【技术实现步骤摘要】
一种高迁移率TFT器件用靶材的使用方法
[0001]本专利技术属于功能薄膜材料及器件
，具体涉及一种高迁移率TFT器件用靶材的使用方法。
技术介绍
[0002]非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管(IGZO
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TFT)以其高迁移率、低功耗、触屏敏感度高等优点，被视为最有希望用于下一代显示器的器件。然而，镓组分的存在极大地限制了IGZO
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TFT迁移率的提高。随后提出了一种新的镨掺杂剂作为非晶态氧化铟锌半导体的稳定剂，使其具有高的迁移率和稳定性。
[0003]采用直流磁控溅射工艺制备镨掺杂非晶铟镓锌氧化物薄膜时，发现随着靶材使用时间的增加，沟道深度会不断加深。而随着沟道深度的增加，薄膜的厚度会不断变薄(如图1～2所示)，导致同一批次的薄膜生产中难以获得组分均一和厚度相同的产品，产品的厚度差异大，靶材的利用率低。厚度作为薄膜性质的重要参数，其数值对于薄膜性质和TFT器件都有着较大的影响。镨掺杂非晶铟镓锌氧化物薄膜作为TFT器件的有源层；有源层的厚度过薄，会导致载流子输运特性容易受到有源层背...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高迁移率TFT器件用靶材的使用方法，其特征在于，步骤包括：步骤1：安装靶材；步骤2：清洗衬底；步骤3：通过直流磁控溅射在衬底上生长薄膜；步骤4：靶材使用中，监测靶材的沟道深度，沟道深度每增加0.1mm，则溅射功率增加0.02
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0.15W/cm2。2.根据权利要求1所述的使用方法，其特征在于，所述薄膜为镨掺杂非晶铟镓锌氧化物薄膜。3.根据权利要求1所述的使用方法，其特征在于，所述靶材为镨掺杂铟镓锌氧化物靶材，其密度≥6.64g/cm3。4.根据权利要求1所述的使用方法，其特征在于，所述衬底为无碱超薄玻璃，其碱元素含量≤0.05wt％，室温热膨胀系数≤35.5
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10
‑7/K，厚度为0.2
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【专利技术属性】
技术研发人员：汤惠淋，宋世金，朱刘，邵学亮，
申请(专利权)人：先导薄膜材料广东有限公司，
类型：发明
国别省市：
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