【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光装置和制造该发光装置的方法
本专利技术涉及一种包括发光二极管的装置和制造该装置的方法。
技术介绍
发光二极管(LED)是利用化合物半导体的特性将电信号转换为诸如红外线、可见光等的光的形式的元件,LED用在家用电器、远程控制器、电子板、各种类型的自动化装置等中,LED的应用范围正在逐渐扩大。此外,将LED应用于显示装置的尝试正在扩大。例如,这样的尝试正在扩大:将LED用作显示装置的背光,或者通过将LED小型化为能够显示图像的精细像素的单元来直接实现自发射显示装置。因此,为了减小LED的尺寸并且确保足够的亮度以用在各种类型的装置中,需要其中可以集成有多个LED的结构。
技术实现思路
技术问题壁形成在发光二极管周围,反射电极形成在壁上以将从发光二极管的侧表面发射的光向前反射,从而增大发光二极管的发光效率。然而,由于形成壁、形成反射电极等,制造发光装置的工艺可能复杂。因此,本专利技术涉及提供一种允许通过更简化的工艺制造的发光装置。此外,本专利技术还涉及提供一种制造具有改善的发光效率的发光装置的方法。本专利技术的范围不限于上述目的,通过下面的描述,本领域技术人员可以清楚地理解其他未提及的目的。技术方案根据本公开的实施例,发光装置包括:基底;第一电极,设置在基底上,包括孔,并且具有沿着孔的外围形成的倾斜表面;第二电极,设置在基底上,并且每个第二电极设置在第一电极的孔中的一个中;以及发光元件,设置在第一电极与第二电极之间,并且电连接到第 ...
【技术保护点】
1.一种发光装置,所述发光装置包括:/n基底;/n第一电极,设置在所述基底上,包括孔,并且具有沿着所述孔的外围形成的倾斜表面;/n第二电极,设置在所述基底上,并且每个第二电极设置在所述第一电极的所述孔中的一个孔中;以及/n发光元件,设置在所述第一电极与所述第二电极之间,并且电连接到所述第一电极和所述第二电极。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181001 KR 10-2018-01170611.一种发光装置,所述发光装置包括:
基底;
第一电极,设置在所述基底上,包括孔,并且具有沿着所述孔的外围形成的倾斜表面;
第二电极,设置在所述基底上,并且每个第二电极设置在所述第一电极的所述孔中的一个孔中;以及
发光元件,设置在所述第一电极与所述第二电极之间,并且电连接到所述第一电极和所述第二电极。
2.根据权利要求1所述的发光装置,所述发光装置还包括:
晶体管,电连接到所述第一电极;以及
电源线,电连接到所述第二电极。
3.根据权利要求2所述的发光装置,其中,所述电源线设置在所述基底下方,并且
所述第二电极中的每个第二电极通过穿过基底以暴露所述电源线的通孔电连接到所述电源线。
4.根据权利要求1所述的发光装置,其中,所述第一电极包括第一金属结合层、设置在所述第一金属结合层上的金属导电层以及设置在所述金属导电层上的第二金属结合层,
所述金属导电层具有比所述第一金属结合层的厚度大且比所述第二金属结合层的厚度大的厚度,并且
所述倾斜表面形成在所述金属导电层上。
5.根据权利要求4所述的发光装置,其中,所述金属导电层包括反射材料,并且
从所述发光元件发射的光被所述金属导电层反射。
6.根据权利要求4所述的发光装置,其中,由所述倾斜表面基于所述基底形成的倾斜角小于60度且大于20度。
7.根据权利要求6所述的发光装置,其中,所述金属导电层的内侧壁的第一锥角与所述金属导电层的外侧壁的第二锥角不同,并且
所述金属导电层的所述内侧壁与所述第二电极相邻。
8.根据权利要求7所述的发光装置,其中,所述金属导电层的所述内侧壁通过与形成所述金属导电层的所述外侧壁的工艺不同的工艺形成。
9.根据权利要求1所述的发光装置,所述发光装置还包括设置在所述第一电极上的第一像素壁,
其中,所述第一像素壁包括与所述孔对应的堤孔。
10.根据权利要求9所述的发光装置,所述发光装置还包括设置在所述第二电极中的每个第二电极上的第二像素壁。
11.根据权利要求1所述的发光装置,其中,所述第二电极中的每个第二电极包括中心部分、第一外围部分和第一连接部分,所述第一外围部分与所述中心部分间隔开、沿着所述中心部分的边缘延伸、并具有彼此间隔开的两个端部,所述第一连接部分被构造为将所述中心部分连接到所述第一外围部分,并且
所述第一电极包括主体部分、第二外围部分和第二连接部分,所述主体部分包括所述孔,所述第二外围部分在所述中心部分与所述第一外围部分之间沿着所述中心部分的所述边缘延伸、并具有其间插置有所述第一连接部分的两个端部...
【专利技术属性】
技术研发人员:蔡锺哲,金玄俊,赵显敏,金璟陪,郑珉在,
申请(专利权)人:三星显示有限公司,
类型:发明
国别省市:韩国;KR
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