一种低压供电使能控制电路、使能模块及低压控制芯片制造技术

本发明专利技术提供了一种低压供电使能控制电路、使能模块及低压控制芯片。一种低压供电使能控制电路，包括：第一分电路，所述第一分电路连接于EN信号输入端；第二分电路；自偏置电路，所述自偏置电路连接于所述第一分电路和所述第二分电路之间；输出电路，所述输出电路连接于所述第二分电路。本发明专利技术结构设计巧妙，实现了升降压控制芯片在VIN低电压供电下的使能控制。降压控制芯片在VIN低电压供电下的使能控制。降压控制芯片在VIN低电压供电下的使能控制。

【技术实现步骤摘要】
一种低压供电使能控制电路、使能模块及低压控制芯片


[0001]本专利技术涉及同步升降压控制芯片领域，更具体的说是，涉及一种低压供电使能控制电路、使能模块及低压控制芯片。

技术介绍

[0002]现有市场上，升降压控制芯片的使能技术在VIN电压较低的情况下，升降压控制芯片可能由于工艺角和温度而无法正常启动，从而影响芯片使用效果。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是提供一种低压供电使能控制电路、使能模块及低压控制芯片。
[0004]本专利技术要解决的是现有升降压控制芯片在低电压供电状态下的问题。
[0005]与现有技术相比，本专利技术技术方案及其有益效果如下：
[0006]一种低压供电使能控制电路，包括：第一分电路，所述第一分电路连接于EN信号输入端；第二分电路；自偏置电路，所述自偏置电路连接于所述第一分电路和所述第二分电路之间；输出电路，所述输出电路连接于所述第二分电路。
[0007]作为进一步改进的，所述第一分电路包括：第一MOS管，所述第一MOS管的栅极连接于EN信号输入端；第二MOS管，所述第二MOS管的漏极连接于所述第一MOS管的漏极，所述第二MOS管的栅极连接于所述第二MOS管的漏极，所述第二MOS管的源极连接于电压输入端；第三MOS管，所述第三MOS管的栅极连接于所述第二MOS管的栅极，所述第三MOS管的源极连接于所述电压输入端；第三二极管，所述第三二极管的正极连接于所述第三MOS管的漏极；第四二极管，所述第四二极管的正极连接于所述第三二极管的负极，所述第四二极管的负极接地。
[0008]作为进一步改进的，所述第一分电路还包括：第一电阻，所述第一电阻的一端连接于所述第一MOS管的源极，所述第一电阻的另一端接地。
[0009]作为进一步改进的，所述第二分电路包括：第八MOS管，所述第八MOS管的源极接地；第九MOS管，所述第九MOS管的源极连接于所述第八MOS管的漏极，所述第九MOS管的栅极连接于所述第一MOS管的栅极；第十MOS管，所述第十MOS管的源极连接于所述第九MOS管的漏极，所述第十MOS管的栅极连接于所述第三MOS管的漏极；第十一MOS管，所述第十一MOS管的源极连接于所述电压输入端，所述第十一MOS管的栅极连接于所述第十一MOS管的漏极，所述第十一MOS管的漏极连接于所述第十MOS管的漏极；第十二MOS管，所述第十二MOS管的栅极连接于所述第十一MOS管的栅极，所述第十二MOS管的源极连接于所述电压输入端；第十三MOS管，所述第十三MOS管的源极接地，所述第十三MOS管的栅极连接于所述第十三MOS管的漏极；第十四MOS管，所述第十四MOS管的漏极连接于所述第十三MOS管的漏极，所述第十四MOS管的源极连接于所述第十MOS管的栅极。
[0010]作为进一步改进的，所述自偏置电路包括：第四MOS管，所述第四MOS管的源极接地，所述第四MOS管的栅极连接于所述第四MOS管的漏极，所述第四MOS管的栅极连接于所述
第八MOS管的栅极；第五MOS管，所述第五MOS管的漏极连接于所述第四MOS管的漏极，所述第五MOS管的源极连接于所述第三MOS管的漏极；第二电阻，所述第二电阻的一端接地；第六MOS管，所述第六MOS管的源极连接于所述第二电阻的另一端，所述第六MOS管的栅极连接于所述第四MOS管的栅极；第七MOS管，所述第七MOS管的漏极连接于所述第六MOS管的漏极，所述第七MOS管的栅极连接于所述第七MOS管的漏极，所述第七MOS管的栅极连接于所述第五MOS管的栅极，所述第七MOS管的源极连接于所述第五MOS管的源极，所述第七MOS管的栅极连接于所述第十四MOS管的栅极。
[0011]作为进一步改进的，所述输出电路包括：第十五MOS管，所述第十五MOS管的源极接地，所述第十五MOS管的漏极连接于第十三MOS管的漏极；第十六MOS管，所述第十六MOS管的漏极连接于所述第十五MOS管的漏极，所述第十六MOS管的栅极连接于所述第十五MOS管的栅极；第十七MOS管，所述第十七MOS管的源极连接于所述第十六MOS管的源极，所述第十七MOS管的栅极连接于所述第十六MOS管的栅极。
[0012]作为进一步改进的，还包括第三分电路，所述第三分电路包括：第三电阻，所述第三电阻的一端连接于所述EN信号输入端，所述第三电阻的另一端连接于所述第一MOS管的栅极；第二二极管，所述第二二极管的正极连接于所述第三电阻的另一端；第一二极管，所述第一二极管的正极连接于所述第二二极管的负极，所述第一二极管的负极接地。
[0013]作为进一步改进的，所述第一MOS管、所述第四MOS管、所述第六MOS管、所述第八MOS管、所述第九MOS管、所述第十MOS管、所述第十三MOS管、所述第十五MOS管、所述第十七MOS管均为NMOS管；所述第二MOS管、所述第三MOS管、所述第五MOS管、所述第七MOS管、所述第十一MOS管、所述第十二MOS管、所述第十四MOS管、所述第十六MOS管均为PMOS管。
[0014]一种使能模块，包括所述的一种低压供电使能控制电路，还包括：偏置电流输出端，所述偏置电流输出端连接于所述第十二MOS管的漏极；BG_OK信号端，所述BG_OK信号端连接于所述第十七MOS管的栅极；BG电压端，所述BG电压端连接于所述第十七MOS管的漏极；参考电压输出端，所述参考电压输出端连接于所述第十七MOS管的源极。
[0015]一种低压控制芯片，包括所述的一种使能模块，还包括：低压差线性稳压器，所述低压差线性稳压器的第一输入端连接于所述电压输入端，所述低压差线性稳压器的第二输入端连接于所述偏置电流输出端，所述低压差线性稳压器的第三输入端连接于所述参考电压输出端；带隙电压基准模块，所述带隙电压基准模块的输入端连接于所述低压差线性稳压器的输出端，所述带隙电压基准模块的输出端连接于所述参考电压输出端；其他模块，所述其他模块的输入端连接于所述带隙电压基准模块的输出端。
[0016]本专利技术的有益效果为：使能模块的低压使能控制电路采用第一分电路、第二分电路、自偏置电路、输出电路和第三分电路之间的组合，通过EN信号驱动使能模块开始工作，并且使能模块给低压差线性稳压器提供偏置电流和初步的参考电压，让低压差线性稳压器能工作起来并给带隙电压基准模块提供VDD工作电压；带隙电压基准模块工作正常以后产生一个精准的参考电压，并且替换使能模块的初步参考电压；本专利技术结构设计巧妙，实现了升降压控制芯片在VIN低电压供电下的使能控制。
附图说明
[0017]图1是本专利技术实施例提供的一种低压供电使能控制电路的示意图。
[0018]图2是本专利技术实施例提供的一种低压控制芯片的模块连接图。
[0019]图中：1.第一分电路
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2.第二分电路
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3.自偏置电路
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4.输出电路
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5.第三分电路
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低压供电使能控制电路，其特征在于，包括：第一分电路，所述第一分电路连接于EN信号输入端；第二分电路；自偏置电路，所述自偏置电路连接于所述第一分电路和所述第二分电路之间；输出电路，所述输出电路连接于所述第二分电路。2.根据权利要求1所述的一种低压供电使能控制电路，其特征在于，所述第一分电路包括：第一MOS管，所述第一MOS管的栅极连接于EN信号输入端；第二MOS管，所述第二MOS管的漏极连接于所述第一MOS管的漏极，所述第二MOS管的栅极连接于所述第二MOS管的漏极，所述第二MOS管的源极连接于电压输入端；第三MOS管，所述第三MOS管的栅极连接于所述第二MOS管的栅极，所述第三MOS管的源极连接于所述电压输入端；第三二极管，所述第三二极管的正极连接于所述第三MOS管的漏极；第四二极管，所述第四二极管的正极连接于所述第三二极管的负极，所述第四二极管的负极接地。3.根据权利要求2所述的一种低压供电使能控制电路，其特征在于，所述第一分电路还包括：第一电阻，所述第一电阻的一端连接于所述第一MOS管的源极，所述第一电阻的另一端接地。4.根据权利要求2所述的一种低压供电使能控制电路，其特征在于，所述第二分电路包括：第八MOS管，所述第八MOS管的源极接地；第九MOS管，所述第九MOS管的源极连接于所述第八MOS管的漏极，所述第九MOS管的栅极连接于所述第一MOS管的栅极；第十MOS管，所述第十MOS管的源极连接于所述第九MOS管的漏极，所述第十MOS管的栅极连接于所述第三MOS管的漏极；第十一MOS管，所述第十一MOS管的源极连接于所述电压输入端，所述第十一MOS管的栅极连接于所述第十一MOS管的漏极，所述第十一MOS管的漏极连接于所述第十MOS管的漏极；第十二MOS管，所述第十二MOS管的栅极连接于所述第十一MOS管的栅极，所述第十二MOS管的源极连接于所述电压输入端；第十三MOS管，所述第十三MOS管的源极接地，所述第十三MOS管的栅极连接于所述第十三MOS管的漏极；第十四MOS管，所述第十四MOS管的漏极连接于所述第十三MOS管的漏极，所述第十四MOS管的源极连接于所述第十MOS管的栅极。5.根据权利要求4所述的一种低压供电使能控制电路，其特征在于，所述自偏置电路包括：第四MOS管，所述第四MOS管的源极接地，所述第四MOS管的栅极连接于所述第四MOS管的漏极，所述第四MOS管的栅极连接于所述第八MOS管的栅极；第五MOS管，所述第五MOS管的漏极连接于所述第四MOS管的漏极，所述第五MOS管的源
极连接于所述第三MOS管的漏极；第二电阻，所述第二电阻的一端接地；第六MOS管，所述第六MOS管的源极连接于所述第二电阻的另一端，所述第六MOS管的栅极连接于所述第四MOS管的栅极...

【专利技术属性】
技术研发人员：倪宇驰，李垚，苏新河，方兵洲，鲜宗钰，
申请(专利权)人：英麦科厦门微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：