温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提出一种高迁移率TFT器件用靶材的使用方法，包括：安装靶材；清洗衬底；通过直流磁控溅射在衬底上生长薄膜；靶材使用中，监测靶材的沟道深度，沟道深度每增加0.1mm，则溅射功率增加0.02
...
该专利属于先导薄膜材料（广东）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过先导薄膜材料（广东）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。