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本发明涉及半导体技术领域，公开了一种三维存储器及其制造方法。三维存储器包括：衬底；位于衬底上的包括多个块区域的堆叠结构，块区域包括沿平行于衬底的第一横向分布的核心区，及至少位于核心区一侧的阶梯区；设于至少两个相邻块区域之间且垂直贯穿堆叠结构...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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