QLED器件、QLED器件的制备方法及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种QLED器件、QLED器件的制备方法及显示装置，其中QLED器件包括依次层叠设置的阳极、复合发光层和阴极，所述复合发光层包括第一量子点层、第二量子点层和连接层，所述连接层位于所述第一量子点层和所述第二量子点层之间，所述第一量子点层和所述第二量子点层材料为核壳量子点，所述连接层材料与所述核壳量子点壳材料相同。其中，连接层有效隔离量子点并增大了第一层量子点和第二层量子点之间的距离，减少量子点之间的堆积，提高量子点的发光效率，延长QLED器件寿命。而且，连接层材料与核壳量子点壳材料保持一致有利于载流子在两层量子点间传输，避免了不同材料间的能极差。

【技术实现步骤摘要】
QLED器件、QLED器件的制备方法及显示装置
本专利技术涉及QLED领域，具体涉及一种QLED器件、QLED器件的制备方法及显示装置。
技术介绍
QLED(QuantumDotLightEmittingDiodes，量子点发光二极管)是将量子点制作成量子点薄层，并将该层置入于液晶显示器(LCD)的背光模组中，相较于未使用量子点薄层显示器更能降低背光亮度落失及RBG彩色滤光片的色彩串扰，进而得到更佳的背光利用率及具有提升显示色域空间的优点。一般在QLED器件结构中，量子点作为发光层薄厚设置不合理时不仅会出现漏电的现象，影响QLED发光效率，还会存在量子点聚集的现象，影响QLED发光寿命。
技术实现思路
本专利技术的主要目的是提供一种QLED器件、QLED器件的制备方法及显示装置，旨在解决现有的发光层影响QLED发光性能的问题。为实现上述目的，本专利技术提出的一种白光QLED器件包括依次层叠设置的阳极、复合发光层和阴极，所述复合发光层包括至少一个第一量子点层、至少一个第二量子点层和连接层，所述连接层位于所述第一量子点层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种QLED器件，其特征在于，包括依次层叠设置的阳极、复合发光层和阴极，所述复合发光层包括至少一个第一量子点层、至少一个第二量子点层和连接层，所述连接层位于所述第一量子点层和所述二量子点层之间，所述第一量子点层和所述第二量子点层材料为核壳量子点，所述连接层材料与所述核壳量子点壳材料相同。/n

【技术特征摘要】
1.一种QLED器件，其特征在于，包括依次层叠设置的阳极、复合发光层和阴极，所述复合发光层包括至少一个第一量子点层、至少一个第二量子点层和连接层，所述连接层位于所述第一量子点层和所述二量子点层之间，所述第一量子点层和所述第二量子点层材料为核壳量子点，所述连接层材料与所述核壳量子点壳材料相同。


2.如权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述连接层材料为ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS和ZnMgS中的任意一种或几种混合。


3.如权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述核壳量子点的核材料为CdS、CdZnSe、CdSe、CdSe/CdS、PbS、PbSe中的任意一种或几种混合，所述核壳量子点的壳材料为ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS和ZnMgS中的任意一种或几种混合。


4.如权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述QLED器件还包括空穴注入层，所述空穴注入层位于所述阳极和所述复合发光层之间，所述空穴注入层的材料为PEDOT:PSS、HAT-CN、F4-TCNQ、MoO3、V2O5、WO3或ReO3中的任意一种或几种混合。


5.如权利要求4所述的QLED器件，其特征在于，所述QLED器件还包括空穴传输层，所述空穴传输层位于所述空穴注入层和...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗健，庄锦勇，
申请(专利权)人：广东聚华印刷显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44