一步磁控溅射沉积无机/有机交替混合结构超高阻隔膜的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种一步磁控溅射沉积无机/有机交替混合结构超高阻隔膜的制备方法。尤其是在可弯曲的柔性基体上用无机物旋转靶材和有机物旋转靶材通过R2R一步法制备的超高阻隔膜，通过控制旋转靶材的配比和R2R工艺，制备了具有高阻水性能的柔性透明超高阻隔膜。WVTR：10

【技术实现步骤摘要】
一步磁控溅射沉积无机/有机交替混合结构超高阻隔膜的制备方法


[0001]本专利技术涉及一种超高阻隔膜的制备方法，具体涉及一种一步磁控溅射沉积无机/有机交替混合结构超高阻隔膜的制备方法。

技术介绍

[0002]研究表明空气中水、氧和其它有害物质对OLED、QLED和薄膜太阳能电池等柔性电子器件的寿命影响很大，对柔性电子器件进行有效封装可以大大延长器件寿命。用于电子封装的高阻隔薄膜对透水蒸气率(WVTR)和透氧率(OTR)值要求更低，这种薄膜封装所用材料除了满足极低的气透率，还要求具有高透光性、稳定性，与封装器件有一致的膨胀系数等特点。传统刚性显示器件用特制玻璃进行封装即可满足要求，而柔性电子器件需要使用柔性透明高阻隔电子薄膜进行封装，以保证电子性能和使用寿命。无机薄膜通常比有机薄膜表现出更高的抗水渗透能力且无机单层薄膜制备工艺简单，成本低，相对于有机薄膜性能稳定受环境影响小使用寿命长，常常用于电子封装，不过在沉积过程中会产生多种缺陷，加上薄膜应力容易导致裂纹，受临界厚度制约。有机膜层的引入可以平滑无机层表面，弥补无机层缺陷，阻断无机薄膜缺陷通道，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种一步磁控溅射沉积无机/有机交替混合结构超高阻隔膜的制备方法，其特征在于：在可弯曲的柔性原料卷上用无机物旋转靶材和有机物旋转靶材通过R2R一步法制备超高阻隔膜，通过控制旋转靶材的配比和R2R工艺，制备具有高阻水性能的柔性透明超高阻隔膜。2.根据权利要求1所述的一步磁控溅射沉积无机/有机交替混合结构超高阻隔膜的制备方法，其特征在于：无机物旋转靶材为氧化铝、氧化硅、氧化钛、氮化硅或氮氧化铝中的一种或一种以上；有机物旋转靶材为聚四氟乙烯、碳纳米管掺杂聚四氟乙烯、石墨烯掺杂聚四氟乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯或聚酰亚胺中的一种或一种以上；柔性原料卷为PET、PI、PES、PDMS或柔性玻璃中的一种或一种以上；步骤如下：步骤1.可弯曲柔性原料卷通过开卷系统向R2R系统输送基板；步骤2.基板在R2R系统的真空室加热到55～75℃除去表面湿气；然后通过驱动装置进入等离子轰击室，350～450w的功率暴露于Ar/O2等离子体中，来改善薄膜之间的附着力；步骤3.在R2R薄膜沉积系统腔室1，射频功率10
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15KW,Ar流量200
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400SCCM，N2流量0
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250SCCM，工作压力10mTorr；用无机物旋转靶材在柔性基板上沉积厚度50纳米的无机薄膜1；步骤4.在R2R薄膜沉积系统腔室2，射频功率1
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2K...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐从康，周曼曼，郑晓宁，王洪祥，
申请(专利权)人：汕头大学，
类型：发明
国别省市：