三维存储器及其制造方法技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，公开了一种三维存储器及其制造方法。三维存储器包括：衬底；位于衬底上的包括多个块区域的堆叠结构，块区域包括沿平行于衬底的第一横向分布的核心区，及至少位于核心区一侧的阶梯区；设于至少两个相邻块区域之间且垂直贯穿堆叠结构的第一分隔结构和第二分隔结构，且第一分隔结构位于阶梯区，第二分隔结构位于核心区；其中，第一分隔结构包括第一主体部和自第一主体部延伸而出的第一部分和第二部分，第一部分和第二部分之间具有间隙，至少部分第二分隔结构位于间隙内且与第一部分和/或第二部分相连接。本发明专利技术提供的三维存储器增大了刻蚀工艺窗口，避免第一和第二分隔结构连接处出现断点导致漏电。

【技术实现步骤摘要】
三维存储器及其制造方法
本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种三维存储器及其制造方法。
技术介绍
随着3DNAND技术的不断发展，三维存储器可以垂直堆叠的层数越来越多，从24层、32层、64层到超过100层的高阶堆叠结构，可以大幅度提高存储的密度并降低单位存储单元的价格。在三维存储器结构中，包括垂直交错堆叠的多层栅极层和绝缘层构成的堆叠结构，在堆叠结构(或称“堆栈”)中形成有沟道孔，在沟道孔内形成有存储单元串，堆叠结构中的栅极层作为每一层存储单元的栅线，从而实现堆叠式的三维存储器。三维存储器的存储阵列包括核心(Core)区和阶梯(StairStep，SS)区。阶梯区用来供存储阵列各层中的栅极层引出接触部。这些栅极层作为存储阵列的字线，执行编程、擦写、读取等操作。其中，核心区和阶梯区可被多个栅线缝隙(GateLineSlit，简称GLS，或称“栅极狭缝”、“栅极隔槽”)隔开，从而分隔为多个块区域(Block)。在高阶三维存储器中，阶梯区由于层高较高，导致结构不稳定，故而在阶梯区形成有氧化物深槽对阶梯区进行加固。为了将相本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种三维存储器，其特征在于，包括：/n衬底；/n位于所述衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构包括多个块区域，所述块区域包括沿平行于所述衬底的第一横向分布的核心区，以及至少位于所述核心区一侧的阶梯区；/n设于至少两个相邻所述块区域之间且垂直贯穿所述堆叠结构的第一分隔结构和第二分隔结构，且所述第一分隔结构位于所述阶梯区，所述第二分隔结构位于所述核心区；其中，/n所述第一分隔结构包括第一主体部和自所述第一主体部延伸而出的第一部分和第二部分，所述第一部分和所述第二部分之间具有间隙，至少部分所述第二分隔结构位于间隙内且与所述第一部分和/或所述第二部分相连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种三维存储器，其特征在于，包括：
衬底；
位于所述衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构包括多个块区域，所述块区域包括沿平行于所述衬底的第一横向分布的核心区，以及至少位于所述核心区一侧的阶梯区；
设于至少两个相邻所述块区域之间且垂直贯穿所述堆叠结构的第一分隔结构和第二分隔结构，且所述第一分隔结构位于所述阶梯区，所述第二分隔结构位于所述核心区；其中，
所述第一分隔结构包括第一主体部和自所述第一主体部延伸而出的第一部分和第二部分，所述第一部分和所述第二部分之间具有间隙，至少部分所述第二分隔结构位于间隙内且与所述第一部分和/或所述第二部分相连接。


2.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述阶梯区包括阶梯结构以及位于所述阶梯结构与所述核心区之间的过渡区，所述第二分隔结构与所述第一部分和/或所述第二部分于所述过渡区相连接。


3.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述第一部分包括沿所述第一横向延伸的第一横伸部；
所述第二部分包括沿所述第一横向延伸的第二横伸部；
所述第二分隔结构包括第二主体部和自所述第二主体部向两侧延伸而出的第三部分，所述第三部分沿平行于所述衬底且在相对于所述第一横向呈一定角度的第二横向上延伸；
所述第三部分与所述第一横伸部和/或所述第二横伸部相连接。


4.根据权利要求3所述的三维存储器，其特征在于，所述第一主体部与所述第二主体部沿所述第一横向延伸；
所述第二横向垂直于所述第一横向。


5.根据权利要求4所述的三维存储器，其特征在于，所述第三部分的两端分别与所述第一部分和所述第二部分对应连接。


6.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述第一分隔结构包括垂直贯穿所述堆叠结构的第一沟槽且填充有绝缘材料；
所述第二分隔结构包括垂直贯穿所述堆叠结构的第二沟槽且填充有导电材料。

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【专利技术属性】
技术研发人员：郭亚丽，许波，刘思敏，吴智鹏，许宗珂，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42