应用于管式PECVD沉积设备的生产工艺制造技术

本发明专利技术提供了一种应用于管式PECVD沉积设备的生产工艺，包括：通过翻转驱动装置驱动管式沉积腔体内的载具进行翻转运动，通过沉积控制装置使基板的两个待镀表面均形成介质膜，以及通过设置于管式清洗腔体的清洗控制装置对进入所述管式清洗腔体的载具进行气相清洗处理。本发明专利技术通过所述翻转运动使得所述载具无需多次进出所述管式沉积腔体内部就能够实现双面镀，提高了生产效率；通过设置于所述管式清洗腔体的清洗控制装置对进入所述管式清洗腔体的载具进行所述气相清洗处理，无需拆装所述载具，从而进一步提高了生产效率。从而进一步提高了生产效率。从而进一步提高了生产效率。

【技术实现步骤摘要】
应用于管式PECVD沉积设备的生产工艺


[0001]本专利技术涉及晶硅太阳能电池制造
，尤其涉及应用于管式PECVD沉积设备的生产工艺。

技术介绍

[0002]太阳能电池制造工艺中，利用等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)法在晶硅表面形成减反射膜，能够通过减少光线的反射率来提高光能利用率，同时减反射膜还能够起到钝化效果并为电池提供长期的保护，从而有利于光电转化效率的提升。因此，高质量的氮化硅薄膜对提高晶硅太阳能电池的性能和质量都起到了至关重要的作用。
[0003]现有技术中通常将能够放置几十甚至上百硅片的石墨舟送入石英管中，通过在石英管内激发等离子体进行PECVD沉积。由于石墨舟绝大部分表面也暴露在反应环境中，减反射膜沉积不仅在硅片表面进行，也在石墨舟的暴露表面进行，石墨舟表面的沉积层容易对硅片表面造成污染。因此，需要定期对石墨舟进行维护。
[0004]现有技术中通常采用化学法对PECVD工艺的相关器件进行清洗维护。例如公开号为CN105742159A的中国专利申请公开了通过混酸和纯水清除光伏相关器件，例如石墨舟和石英管表面污染的方法。然而这种清洗方法属于离线清洗，需要将石英管或石墨舟浸泡于酸液或水中，涉及到远程运输、石英管的拆装过程和繁杂的清洗工艺，不利于生产效率的提高。
[0005]因此，有必要开发一种新型的应用于管式PECVD沉积设备的生产工艺以解决现有技术存在的上述问题。

技术实现思路
<br/>[0006]本专利技术的目的在于提供一种应用于管式PECVD沉积设备的生产工艺，以对载具进行在线清洗，并有利于提高生产效率。
[0007]为实现上述目的，本专利技术的所述管式PECVD沉积设备包括传输装置和设置有沉积控制装置的管式沉积腔体，所述生产工艺包括：
[0008]S1：在所述管式沉积腔体内通过所述沉积控制装置对装载有基板的载具进行沉积处理以形成镀膜基板；
[0009]S2：通过所述传输装置将装载有所述镀膜基板的载具运出所述管式沉积腔体后卸载所述镀膜基板，从而得到待清洗载具；
[0010]其中，所述管式沉积腔体还设置有翻转驱动装置，所述管式PECVD设备还包括设置有清洗控制装置的管式清洗腔体；
[0011]所述步骤S1中，通过所述翻转驱动装置驱动所述载具进行翻转运动以使所述基板相对的两个待镀表面分别处于待镀状态后通过所述沉积处理在处于所述待镀状态的待镀表面形成介质膜，所述介质膜由减反射膜和钝化膜中的至少一种组成；
[0012]所述生产工艺还包括步骤S3，所述步骤S3包括：通过所述传输装置将所述待清洗载具输送至所述管式清洗腔体后，通过所述清洗控制装置对所述待清洗载具进行气相清洗处理。
[0013]本专利技术的应用于管式PECVD沉积设备的生产工艺的有益效果在于：通过所述翻转驱动装置驱动所述载具进行翻转运动以使所述基板的两个相对的待镀表面的任意一个处于待镀状态，使得所述载具无需多次进出所述管式沉积腔体内部就能结合所述沉积控制装置的控制使所述基板的两个待镀表面分别形成介质膜，简化了工艺流程，提高了生产效率；通过所述清洗控制装置在所述管式清洗腔体内对所述待清洗载具进行气相清洗处理，无需拆装所述待清洗载具，从而进一步提高了生产效率。
[0014]优选的，所述气相清洗处理包括化学气相清洗处理和等离子体化学气相清洗处理的任意一种。
[0015]进一步优选的，通过所述清洗控制装置控制进行所述化学气相清洗处理的所述管式清洗腔体内的温度为200
‑
600摄氏度，压力为0.1
‑
67千帕，使用的清洗气体的流量为2
‑
50标准升/分钟。其有益效果在于：无需拆装所述待清洗载具，从而进一步提高了生产效率并保证了清洗效果。
[0016]进一步优选的，所述管式清洗腔体还设置有等离子体发生装置，通过所述清洗控制装置控制所述管式清洗腔体内的温度为300
‑
600摄氏度，压力为0.1
‑
0.6千帕，使用的清洗气体的流量为2
‑
50标准升/分钟，通过所述等离子体发生装置控制射频功率为10
‑
40千瓦，以进行所述等离子体化学气相清洗处理。其有益效果在于：无需拆装所述待清洗载具，从而进一步提高了生产效率并保证了清洗效果。
[0017]优选的，进行所述化学气相清洗使用的清洗气体为HF、F2、Cl2和ClF3中的至少一种，进行所述等离子体化学气相清洗处理使用的清洗气体为NF3、SF6、CF4、CHF3和C2F6中的至少一种。
[0018]进一步优选的，进行所述化学气相清洗使用的清洗气体和进行所述等离子体化学气相清洗处理使用的清洗气体中的至少一种还包含氮气、氩气和氧气中的至少一种。
[0019]优选的，通过所述管式清洗腔体进行所述化学气相清洗处理和所述沉积处理中的任意一种。
[0020]进一步优选的，所述管式清洗腔体还设置有所述翻转驱动装置，通过所述翻转驱动装置驱动所述载具进行所述翻转运动。
[0021]进一步优选的，所述管式清洗腔体的数目与所述管式沉积腔体的数目比例为1：1
‑
1：11。
[0022]优选的，所述基板为N型硅片或P型硅片中的任意一种，通过对原始硅片进行制绒工艺、扩散工艺、绝缘抛光工艺、热氧化工艺和背钝化工艺中的任意一种或多种，以形成所述基板。
[0023]优选的，所述介质膜的厚度小于200纳米。
[0024]进一步优选的，所述待镀基板的一个待镀表面形成减反射膜，另一个待镀表面形成钝化膜和所述减反射膜，所述减反射膜由至少一层减反射层构成，所述钝化膜由至少一层钝化层构成。
[0025]进一步优选的，所述减反射层的组成材料为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或碳化硅中
的任意一种，所述钝化层的组成材料为氧化铝。
[0026]进一步优选的，所述减反射膜或所述钝化膜为渐进膜。
附图说明
[0027]图1为本专利技术实施例的应用于管式PECVD沉积设备的生产工艺流程图；
[0028]图2为本专利技术实施例的管式PECVD沉积设备的结构示意图；
[0029]图3为图2所示的管式清洗腔体的一种结构示意图；
[0030]图4为图2所示的管式清洗腔体的另一种结构示意图；
[0031]图5为图2所示的管式沉积腔体与载具的工作状态示意图；
[0032]图6为本专利技术一些实施例的若干基板在图2所示的载具中的工作状态示意图；
[0033]图7为图6所示的基板在基片承载部中的工作状态示意图。
具体实施方式
[0034]为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种应用于管式PECVD沉积设备的生产工艺，所述管式PECVD沉积设备包括传输装置和设置有沉积控制装置的管式沉积腔体，所述生产工艺包括：S1：在所述管式沉积腔体内通过所述沉积控制装置对装载有基板的载具进行沉积处理以形成镀膜基板；S2：通过所述传输装置将装载有所述镀膜基板的载具运出所述管式沉积腔体后卸载所述镀膜基板，从而得到待清洗载具；其特征在于，所述管式沉积腔体还设置有翻转驱动装置，所述管式PECVD设备还包括设置有清洗控制装置的管式清洗腔体；所述步骤S1中，通过所述翻转驱动装置驱动所述载具进行翻转运动以使所述基板相对的两个待镀表面分别处于待镀状态后通过所述沉积处理在处于所述待镀状态的待镀表面形成介质膜，所述介质膜由减反射膜和钝化膜中的至少一种组成；所述生产工艺还包括步骤S3，所述步骤S3包括：通过所述传输装置将所述待清洗载具输送至所述管式清洗腔体后，通过所述清洗控制装置对所述待清洗载具进行气相清洗处理。2.根据权利要求1所述的生产工艺，其特征在于，所述气相清洗处理包括化学气相清洗处理和等离子体化学气相清洗处理的任意一种。3.根据权利要求2所述的生产工艺，其特征在于，通过所述清洗控制装置控制进行所述化学气相清洗处理的所述管式清洗腔体内的温度为200
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600摄氏度，压力为0.1
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67千帕，使用的清洗气体的流量为2
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50标准升/分钟。4.根据权利要求2所述的生产工艺，其特征在于，所述管式清洗腔体还设置有等离子体发生装置，通过所述清洗控制装置控制所述管式清洗腔体内的温度为300
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600摄氏度，压力为0.1
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0.6千帕，使用的清洗气体的流量为2
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50标准升/分钟，通过所述等离子体发生装置控制射频功率为10
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【专利技术属性】
技术研发人员：戴虹，黄志强，王祥，袁刚，汤亮才，彭海，
申请(专利权)人：理想晶延半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：