量子点发光二极管及其制备方法、以及显示面板技术

本发明专利技术公开一种量子点发光二极管及其制备方法、以及显示面板，涉及显示技术领域。在量子点发光二极管的各层所在平面的平行方向上，所述量子点发光二极管的横截面为环形。本发明专利技术技术方案在依次打印制备量子点发光二极管的每层结构过程中，每层结构打印时的墨水均由于墨水的正交性而沿下层圆环状的结构铺展而限定在下层环形结构上，使得形成的子像素取消了现有的像素Bank等不透明结构而增加了整个发光器件的透明性。

【技术实现步骤摘要】
量子点发光二极管及其制备方法、以及显示面板
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种量子点发光二极管及其制备方法、以及显示面板。
技术介绍
随着显示技术的快速发展，以半导体量子点材料作为发光层的量子点发光二极管(QLED)由于其色纯度高、发光效率高、发光颜色可调以及器件稳定等良好的特点而在平板显示、固态照明等领域具有广泛的应用前景。但是，量子点发光二极管在制作透明显示面板的时候透明性欠佳。
技术实现思路
本专利技术的主要目的是提供一种量子点发光二极管及其制备方法、以及显示面板，旨在解决现有技术中量子点发光二极管透明性欠佳的技术问题。为实现上述目的，本专利技术提出的一种量子点发光二极管，在量子点发光二极管的各层所在平面的平行方向上，量子点发光二极管的横截面为环形。可选的，环形的外径为50-150微米，内径为30-120微米。可选的，量子点发光二极管包括：空穴功能层，空穴功能层设置于第一电极层的一侧表面；量子点发光层，量子点发光层设置于空穴功能层远离第一电极层的一侧表面；电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点发光二极管，其特征在于，在所述量子点发光二极管的各层所在平面的平行方向上，所述量子点发光二极管的横截面为环形。/n

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光二极管，其特征在于，在所述量子点发光二极管的各层所在平面的平行方向上，所述量子点发光二极管的横截面为环形。


2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述环形的外径为50-150微米，内径为30-120微米。


3.根据权利要求1或2所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光二极管包括：
第一电极层；
空穴功能层，所述空穴功能层设置于所述第一电极层的一侧表面；
量子点发光层，所述量子点发光层设置于所述空穴功能层远离所述第一电极层的一侧表面；
电子功能层，所述电子功能层设置于所述量子点发光层远离所述空穴功能层的一侧表面；
第二电极层，所述第二电极层设置于所述电子传输层远离所述量子点发光层的一侧表面；
其中，所述第一电极层、所述空穴功能层、所述量子点发光层、电子功能层以及所述第二电极层在其所在平面上的横截面均设置为环形。


4.根据权利要求3所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴功能层包括低熔点金属氧化物；
其中，所述低熔点氧化物中低熔点金属元素为镓、铟、锡、铋与锌中的一种。


5.根据权利要求4所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴功能层包括空穴注入层与空穴传输层；
所述空穴传输层包括空穴传输材料，在所述空穴传输层中，所述空穴传输材料与所述低熔点金属氧化物的质量比为1：1-2：1；，其中所述空穴传输材料包括聚[N,N'-双(4-丁基苯基)-N,N'-联苯基联苯胺](poly-TPD)、TFB、NiO与MoO3的一种或多种；
所述空穴注入层包括空穴注入材料，在所述空穴注入层中，所述空穴注入材料与所述低熔点金属氧化物的质量比为1：1-2：1，其中，所述空穴注入材料包括聚乙烯二氧噻吩(PEDOT)或MoO3。


6.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括：
提供一衬底，在所述衬底上形成横截面为环形的第一电极层；
将空穴功能层材料墨水液滴打印在所述第一电极层上，所述空穴功能层材料墨水液滴干...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱佩，
申请(专利权)人：广东聚华印刷显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44