倒置QLED器件、显示装置及制备方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种倒置QLED器件、显示装置及制备方法，其中倒置QLED器件包括依次层叠的电子功能层、电子调制层和量子点发光层，所述电子功能层用于注入和/或传输电子，所述电子功能层包括第一电子材料，所述电子调制层包括第二电子材料，所述第一电子材料和所述第二电子材料均为n型金属氧化物，所述第二电子材料的氧空位浓度低于所述第一电子材料的氧空位浓度。本发明专利技术的电子调制层能够保护量子点发光层维持原有的荧光效率，或者保证量子点发光层的荧光效率不明显降低，可降低倒置QLED器件的漏电流，提高发光效率。

【技术实现步骤摘要】
倒置QLED器件、显示装置及制备方法
本专利技术涉及QLED领域，具体涉及一种倒置QLED器件、显示装置及倒置QLED器件的制备方法。
技术介绍
量子点是一种在三个维度尺寸上均被限制在纳米级的特殊材料，这种显著的量子限域效应使得量子点具有了诸多独特的纳米性质：发射波长连续可调、发光波长窄、吸收光谱宽、发光强度高、荧光寿命长以及生物相容性好等。这些特点使得量子点在生物标记、平板显示、固态照明、光伏太阳能灯领域均具有广泛的应用前景。QLED(QuantumDotLightEmittingDiodes，量子点发光二极管)是将量子点制作成量子点薄层，并将该层置入于液晶显示器(LCD)的背光模组中，相较于未使用量子点薄层显示器更能降低背光亮度落失及RBG(红、绿、蓝)彩色滤光片的色彩串扰，进而得到更佳的背光利用率及具有提升显示色域空间的优点。在倒置QLED器件中，用于注入和/或传输电子的电子功能层采用n型金属氧化物，倒置QLED器件优选采用磁控溅射法制备电子功能层，但是磁控溅射法容易导致倒置QLED器件的漏电流过大，降低了倒置QLED器件的发光效本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种倒置QLED器件，其特征在于，包括依次层叠的电子功能层、电子调制层和量子点发光层，所述电子功能层用于注入和/或传输电子，所述电子功能层包括第一电子材料，所述电子调制层包括第二电子材料，所述第一电子材料和所述第二电子材料均为n型金属氧化物，所述第二电子材料的氧空位浓度低于所述第一电子材料的氧空位浓度。/n

【技术特征摘要】
1.一种倒置QLED器件，其特征在于，包括依次层叠的电子功能层、电子调制层和量子点发光层，所述电子功能层用于注入和/或传输电子，所述电子功能层包括第一电子材料，所述电子调制层包括第二电子材料，所述第一电子材料和所述第二电子材料均为n型金属氧化物，所述第二电子材料的氧空位浓度低于所述第一电子材料的氧空位浓度。


2.如权利要求1所述的倒置QLED器件，其特征在于，所述第一电子材料为ZnO、SnO2、In2O3-ZnO、MgO-ZnO或Al2O3-ZnO，所述第二电子材料为ZrO2、HfO2、Ta2O5、Nb2O5、GeO2或B2O3。


3.如权利要求1所述的倒置QLED器件，其特征在于，所述第二电子材料的氧空位浓度小于1014cm-3。


4.如权利要求1所述的倒置QLED器件，其特征在于，所述电子功能层通过磁控溅射制备得到。


5.如权利要求1所述的倒置QLED器件，其特征在于，所述电子调制层还包括第一电子材料，所述电子调制层中的所述第一电子材料和所述第二电子材料的摩尔比为1:99～99:1。


6.如权利要求1所述的倒置QLED器件，其特征在于，所述电子功能层的厚度为10～200nm，所述电子调制层的厚度为5～50nm。


7.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏亮，
申请(专利权)人：广东聚华印刷显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44