一种用于封装MRAM存储器的立体封装结构和MRAM存储器制造技术

本实用新型专利技术提供了一种用于封装MRAM存储器的立体封装结构和MRAM存储器。立体封装结构包括：从下至上垂直叠装的基板、引脚框架和多个基片；引脚框架设有用于对外连接的引脚；基板、引脚框架和多个基片经灌胶、切割后在周边露出电气连接引脚；基板、引脚框架和多个基片经电镀后外表面设有模块外壳，模块外壳表面上设有金属连接线和金属面。MRAM存储器包括上述立体封装结构；基片为MRAM芯片；电气连接引脚包括所述MRAM芯片的关键信号引脚和地信号引脚；关键信号引脚通过立体封装结构中的金属连接线互连。本实用新型专利技术的立体封装MRAM存储器具备抗振动冲击能力，抗重离子单粒子效应能力强，高集成、高可靠的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种用于封装MRAM存储器的立体封装结构和MRAM存储器
本技术涉及封装存储设备
，尤其涉及一种用于封装MRAM存储器的立体封装结构和MRAM存储器。
技术介绍
近些年来随着微电子技术、IC器件尺寸不断缩小和计算机运算速度的不断提高，封装技术已成为极为关键的技术。封装形式的优劣已影响到IC器件的频率、功耗、复杂性、可靠性和单位成本。集成电路封装的发展从DIP、SOP、QFP、MLF、MCM、BGA到CSP、SIP。目前封装的热点技术为高功率发光器件封装技术、低成本高效率图像芯片封装技术、芯片凸点和倒装技术、高可靠低成本封装技术、BGA基板封装技术、MCM多芯片组件封装技术、四边无引脚封装技术、CSP封装技术、SIP封装技术等。所谓SIP立体封装是一项近几年来新兴的一种集成电路封装技术，突破了传统的平面封装的概念；它是在三维立体空间内实现单个封装体内堆叠多个芯片(已封装芯片或裸片)的封装技术。SIP立体封装芯片由于其集成度高，抗振动冲击，抗辐射，功耗低等特点，在未来的航空、航天电子领域中将得到越来越广泛的应用。目前大部分集成电路均采用平面贴装形式，即在同一个平面内集成单个芯片。当一些器件高度超过10mm时，该芯片在振动、机械冲击试验中管脚容易损伤，抗冲击能力差，严重时造成芯片跌落。在辐照试验中普通芯片由于受工艺水平的限制，一般器件抗辐射能力较差，只有经过抗辐射加固的芯片，在抗辐射试验中才能满足相应标准。特别在航空、航天应用领域，发射的卫星、探测器都是经过运载火箭搭载进入太空，且太空中电离辐射环境复杂，这就要求芯片必须具备抗振动冲击能力，抗电离辐射能力等。
技术实现思路
本技术的目的在于至少解决现有技术中存在的技术问题之一，本技术提供一种用于封装MRAM存储器的立体封装结构MRAM存储器，能够使芯片具备抗振动冲击能力，抗电离辐射能力。根据本技术的第一方面，提供一种用于封装MRAM存储器的立体封装结构，包括：从下至上垂直叠装的基板、引脚框架和多个基片；所述引脚框架设有用于对外连接的引脚；所述基板、引脚框架和多个基片经灌胶、切割后在周边露出电气连接引脚；所述基板、引脚框架和多个基片经电镀后外表面设有模块外壳，所述模块外壳表面上设有金属连接线和金属面。优选地，所述基板与引脚框架为一体成型结构。优选地，所述模块外壳是一层镍合金材料，所述镍合金材料由30％的镍、25％的铜和45％的金组成。优选地，所述立体封装结构是一个密封的SOP封装模块。优选地，所述基板、引脚框架和多个基片经灌胶后外表面为一层环氧树脂。根据本技术的第二方面，提供一种MRAM存储器，包括：上述的立体封装结构；所述立体封装结构中的基片为MRAM芯片；所述立体封装结构中的电气连接引脚包括所述MRAM芯片的关键信号引脚和地信号引脚；所述关键信号引脚通过所述立体封装结构中的金属连接线互连。优选地，所述地信号引脚与所述立体封装结构中的金属面连接。优选地，所述存储器包括两个MRAM芯片，所述两个MRAM芯片的数据总线、地址线、电源信号分别复合，片选信号线并置。优选地，所述每个MRAM芯片引脚沿水平方向为拉直状。优选地，所述MRAM芯片为相同型号的塑封芯片。本技术的有益效果如下：本技术的立体封装结构是经过特殊工艺灌封成型的SOP封装模块，具备抗振动、机械冲击能力；模块经过特殊材料表面金属化，能屏蔽外界绝大多数电磁信号干扰。本技术的立体封装MRAM存储器是经过特殊工艺加固制作而成，采用叠层型立体封装工艺进行封装，具备抗振动冲击能力，抗重离子单粒子效应能力强，高集成、高可靠的优点。本技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。附图说明本技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：图1为立体封装MRAM存储器模块结构示意图；图2为本技术实施例的模块示意图；图3为容量为2M×16bit的立体封装MRAM存储器的模块内部框图；图4为容量为2M×16bit的立体封装MRAM存储器的模块内部原理图；图5为容量为256K×8bit的立体封装MRAM存储器的模块内部框图；图6为容量为256K×8bit的立体封装MRAM存储器的模块内部原理图；图7为制作本技术实施例的模块设计流程图。具体实施方式本部分将详细描述本技术的具体实施例，本技术之较佳实施例在附图中示出，附图的作用在于用图形补充说明书文字部分的描述，使人能够直观地、形象地理解本技术的每个技术特征和整体技术方案，但其不能理解为对本技术保护范围的限制。在本技术的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如上、下、前、后、左、右等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。在本技术的描述中，若干的含义是一个或者多个，多个的含义是两个以上，大于、小于、超过等理解为不包括本数，以上、以下、以内等理解为包括本数。如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。本技术的描述中，除非另有明确的限定，设置、安装、连接等词语应做广义理解，所属
技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本技术中的具体含义。本技术的实施例提供了一种经过特殊工艺加固制作而成的立体封装结构和应用该立体封装结构的MRAM存储器。本实施例的目的在于提供在电离辐射环境复杂的太空中使用的存储器，这就要求芯片必须具备抗振动冲击能力，抗电离辐射能力等。参照图1和图2，图1是立体封装MRAM存储器模块结构示意图，图2为本技术实施例的模块示意图。本实施例提供了一种包括立体封装结构的MRAM存储器，包括：从下至上垂直叠装的基板、引脚框架和多个基片；引脚框架设有用于对外连接的引脚；基板、引脚框架和多个基片经灌胶、切割后在周边露出电气连接引脚；基板、引脚框架和多个基片经电镀后外表面设有模块外壳，模块外壳表面上设有金属连接线和金属面。一实施例中，所述模块外壳是一层镍合金材料，所述镍合金材料成分是30％镍+25％铜+45％金。用其它灌胶成型形成的模块封装和普通材料表面金属化处理可以实现抗振动冲击能力，抗电离辐射能力，但是当模块高度超过10mm时，就不能有效解决模块抗振动、机械冲击力。本实施例使用新型的镍合金材料，使得模块高度超过10mm时，存储器仍能在电离辐射环境复杂的太空中正常使用。一实施例中，所述基板、引脚框架和本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于封装MRAM存储器的立体封装结构，其特征在于，包括：/n从下至上垂直叠装的基板、引脚框架和多个基片；/n所述引脚框架设有用于对外连接的引脚；/n所述基板、引脚框架和多个基片经灌胶、切割后在周边露出电气连接引脚；/n所述基板、引脚框架和多个基片经电镀后外表面设有模块外壳，所述模块外壳表面上设有金属连接线和金属面。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于封装MRAM存储器的立体封装结构，其特征在于，包括：
从下至上垂直叠装的基板、引脚框架和多个基片；
所述引脚框架设有用于对外连接的引脚；
所述基板、引脚框架和多个基片经灌胶、切割后在周边露出电气连接引脚；
所述基板、引脚框架和多个基片经电镀后外表面设有模块外壳，所述模块外壳表面上设有金属连接线和金属面。


2.根据权利要求1所述的立体封装结构，其特征在于，所述基板与引脚框架为一体成型结构。


3.根据权利要求1所述的立体封装结构，其特征在于，所述模块外壳是一层镍合金材料。


4.根据权利要求1所述的立体封装结构，其特征在于，所述立体封装结构是一个密封的SOP封装模块。


5.根据权利要求1所述立体封装结构，其特征在于，所述基板、引脚框架和多个基片经灌胶后外表面为一层环氧树脂。


6.一种MR...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜军，陈像，颜志宇，龚永红，王烈洋，占连样，汤凡，蒲光明，陈伙立，骆征兵，
申请(专利权)人：珠海欧比特宇航科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44