温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种基于界面修饰的LB量子点发光二极管及制备方法，从下自上依次包括基板、阳极层、空穴注入层、空穴传输层、修饰层、LB量子点薄膜、电子传输层以及阴极层。本发明可以直接通过提拉法将LB量子点薄膜转移到器件上，提高LB量子点薄膜在器件上...
该专利属于福州大学;闽都创新实验室所有，仅供学习研究参考，未经过福州大学;闽都创新实验室授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。