一种半导体晶圆的贴膜设备制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体晶圆的贴膜设备，其结构设有架台、防尘盖板、膜卷、运作台、控板，防尘盖板活动连接在架台的后侧顶部位置，膜卷嵌入安装在防尘盖板下方，运作台安装在架台上方，控板与架台为一体化结构且位于其前侧顶部位置，通过刀割柱始终在镂径中活动，侧周受抵体触压，附带的胶质物被抵截块拦截，对其有摩擦铲刮的效果，助撑接杆的伸缩弹性性质，辅助接触刀割柱而缓冲相互作用力，前抵端受力形变，令受挤囊内部气压变化，且在引径通透的结构下，使内腔内产生吸附力，可以将刀割柱侧周残有的絮状胶质物经由引径吸入，对刀割柱在作业中，及时进行附着物的清理。及时进行附着物的清理。及时进行附着物的清理。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体晶圆的贴膜设备


[0001]本专利技术属于晶圆涂膜领域，更具体地说，尤其是涉及到一种半导体晶圆的贴膜设备。

技术介绍

[0002]晶圆是制成半导体的硅晶片，晶圆的加工工艺中需要运用贴膜设备在片状面覆贴一层保护膜，便于晶圆在后续切割作业中为其起到保护作用，贴膜机为晶圆贴膜作业时，膜通常在传送中会被在其底端面上刷过一层胶水，而后覆贴于晶圆片上，完成晶圆的贴膜。
[0003]基于上述本专利技术人发现，现有的半导体晶圆的贴膜设备存在以下不足：
[0004]覆贴上胶膜后的晶圆呈堆叠多层放置，在对贴膜后的多层晶圆片进行统一胶膜边缘裁切时，由于裁断后胶水会从膜与晶圆的间隙部分溢出并粘附在切割刀外侧，随圆切刀进行位移，导致其外侧端有胶质结絮物，在后续边缘裁切作业时，影响晶圆圆弧边的裁断流畅度。
[0005]因此需要提出一种半导体晶圆的贴膜设备。

技术实现思路

[0006]针对现有技术存在的不足，本专利技术目的是提供一种半导体晶圆的贴膜设备，以解决现有技术的问题。
[0007]为了实现上述目的，本专利技术是通过如下的技术方案来实现：一种半导体晶圆的贴膜设备，其结构设有架台、防尘盖板、膜卷、运作台、控板，所述防尘盖板活动连接在架台的后侧顶部位置，所述膜卷嵌入安装在防尘盖板下方，所述运作台安装在架台上方，所述控板与架台为一体化结构且位于其前侧顶部位置。
[0008]所述运作台设有底台面、侧支柱、承载台、转体、顶合盖，所述侧支柱嵌固连接在底台面两侧，所述承载台位于顶合盖下方，所述转体与顶合盖为一体化结构且活动连接在其中间区段，所述转体活动于承载台上方。
[0009]作为本专利技术的进一步改进，所述转体设有外限圈、转卡块、带转盘、行轨、刀割柱，所述转卡块连接在外限圈内侧边缘端，所述转卡块与带转盘相连接且活动配合，所述行轨与带转盘为一体化结构，所述刀割柱活动卡合在行轨中，所述带转盘呈圆形板面结构，所述刀割柱可进行升降和卡合着行轨的位移活动。
[0010]作为本专利技术的进一步改进，所述行轨设有镂径、抵体、侧行腔，所述镂径与行轨为一体化且设在其中间位置，所述侧行腔位于镂径外侧，所述抵体嵌入连接在侧行腔内部，所述抵体前端活动于镂径侧边端，所述抵体设有两个，且关于镂径呈对称分布。
[0011]作为本专利技术的进一步改进，所述抵体设有衔接块、助撑接杆、抵截块、顶力簧，所述顶力簧连接在衔接块前端，所述助撑接杆前端与抵截块铰接连接且活动配合，所述顶力簧连接在衔接块与抵截块之间且活动配合，所述助撑接杆呈侧八结构。
[0012]作为本专利技术的进一步改进，所述助撑接杆设有实块、前抵端、受挤囊、引径、内腔，
所述实块与内腔为一体化结构且设在其后端，所述前抵端活动连接在内腔外侧，所述受挤囊位于前抵端内侧端，所述引径连接于前抵端内侧，所述内腔呈空心状态，所述前抵端呈弧瓣状，且受力可进行形变，所述引径为左右通透的腔径。
[0013]作为本专利技术的进一步改进，所述前抵端设有伸缩接架、连接簧、抨击球、形变腔，所述伸缩接架嵌入安装在形变腔内部中间端位置，所述连接簧穿接过伸缩接架，所述抨击球与连接簧相连接且活动配合，所述伸缩接架具有伸缩性，所述抨击球设有两个，所述抨击球自身具有重压力。
[0014]作为本专利技术的进一步改进，所述内腔设有后实板、韧撑块、弧导板、排口、滑块，所述韧撑块连接在弧导板后端，所述后实板与内腔为一体化结构，所述滑块连接在弧导板上下两端，所述排口与内腔为一体化结构且设在其前侧上下两端，所述弧导板呈弧状。
[0015]与现有技术相比，本专利技术具有如下有益效果：
[0016]1.通过刀割柱始终在镂径中活动，侧周受抵体触压，附带的胶质物被抵截块拦截，对其有摩擦铲刮的效果，助撑接杆的伸缩弹性性质，辅助接触刀割柱而缓冲相互作用力，前抵端受力形变，令受挤囊内部气压变化，且在引径通透的结构下，使内腔内产生吸附力，可以将刀割柱侧周残有的絮状胶质物经由引径吸入，对刀割柱在作业中，及时进行附着物的清理。
[0017]2.通过前抵端受力情况而改变内部空间大小，便于抨击球在形变腔中有不同的活动范围，不断对前抵端产生抨击力，使附着在前抵端外侧的物质被震落，由弧导板受气压作用，令滑块向滑移，使得排口被打开呈通口状态，在弧导板的弧状结构下，为被吸入的物质起到反向作用，使其在吹流力的作用下，向排口排出。
附图说明
[0018]图1为本专利技术一种半导体晶圆的贴膜设备的结构示意图。
[0019]图2为本专利技术一种运作台的内部剖视结构示意图。
[0020]图3为本专利技术一种转体的内部剖视结构示意图。
[0021]图4为本专利技术一种行轨的内部剖视结构示意图。
[0022]图5为本专利技术一种抵体的内部剖视结构示意图。
[0023]图6为本专利技术一种抵截块的内部剖视结构示意图。
[0024]图7为本专利技术一种前抵端的内部剖视结构示意图。
[0025]图8为本专利技术一种内腔的内部剖视结构示意图。
[0026]图中：架台－1、防尘盖板－2、膜卷－3、运作台－4、控板－5、底台面－41、侧支柱－42、承载台－43、转体－44、顶合盖－45、外限圈－441、转卡块－442、带转盘－443、行轨－444、刀割柱－445、镂径－a1、抵体－a2、侧行腔－a3、衔接块－a21、助撑接杆－a22、抵截块－a23、顶力簧－a24、实块－b1、前抵端－b2、受挤囊－b3、引径－b4、内腔－b5、伸缩接架－b21、连接簧－b22、抨击球－b23、形变腔－b24、后实板－b51、韧撑块－b52、弧导板－b53、排口－b54、滑块－b55。
具体实施方式
[0027]以下结合附图对本专利技术做进一步描述：
[0028]实施例1：
[0029]如附图1至附图6所示：
[0030]本专利技术提供一种半导体晶圆的贴膜设备，其结构设有架台1、防尘盖板2、膜卷3、运作台4、控板5，所述防尘盖板2活动连接在架台1的后侧顶部位置，所述膜卷3嵌入安装在防尘盖板2下方，所述运作台4安装在架台1上方，所述控板5与架台1为一体化结构且位于其前侧顶部位置。
[0031]所述运作台4设有底台面41、侧支柱42、承载台43、转体44、顶合盖45，所述侧支柱42嵌固连接在底台面41两侧，所述承载台43位于顶合盖45下方，所述转体44与顶合盖45为一体化结构且活动连接在其中间区段，所述转体44活动于承载台43上方。
[0032]其中，所述转体44设有外限圈441、转卡块442、带转盘443、行轨444、刀割柱445，所述转卡块442连接在外限圈441内侧边缘端，所述转卡块442与带转盘443相连接且活动配合，所述行轨444与带转盘443为一体化结构，所述刀割柱445活动卡合在行轨444中，所述带转盘443呈圆形板面结构，所述刀割柱445可进行升降和卡合着行轨444的位移活动，所述行轨444随带转盘443的转动而使刀割柱445进行裁切。
[0033]其中，所述行轨4本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体晶圆的贴膜设备，其结构设有架台(1)、防尘盖板(2)、膜卷(3)、运作台(4)、控板(5)，所述防尘盖板(2)活动连接在架台(1)的后侧顶部位置，所述膜卷(3)嵌入安装在防尘盖板(2)下方，所述运作台(4)安装在架台(1)上方，所述控板(5)与架台(1)为一体化结构且位于其前侧顶部位置，其特征在于：所述运作台(4)设有底台面(41)、侧支柱(42)、承载台(43)、转体(44)、顶合盖(45)，所述侧支柱(42)嵌固连接在底台面(41)两侧，所述承载台(43)位于顶合盖(45)下方，所述转体(44)与顶合盖(45)为一体化结构且活动连接在其中间区段，所述转体(44)活动于承载台(43)上方。2.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆的贴膜设备，其特征在于：所述转体(44)设有外限圈(441)、转卡块(442)、带转盘(443)、行轨(444)、刀割柱(445)，所述转卡块(442)连接在外限圈(441)内侧边缘端，所述转卡块(442)与带转盘(443)相连接且活动配合，所述行轨(444)与带转盘(443)为一体化结构，所述刀割柱(445)活动卡合在行轨(444)中。3.根据权利要求3所述的一种半导体晶圆的贴膜设备，其特征在于：所述行轨(444)设有镂径(a1)、抵体(a2)、侧行腔(a3)，所述镂径(a1)与行轨(444)为一体化且设在其中间位置，所述侧行腔(a3)位于镂径(a1)外侧，所述抵体(a2)嵌入连接在侧行腔(a3)内部，所述抵体(a2)前端活动于镂径(a1)侧边端。4.根据权利要求3所述的一种半导体晶圆的贴膜设备，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄嘉华，
申请(专利权)人：黄嘉华，
类型：发明
国别省市：