【技术实现步骤摘要】
一种基于界面修饰的LB量子点发光二极管及制备方法
本专利技术涉及光电发光与显示器件
，特别是一种基于界面修饰的LB量子点发光二极管及制备方法。
技术介绍
量子点因其具有低成本高能效等特点而受到许多研究人员的关注，此外由于量子点的色纯度高，兼容印刷工艺制备等优点，使得量子点成为目前新型发光二极管的热门材料，这将是未来显示领域的重要研究方向之一。Langmuir—Blodgett（LB）膜法是一种极具前景的制膜技术，通过在亚相上铺展两亲分子，经过滑障压缩，可以制备整齐致密的薄膜，此外，可以通过将薄膜转移到基板上的次数精确控制薄膜的厚度。将LB量子点薄膜直接转移到上层膜上，会使亚相破坏上层膜，严重降低器件性能。因此，现有技术还有待改进。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的是提出一种基于界面修饰的LB量子点发光二极管及制备方法，可以直接通过提拉法将LB量子点薄膜转移到器件上，提高LB量子点薄膜在器件上的完整性，具有制备方法简单，量子点薄膜排列整齐致密，量子点薄膜厚度精确控制，易于大面积...
【技术保护点】
1.一种基于界面修饰的LB量子点发光二极管，其特征在于，从下自上依次包括基板、阳极层、空穴注入层、空穴传输层、修饰层、LB量子点薄膜、电子传输层以及阴极层。/n
【技术特征摘要】
1.一种基于界面修饰的LB量子点发光二极管，其特征在于，从下自上依次包括基板、阳极层、空穴注入层、空穴传输层、修饰层、LB量子点薄膜、电子传输层以及阴极层。
2.根据权利要求1所述的一种基于界面修饰的LB量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴传输层的材料包括但不限于PVK、Poly-TPD、TFB、CPB、钙钛矿；所述空穴传输层所采用的沉积方法为溶液法，包括旋涂法、浸涂法、刮涂法、浇铸法、喷涂法、丝网印刷、喷墨打印中的一种。
3.根据权利要求1所述的一种基于界面修饰的LB量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴注入层的材料包括但不限于PEDOT:PSS、MoO3、WO3中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的一种基于界面修饰的LB量子点发光二极管，其特征在于，所述修饰层的材料包括但不限于聚合物或金属氧化物。
5.根据权利要求4所述的一种基于界面修饰的LB量子点发光二极管，其特征在于，所述聚合物包括但不限于聚乙烯吡咯烷酮、聚甲基丙烯酸甲酯中，所述金属氧化物包括但不限于SiO2、Al2O3、HfO2、ZrO2。
6.根据权利要求1所述的一种基于界面修饰的LB量子点发光二极管，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：李福山，赵等临，胡海龙，陈祥，郭太良，
申请(专利权)人：福州大学，闽都创新实验室，
类型：发明
国别省市：福建;35
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