量子点发光二极管及其制备方法、显示面板、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术一种量子点发光二极管及其制备方法、显示面板、显示装置，量子点发光二极管包括：量子点发光层；位于量子点发光层的一侧的电子功能层；位于电子功能层背离量子点发光层的一侧的阴极层；位于电子功能层与阴极层之间的钝化层，钝化层包括若干个间隔的钝化部。上述量子点发光二极管降低了传输至量子点发光层中的空穴和电子的数量差异，最终降低了量子点发光层中电子积聚的程度，提高了器件性能。

【技术实现步骤摘要】
量子点发光二极管及其制备方法、显示面板、显示装置
本专利技术涉及显示装置
，具体涉及一种量子点发光二极管及其制备方法、显示面板、显示装置。
技术介绍
量子点发光二极管(Quantumdotlight-emittingdiode,QLED)具有色纯度高、稳定性好、寿命长、色温佳、制备工艺简单等优点，在下一代平板显示和固态照明领域有着巨大的应用前景。然而，由于电子传输层的迁移率高于空穴传输层的迁移率，导致量子点发光层中空穴和电子的数量差异大，过量的电子积聚在量子点发光层中，造成发光猝灭，极大地影响器件的发光效率。
技术实现思路
因此，本专利技术要解决的技术问题在于克服量子点发光二极管中量子点发光层中空穴和电子的数量差异较大的缺陷，从而提供一种量子点发光二极管及其制备方法、显示面板、显示装置。本专利技术提供一种量子点发光二极管，包括：量子点发光层；位于所述量子点发光层的一侧的电子功能层；位于所述电子功能层的一侧的阴极层；位于所述电子功能层与所述阴极层之间的钝化层，所述钝化层包括本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点发光二极管，其特征在于，包括：/n量子点发光层；/n位于所述量子点发光层的一侧的电子功能层；/n位于所述电子功能层背离所述量子点发光层的一侧的阴极层；/n位于所述电子功能层与所述阴极层之间的钝化层，所述钝化层包括若干个间隔的钝化部。/n

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光二极管，其特征在于，包括：
量子点发光层；
位于所述量子点发光层的一侧的电子功能层；
位于所述电子功能层背离所述量子点发光层的一侧的阴极层；
位于所述电子功能层与所述阴极层之间的钝化层，所述钝化层包括若干个间隔的钝化部。


2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述钝化部的材料为绝缘金属氧化物；所述钝化部的厚度不超过2nm。


3.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述电子功能层朝向所述阴极层的表面材料含有氧；
优选的，所述电子功能层包括电子传输层，所述电子传输层与所述钝化层接触，所述电子传输层中含有氧；
优选的，所述电子传输层的材料为金属氧化物；
优选的，所述金属氧化物的材料包括氧化锌；
优选的，所述阴极层的材料包括铝、铝合金或银，所述钝化部的材料包括氧化铝或氧化银。


4.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
形成量子点发光层；
在所述量子点发光层的一侧表面形成电子功能层；
在所述电子功能层背离所述量子点发光层的一侧表面形成阴极层；
在所述电子功能层与所述阴极层的界面处形成钝化层，所述钝化层包括若干个间隔的钝化部。


5.根据权利要求4所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述电子功能层与所述阴极层接触的表面材料含有氧，所述钝化部的材料为绝缘金属氧化物，在所述电子功能层与所述阴极层的界面处形成所述钝化层的工艺包括光子烧结工艺；
优选的，所述电子功能层包括电子传输层，所述电...

【专利技术属性】
技术研发人员：马中生，穆欣炬，刘高鹏，刘航，
申请(专利权)人：义乌清越光电科技有限公司，苏州清越光电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33