电波吸收体和电波吸收体用层叠体制造技术

电波吸收体(1a)具备电阻层(20)、导电体(30)和电介质层(10)。电阻层(20)包含氧化铟锡作为主成分。导电体(30)反射电波。电介质层(10)在电阻层(20)的厚度方向上配置在电阻层(20)与导电体(30)之间。此外，电介质层(10)由高分子形成。电阻层(20)所含的氧化铟锡中的锡氧化物的含量超过0重量％且小于20重量％。电阻层(20)所含的氢原子的数量相对于电阻层(20)所含的铟原子、锡原子、氧原子和氢原子的总数为5％以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电波吸收体和电波吸收体用层叠体
本专利技术涉及电波吸收体和电波吸收体用层叠体。
技术介绍
以往已知用于防止电波干扰的电波吸收体。例如，专利文献1中记载了一种电磁波吸收体，其具有：由高分子薄膜形成的电介质层、在电介质层的一面的以氧化铟锡作为主成分的电阻层、以及在电介质层的另一面的具有比电阻层更低的薄层电阻的导电体。在该电磁波吸收体中，电阻层的氧化铟锡所含的锡氧化物为20～40重量％。由此，电阻层具有极其稳定的非晶质结构，能够抑制与经时性变化或环境变化相伴的电阻层的薄层电阻的变动，可长期发挥电磁波吸收效果。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2017-112373号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题专利文献1中并未记载当电阻层的氧化铟锡中的锡氧化物的含量小于20重量％时，在高温高湿环境中长期暴露后能够发挥期望的电波吸收性能的技术。鉴于这种情况，本专利技术提供对于虽然电阻层的氧化铟锡中的锡氧化物的含量小于20重量％，但在高温高湿环境中长期暴露后仍然发挥期望的电波吸收性能而言有利的电波吸收体。用于解决问题的方案本专利技术提供一种电波吸收体，其具备：电阻层，其包含氧化铟锡作为主成分；导电体，其反射电波；以及电介质层，其在前述电阻层的厚度方向上配置于前述电阻层与前述导电体之间，且由高分子形成，前述氧化铟锡中的锡氧化物的含量超过0重量％且小于20重量％，前述电阻层所含的氢原子的数量相对于前述电阻层所含的铟原子、锡原子、氧原子和氢原子的总数为5％以上。专利技术的效果上述电波吸收体对于在高温高湿环境中长期暴露后发挥期望的电波吸收性能而言是有利的。附图说明图1A是示出本专利技术的电波吸收体的一例的剖视图。图1B是示出图1A所示的电波吸收体的变形例的剖视图。图1C是示出图1A所示的电波吸收体的其它变形例的剖视图。图2是示出本专利技术的电波吸收体的其它一例的剖视图。图3是示出本专利技术的电波吸收体的另一例的剖视图。图4是示出本专利技术的电波吸收体的另一例的剖视图。具体实施方式针对本专利技术的实施方式，参照附图进行说明。需要说明的是，本专利技术不限定于以下的实施方式。如图1A所示那样，电波吸收体1a具备电阻层20、导电体30和电介质层10。电阻层20包含氧化铟锡作为主成分。本说明书中，“主成分”是指以质量基准计含量最多的成分。导电体30反射电波。电介质层10在电阻层20的厚度方向上配置在电阻层20与导电体30之间。此外，电介质层10由高分子形成。电阻层20满足下述(I)和(II)的条件。(I)电阻层20所含的氧化铟锡中的锡氧化物的含量超过0重量％且小于20重量％。(II)电阻层20所含的氢原子的数量相对于电阻层20所含的铟原子、锡原子、氧原子和氢原子的总数为5％以上。电波吸收体1a为λ/4型的电波吸收体。以如下方式设计电波吸收体1a：若作为吸收对象的波长(λO)的电波向电波吸收体1a入射，则由电阻层20的表面处的反射(表面反射)引起的电波与由导电体30中的反射(背面反射)引起的电波发生干涉。在λ/4型的电波吸收体中，如下述式(1)所示那样，根据电介质层的厚度(t)和电介质层的相对介电常数(εr)来决定吸收对象的电波的波长(λO)。即，通过适当调节电介质层的相对介电常数和厚度，能够设定吸收对象的波长的电波。在式(1)中，sqrt(εr)是指相对介电常数εr的平方根。λO＝4t×sqrt(εr)式(1)通过使电波吸收体1a具备上述电阻层20，电波吸收体1a在高温高湿环境中长期暴露后容易发挥期望的电波吸收性能。本专利技术人等反复进行多次试错的结果，率先发现：在以氧化铟锡作为主成分的电阻层中，通过将氢原子的浓度提高至规定值以上，从而在氧化铟锡所含的锡氧化物的含量小于20重量％的情况下，电波吸收体在高温高湿的环境中长期暴露后能够发挥期望的电波吸收性能。在电阻层20中，氧化铟锡所含的锡氧化物的含量例如可以为1重量％以上，也可以为2重量％以上，还可以为3重量％以上。电阻层20所含的氢原子的数量相对于电阻层20所含的铟原子、锡原子、氧原子和氢原子的总数可以为5～15％。典型而言，电阻层20为非晶质状态。电阻层20容易稳定地保持非晶质状态。由此，可以认为电波吸收体1a在高温高湿的环境中长期暴露后容易发挥期望的电波吸收性能。电波吸收体1a在例如将电波吸收体1a的环境以温度85℃和相对湿度85％的条件保持500小时后，对于垂直入射的吸收对象的波长的电波能够发挥10dB以上的反射衰减量。反射衰减量可按照例如日本工业标准(JIS)R1679:2007进行测定。电阻层20在例如将电阻层20以150℃和1小时的条件进行退火后保持非晶质状态。由此，电波吸收体1a在高温高湿的环境中长期暴露后容易更可靠地发挥期望的电波吸收性能。需要说明的是，若将包含锡氧化物的含量小于20重量％的氧化铟锡作为主成分且不满足上述(II)的条件的电阻层在例如成膜后以150℃和1小时的条件进行退火处理，则包括结晶化部在内的膜质发生变化。该情况下，电阻层的薄层电阻显著降低，电波吸收体的电波吸收性能可能降低。电阻层20可以包含选自由硅氧化物、镁氧化物和锌氧化物组成的组中的至少1者。该情况下，也能够稳定地保持电阻层20的状态，电波吸收体1a在高温高湿的环境中长期暴露后容易更可靠地发挥期望的电波吸收性能。电阻层20具有例如180～600Ω/□的薄层电阻。由此，电波吸收体1a容易发挥期望的电波吸收性能。在λ/4型的电波吸收体的设计中，以使用传送理论由电阻层20的前表面预计的阻抗与特性阻抗相等的方式确定电阻层20的薄层电阻。电阻层20要求的薄层电阻可能因向λ/4型的电波吸收体入射的电波的设想入射角度而发生变动。电阻层20的薄层电阻可以为190～580Ω/□，也可以为200～550Ω/□。需要说明的是，除特别说明的情况之外，“电阻层20的薄层电阻”是指初始的薄层电阻。电阻层20的厚度没有特别限定。电阻层20的厚度例如为18～100nm。该情况下，电阻层20容易具有期望的薄层电阻，且电波吸收体1a在高温高湿环境中长期暴露后，电阻层20容易具有期望的特性。电阻层20的厚度优选为20～100nm。形成电阻层20的材料的电阻率以具有这种范围的厚度的电阻层20具有期望的薄层电阻的方式进行调整。形成电阻层20的材料的电阻率例如为5.4×10-4～5.0×10-3Ω·cm。电阻层20的霍尔迁移率例如小于40cm2/(V·s)。由此，电波吸收体1a在高温高湿环境中长期暴露后容易更可靠地发挥期望的电波吸收性能。电阻层20的霍尔效应测定按照例如vanderPauw法来进行。导电体30只要能够反射吸收对象的电波就没有特别限定，具有规定的导电性。如图1A所示那样，导电体30形成为例如层状。该情况下，导电体30具有比电阻层20的薄层电阻更低的薄层电阻。导电体3本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电波吸收体，其具备：/n电阻层，其包含氧化铟锡作为主成分；/n导电体，其反射电波；以及/n电介质层，其在所述电阻层的厚度方向上配置于所述电阻层与所述导电体之间，且由高分子形成；/n所述氧化铟锡中的锡氧化物的含量超过0重量％且小于20重量％，/n所述电阻层所含的氢原子的数量相对于所述电阻层所含的铟原子、锡原子、氧原子和氢原子的总数为5％以上。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180926 JP 2018-1797551.一种电波吸收体，其具备：
电阻层，其包含氧化铟锡作为主成分；
导电体，其反射电波；以及
电介质层，其在所述电阻层的厚度方向上配置于所述电阻层与所述导电体之间，且由高分子形成；
所述氧化铟锡中的锡氧化物的含量超过0重量％且小于20重量％，
所述电阻层所含的氢原子的数量相对于所述电阻层所含的铟原子、锡原子、氧原子和氢原子的总数为5％以上。


2.根据权利要求1所述的电波吸收体，其中，所述电阻层在将该电阻层以150℃和1小时的条件进行退火后保持非晶质状态。


3.根据权利要求1或2所述的电波吸收体，其中，所述电阻层包含选自由硅氧化物、镁氧化物和锌氧化物组成的组中的至少1种。


4.根据权利要求1～3中任一项所述的电波吸收体，其中，所述导电体包含氧化铟锡。


5.根据权利要求1～3中任一项所述的电波吸收体，其中，所述导电体包含选自由铝、铜、铝合金和铜合金组成的组中的至少1种。


6.根据权利要求1～5中任一项所述的电波吸收体，其中，所述电阻层具有180～600Ω/□的薄层电阻。


7.根据权利要求1～6中任一项所述的电波吸收体，其中，所述电阻层具有18～100nm的厚度。


8....

【专利技术属性】
技术研发人员：拝师基希，山形一斗，待永广宣，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP