磁屏蔽件制造技术

在具备包含磁性材料的磁性层和包含导电材料的导电层的磁屏蔽件中，导电层的厚度具有与成为屏蔽对象的电磁波的频带对应的厚度。具体而言，将导电层的厚度(图中的铝箔厚度)设为在成为屏蔽对象的电磁波的频带中，使由磁屏蔽件造成的磁场阻断效果达到最大的厚度(图中的曲线(E)中的、与峰值频率对应的铝箔的厚度)。由此，在成为屏蔽对象的电磁波的频带中，能够得到由磁屏蔽件造成的良好的磁场阻断效果。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】磁屏蔽件
本专利技术涉及具有磁场阻断效果的磁屏蔽件。
技术介绍
以往，例如产生开关电源等低频(特别是3MHz以下的频率)的电磁波的装置不断增加。从这些装置产生的低频的电磁波(噪声)例如对数码相机的CMOS(ComplementaryMOS：互补金属氧化物半导体)传感器造成影响，引起在拍摄图像中出现噪声这样的问题。因此，屏蔽低频电磁波的必要性提高。在此，为了屏蔽低频的电磁波，需要使用电磁波屏蔽件中的磁场阻断效果高的磁屏蔽件。利用上述的磁屏蔽件进行的磁场阻断(磁场屏蔽)效果一般以用于磁屏蔽件的坡莫合金等的高相对磁导率材料的相对磁导率和厚度来决定。但是，以往的磁屏蔽件中使用的坡莫合金等的高相对磁导率材料由于在制造时需要进行热处理、含有Ni，因此价格高。因此，例如，如专利文献1所示，通过层叠包含(软)磁性材料的磁性层和包含导电材料(电阻率小的材料)的导电层，从而为了比较廉价且提高磁场阻断效果而具有磁屏蔽件。在先技术文献专利文献专利文献1：日本特开2018-67629号公报
技术实现思路
(专利技术要解决的课题)然而，在如上述专利文献1所记载那样的以往的仅层叠有包含磁性材料的磁性层和包含导电材料的导电层的磁屏蔽件中，在成为屏蔽对象的电磁波(从磁屏蔽件周边的装置产生的电磁波)的频带中，未必能够得到大的磁场阻断效果。本专利技术是为了解决上述问题的专利技术，其目的在于提供一种在作为屏蔽对象的电磁波的频带中能够得到良好的磁场阻断效果的磁屏蔽件。(用于解决课题的技术方案)为了解决上述课题，本专利技术的磁屏蔽件是具备包含磁性材料的磁性层和包含导电材料的导电层的磁屏蔽件，所述导电层具有与成为屏蔽对象的电磁波的频带对应的厚度。在该磁屏蔽件中，优选的是，所述导电层的厚度是在成为所述屏蔽对象的电磁波的频带中，使由所述磁屏蔽件造成的磁场阻断效果达到最大的厚度。在该磁屏蔽件中，优选的是，所述导电材料为铝。在该磁屏蔽件中，所述导电层也可以是包含金属箔的金属板。在该磁屏蔽件中，优选的是，所述磁性材料是软磁性材料。在该磁屏蔽件中，优选的是，所述磁性材料为非晶质金属。在该磁屏蔽件中，优选的是，所述磁性层是包含金属箔的金属板。(专利技术效果)根据本专利技术，导电层具有与作为屏蔽对象的电磁波的频带对应的厚度。在此，如本专利技术的磁屏蔽件那样，在具备包含磁性材料的磁性层和包含导电材料的导电层的磁屏蔽件中，根据成为屏蔽对象的电磁波的频带，使磁场阻断效果最大的导电层的厚度不同。因此，如上所述，通过使导电层成为与成为屏蔽对象的电磁波的频带对应的厚度(根据成为屏蔽对象的电磁波的频带，改变导电层的厚度)，能够在成为屏蔽对象的电磁波的频带中得到良好的磁场阻断效果。附图说明图1是本专利技术的一实施方式的磁屏蔽件的剖视图。图2是该磁屏蔽件的使用例的周边的部件的剖视图。图3是图2所示的磁屏蔽件中的铝箔的厚度为6.5μm、11μm、30μm、以及没有铝箔时的磁场屏蔽效果的测定结果的曲线图。图4是表示变更了图2所示的磁屏蔽件中的铝箔的厚度的情况下的、峰值频率的变化的曲线图。图5是将相同磁屏蔽件相对电磁波发生源如图2所示那样配置的情况和如图6所示那样配置的情况下的磁场屏蔽效果的测定结果的曲线图。图6是将相同磁屏蔽件以与图2的情况上下相反的方式配置于电子零件的情况下的磁屏蔽件和电子零件的剖视图。具体实施方式以下，参照附图对将本专利技术具体化的实施方式的磁屏蔽件进行说明。(关于磁屏蔽件的构成和材料)图1是本实施方式的磁屏蔽件的剖视图。如图1所示，磁屏蔽件1具备包含磁性材料的磁性层2和包含导电材料的导电层3。更具体而言，磁屏蔽件1是将包含磁性材料的磁性层2和包含导电材料的导电层3层叠而成的。在该磁屏蔽件1中，导电层3具有与成为屏蔽对象的电磁波(从磁屏蔽件周边的装置产生的电磁波)的频带对应的厚度。在本实施方式中，导电层3的厚度设定为在成为屏蔽对象的电磁波的频带中，使由磁屏蔽件1产生的磁场阻断效果达到最大的厚度。在上述磁性层2中，能够使用将坡莫合金、硅钢、铁、不锈钢、铁硅铝等相对磁导率高的金属成型为板状的金属板、非晶质金属的金属箔、烧成为板状的铁素体系材料、以及将上述的各磁性材料(例如坡莫合金、硅钢、铁、不锈钢等相对磁导率高的金属、非晶质金属、以及铁素体系材料)粉末化，混合(混入)于树脂、橡胶等并成型为片材后的物质。另外，上述的磁性层2所使用的各磁性材料基本上是软磁性材料。其理由是，一般软磁性材料具有矫顽力小、相对磁导率高的性质。需要说明的是，在后述的磁场屏蔽效果的测定中，作为磁性层2，使用通过使非晶合金结晶化而生成的纳米结晶软磁性材料的金属箔。另外，在上述的导电层3中，能够使用将铜、金、银、镍、铝等具有导电性(电阻率小)的金属成型为板状的金属板、将上述具有导电性的金属通过镀敷、溅射、蒸镀等方法附着在膜或布等上，在(附着的)面取得导通(电流能够在面上流动)的导电层、以及将上述具有导电性的金属粉末化，混合(混入)于树脂、橡胶等并成型为片材后的物质。需要说明的是，在后述的磁场屏蔽效果的测定中，作为导电层3，使用铝箔。(磁屏蔽件的使用方法的例子)接着，参照图2，对本实施方式的磁屏蔽件1的使用方法的一例进行说明。在图2的例子中，作为磁屏蔽件1的磁性层，使用作为Fe基纳米结晶软磁性材料的金属箔的磁性箔12，作为导电层，使用作为铝的金属箔的铝箔13。在该例子中，磁屏蔽件1除了具备上述的磁性箔12和铝箔13的层以外，还具备PET(polyethyleneteed)膜11的层和双面粘合带14、15的层。上述的PET膜11的下表面使用丙烯酸树脂系的粘接剂粘接于磁性箔12的上表面。在磁屏蔽件1的最上层设置PET膜11的层的理由是为了磁屏蔽件1的表面保护和磁屏蔽件1的耐热性强化。另外，双面粘合带14的上表面和下表面分别粘贴于磁性箔12的下表面和铝箔13的上表面，双面粘合带15的上表面和下表面分别粘贴于铝箔13的下表面和成为电磁波(噪声)的产生源的电子零件16的上表面。在上述的电子零件16中，当然也包含IC等电路，还包括开关电源。(磁场屏蔽效果的测定)接着，参照图3对上述图2所示的结构的磁屏蔽件1的磁场屏蔽效果的测定结果进行说明。在该测定中，使用KEC法，测定磁屏蔽件1的磁场屏蔽效果。KEC法是在KEC(关西电子工业振兴中心，对应日文：関西電子工業振興センター)中开发的测定方法。KEC法的测定系统中，作为屏蔽效果，以分贝单位来测定从无屏蔽件的状态下的近场(距电磁波发生源近的空间)的磁场或电场的强度观察的、存在屏蔽件时的近场的磁场或电场的强度的衰减量。在此，屏蔽效果(SE：ShieldEffect)由下述的式(1)求出。SE(dB)＝20log10(E0/E1)…(1)(其中，E0：无屏蔽件时的近场的磁场强度或电场强度，E1：存在屏蔽件时的近场的磁场强度或电场强度)。图3中的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁屏蔽件，具备：/n磁性层，其包含磁性材料；以及/n导电层，其包含导电材料，/n所述磁屏蔽件的特征在于，/n所述导电层具有与作为屏蔽对象的电磁波的频带对应的厚度。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181119 JP 2018-2168451.一种磁屏蔽件，具备：
磁性层，其包含磁性材料；以及
导电层，其包含导电材料，
所述磁屏蔽件的特征在于，
所述导电层具有与作为屏蔽对象的电磁波的频带对应的厚度。


2.根据权利要求1所述的磁屏蔽件，其特征在于，
所述导电层的厚度是在成为所述屏蔽对象的电磁波的频带中，使由所述磁屏蔽件造成的磁场屏蔽效果达到最大的厚度。


3.根据权利要求1或2所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：石原太一，
申请(专利权)人：北川工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP