半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体器件的制造方法，包括：提供一半导体晶圆，所述半导体晶圆上依次形成有第一导电层、介质层，所述介质层内形成有暴露所述第一导电层的接触孔；在所述接触孔内依次形成Ti层和第一TiN层，形成所述Ti层和第一TiN层的工艺在同一工艺腔内进行；在所述第一TiN层上形成第二TiN层。通过在所述接触孔内形成Ti层后，在形成所述Ti层的工艺腔内通入N2，在所述Ti层上经高温氮化工艺形成第一TiN层，防止半导体晶圆从形成Ti层的工艺腔到达下个一工艺腔的过程中在Ti层上面形成高电阻率的TiO2夹层，从而能够解决半导体器件的金属互联失效的问题。属互联失效的问题。属互联失效的问题。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体集成电路
，特别涉及一种半导体器件及其制造方法。

技术介绍

[0002]20世纪60年代以来，随着半导体工业的迅速崛起，溅射技术获得广泛应用，这种技术在集成电路生产工艺中，用于沉积集成电路中晶体管的金属电极层。Ti/TiN复合膜由于具有优质的电学和力学性能，经常作为集成电路的通孔工艺中的阻挡层使用。作为低电阻率的粘附和阻挡层，在低电阻率的同时具有优良的防氧化能力，防止下层薄膜被氧化在金属互联中起到重要的作用。
[0003]一般来说，沉积Ti层使用物理气相沉积(Physical Vapour Deposition，PVD)工艺，沉积TiN使用金属有机化合物化学气相沉积(Metal
‑
organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD)工艺，分别在同一台设备的不同腔体中完成。
[0004]在实际情况中，由于真空度的问题，经常发生Ti薄膜淀积完成后，表面由于各种各样的原因被氧化，导致Ti和TiN中间形成了一层高电阻率TiO2夹层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供一半导体晶圆，所述半导体晶圆上依次形成有第一导电层、介质层，所述介质层内形成有暴露所述第一导电层的接触孔；在所述接触孔内依次形成Ti层和第一TiN层，形成所述Ti层和第一TiN层的工艺在同一工艺腔内进行；在所述第一TiN层上形成第二TiN层。2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述接触孔内形成Ti层后，在同一工艺腔内通入N2以执行高温氮化工艺，从而在所述Ti层上形成所述第一TiN层。3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述N2的气体流量为30sccm
‑
800sccm。4.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，形成所述第一TiN层的工艺温度为100℃
‑
400℃。5.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一TiN层的厚度为3埃...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙洪福，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
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