；在该布局中选择一求值点；利用在所述求值点处的一空间图像的图像强度梯度值，来识别相长干扰节点和相消干扰节点的位置；其中所述空间图像是使用图像强度模型、所述布局，并通过在所述布局中放置一个或多个代表性辅助特征来计算的；以及基于所述相长干扰节点和相消干扰节点的位置，在所述布局中放置辅助特征。10.根据权利要求9所述的计算机可读存储介质，其中识...

【专利技术属性】
技术研发人员：LS纳尔文三世，
申请(专利权)人：新思公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]