【技术实现步骤摘要】
一种用于复合式的晶圆级芯片对接装置
本技术涉及半导体封装
，特别是一种用于复合式的晶圆级芯片对接装置。
技术介绍
伴随着半导体芯片封装的高密度集成化和小型化趋势，越来越多的系统级封装以及多芯片封装模组开始以3D封装的方式出现，常常需要将多个芯片以3D堆叠的方式面对面（facetoface）贴合在一起然后进行封装，在芯片面对面贴合过程中，如何让芯片之间的铜焊盘能在较低温度下对接（250度以下）并形成稳定的机械结构，以实现芯片之间的高速、低损耗通信是一个关键。业界比较常用的方式是采用在所需对接的铜焊盘之间涂覆一层“锡凸块”，然后通过将“焊凸块”在较低温度下熔融然后再冷却的方式来实现铜焊盘之间的稳定连接，如图1所示。这种方案简单便捷，但是由于在所对接的铜焊盘之间额外增加了“锡凸块”这样一种不同的材质，且信号的传输路径也变长了，致使信号在铜焊盘之间传输时的质量变差，而且由于“锡凸块”的存在对铜焊盘的排布密度有一定的影响。另外一种是采用“高温热压扩散”的方式，在较高的温度下（350度甚至更高）实现所对接芯片之间的...
【技术保护点】
1.一种用于复合式的晶圆级芯片对接装置，其特征在于：包括按工序顺序依次设置的用于对即将要进行对接的芯片或者晶圆表面的有机物介质进行低温烘烤的介质预处理腔体、用于清除芯片或者晶圆表面上的有机物介质以及所裸露出的铜焊盘表面的氧化铜杂质的等离子表面清洁腔体、用于在铜焊盘的表面形成CuN化合物的等离子体表面处理腔体、采用压合方式进行铜焊盘之间对接并形成稳固的连接结构的晶圆芯片对接腔体和将已经形成稳固连接的晶圆与芯片的合体结构进行热处理的有机聚合层热处理腔体，每个腔体均有真空连通阀门和同一个按照工序顺序方向设置的传输通道连接，在传输通道个工位的进口以及最后一个工位的出口分别设置一个普通连通阀门。/n
【技术特征摘要】
1.一种用于复合式的晶圆级芯片对接装置，其特征在于：包括按工序顺序依次设置的用于对即将要进行对接的芯片或者晶圆表面的有机物介质进行低温烘烤的介质预处理腔体、用于清除芯片或者晶圆表面上的有机物介质以及所裸露出的铜焊盘表面的氧化铜杂质的等离子表面清洁腔体、用于在铜焊盘的表面形成CuN化合物的等离子体表面处理腔体、采用压合方式进行铜焊盘之间对接并形成稳固的连接结构的晶圆芯片对接腔体和将已经形成稳固连接的晶圆与芯片的合体结构进行热处理的有机聚合层热处理腔体，每个腔体均有真空连通阀门和同一个按照工序顺序方向设置的传输通道连接，在传输通道个工位的进口以及最后一个工位的出口分别设置一个普通连通阀门。
2.根据权利要求1所述的用于复合式的晶圆级芯片对接装置，其特征在于：所述介质预处理腔体包括一个用来放置晶圆或者芯片载体的承载台、用于对介质预处理腔体抽真空并保持真空状态的真空泵以及用于通入介质预处理腔体内氮气的氮气管路进口，承载台有内置的电阻加热器。
3.根据权利要求1所述的用于复合式的晶圆级芯片对接装置，其特征在于：所述等离子表面清洁腔体包括一个可以放置晶圆的承载台、内嵌在承载台上表面且和承载台上表面齐平的冷盘、用于对等离子表面清洁腔体抽真空的真空泵、和真空泵配合的能够对等离子表面清洁腔体通入氩气并保持特定压...
【专利技术属性】
技术研发人员：王新，蒋振雷，
申请(专利权)人：杭州晶通科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。