热电转换材料的芯片制造技术

本发明专利技术提供一种可实现与电极的高接合性的具有凹部的热电转换材料的芯片。该热电转换材料的芯片在其至少一面具有凹部。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】热电转换材料的芯片
本专利技术涉及热电转换材料的芯片。
技术介绍
目前，作为能量的有效利用方式之一，包括利用具有塞贝克效应、帕尔贴效应等热电效应的热电转换组件而将热能与电能直接相互转换的装置。其中，作为上述热电转换元件，已知有所谓的π型热电转换元件的构成。π型通常如下地构成：在基板上设置相互隔开的一对电极，并同样地相互隔开地例如在一个电极上设置P型热电元件、在另一个电极上设置N型热电元件，将两者的热电元件的上表面与对置的基板的电极相连。近年来，有包括热电转换元件的薄型化、高集成化在内的热电性能的提高等要求。在专利文献1中，作为热电元件层，也包括通过使其薄膜化而实现薄型化的观点在内，已公开了使用包含树脂等的热电半导体组合物并通过丝网印刷法等而直接形成热电元件层的图案的方法。现有技术文献专利文献专利文献1：国际公开第2016/104615号
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，在如专利文献1那样，通过丝网印刷法等将由热电半导体材料、耐热性树脂等构成的热电半导体组合物在电极上、或本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种热电转换材料的芯片，其在至少一面具有凹部。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181005 JP 2018-1904421.一种热电转换材料的芯片，其在至少一面具有凹部。


2.根据权利要求1所述的热电转换材料的芯片，其中，所述热电转换材料的芯片的形状为选自长方体状、立方体状及圆柱状中的至少一种。


3.根据权利要求1或2所述的热电转换材料的芯片，其中，在所述热电转换材料的芯片的包含宽度方向的中央部的纵剖面上，将该纵剖面的面积设为S(μm2)、将纵剖面的厚度方向的厚度的最大值设为Dmax(μm)、将纵剖面的宽度方向的长度的最大值设为Xmax(μm)、将纵剖面的凹部的深度的最大值设为Tmax(μm)时，所述热电转换材料的芯片的纵剖面的凹部的剖面满足以下的条件(A)及条件(B)，
(A)0＜(Dmax×Xmax－S)/(Dmax×Xmax)≤0.20
(B)0.01＜Tmax/Dmax＜0.30及Tmax≥2μm
其中，
纵剖面的厚度方向的厚度的最大值Dmax表示：在所述热电转换材料的芯片的所述纵剖面，在所述纵剖面的底边上竖立垂线时所述纵剖面的厚度方向的厚度的上下端与该垂线交叉时得到的2交点间的最大距离(...

【专利技术属性】
技术研发人员：武藤豪志，加藤邦久，根本拓，森田亘，关佑太，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP