【技术实现步骤摘要】
基于自组装亚微米小球的纳米量子点发光二极管及方法
本专利技术涉及量子点发光二极管制备领域，具体涉及一种基于自组装亚微米小球的纳米量子点发光二极管及方法。
技术介绍
量子点因其具有低成本高能效等特点而受到许多研究人员的关注，此外由于量子点的色纯度高，兼容印刷工艺制备等优点，使得量子点成为目前新型发光二极管的热门材料，这将是未来显示领域的重要研究方向之一。当今高PPI的显示器件快速发展，PPI数值越高，即代表显示屏能够以越高的密度显示图像，画质表现更加出色，同时也为3D显示打下坚固的基础。但是，想要得到更高的PPI，就需要像素点尽可能小，尽可能密集，这个问题亟待解决。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种基于自组装亚微米小球的纳米量子点发光二极管及方法，解决现有的量子点发光二极管不够小，不够密集的情况。为实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案：一种基于自组装亚微米小球的纳米量子点发光二极管，包括从下至上依次设置的基板、阳极层、绝缘层像素Bank阵列、空穴注入层、空穴传...
【技术保护点】
1.一种基于自组装亚微米小球的纳米量子点发光二极管，其特征在于，包括从下至上依次设置的基板、阳极层、绝缘层像素Bank阵列、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极层。/n
【技术特征摘要】
1.一种基于自组装亚微米小球的纳米量子点发光二极管，其特征在于，包括从下至上依次设置的基板、阳极层、绝缘层像素Bank阵列、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极层。
2.根据权利要求1所述的基于自组装亚微米小球的纳米量子点发光二极管，其特征在于，所述阳极层采用ITO或IZO。
3.根据权利要求1所述的基于自组装亚微米小球的纳米量子点发光二极管，其特征在于，所述绝缘层像素Bank阵列采用的材料包括但不限于聚合物或金属氧化物，所述聚合物包含但不限于聚乙烯吡咯烷酮、聚甲基丙烯酸甲酯中的一种，金属氧化物包含但不限于二氧化硅、氧化铝。
4.根据权利要求1所述的基于自组装亚微米小球的纳米量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴注入层采用的材料为PEDOT:PSS、MoO3、WO3中的一种或多种；所述空穴传输层采用的材料为PVK，Poly-TPD，TFB，CPB，钙钛矿中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的基于自组装亚微米小球的纳米量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点薄膜采用的材料为CdS、CdSe、InP、CuInS或PbSe。
6.根据权利要求1所述的基于自组装亚微米小球的纳米量子点发光二极管，其特征在于，所述电子传输层采用的材料为ZnO、TiO2、SnO2、LiZnO，MgZnO中的一种或多种。
7.一种基于自组装亚微米小球的纳米量...
【专利技术属性】
技术研发人员：李福山，赵等临，胡海龙，郭太良，
申请(专利权)人：福州大学，
类型：发明
国别省市：福建;35
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