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本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括：提供一半导体晶圆，所述半导体晶圆上依次形成有第一导电层、介质层，所述介质层内形成有暴露所述第一导电层的接触孔；在所述接触孔内依次形成Ti层和第一TiN层，形成所述Ti层和第一TiN层的工艺在同一工...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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